10月26日，晶升股份憑借其在碳化硅領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)引起了市場關(guān)注。據(jù)“證券時(shí)報(bào)”報(bào)道，晶升股份已成功研發(fā)出可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，該設(shè)備能將碳化硅晶體的生長過程變得透明化，使得晶體良率得以提升超過20%，并已順利通過客戶端驗(yàn)證。

晶升股份董秘吳春生介紹，傳統(tǒng)的碳化硅單晶生長過程如同開“盲盒”，因?yàn)檎麄€(gè)生長過程在一個(gè)完全密閉的環(huán)境中進(jìn)行，只有在打開爐體后才能知曉晶體的生長狀況。這種不可視的生長過程導(dǎo)致工藝開發(fā)周期長、費(fèi)用高、良率低等問題。而晶升股份的8英寸電阻法碳化硅單晶爐則引入了可視化檢測系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了長晶過程的實(shí)時(shí)觀測。

該單晶爐通過實(shí)時(shí)觀測晶體的生長速度和粉料演變狀態(tài)，可以干預(yù)調(diào)節(jié)功率、壓力等條件，使晶體生長處于可控狀態(tài)。此外，針對溫度梯度控制的難題，該設(shè)備采用了多加熱器布局，每個(gè)加熱器都可以單獨(dú)控制，從而有效解決了溫度梯度可控性差的問題，提高了晶體生長的品質(zhì)。同時(shí)，晶升股份團(tuán)隊(duì)還通過數(shù)十次的實(shí)驗(yàn)，將最低的長晶功率由30kW~40kW降低到25kW以下，實(shí)現(xiàn)了節(jié)能降耗。

晶升股份成立于2012年2月，專注于半導(dǎo)體級單晶硅爐、碳化硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料長晶設(shè)備及工藝的研發(fā)與生產(chǎn)。2023年4月，晶升股份正式登陸科創(chuàng)板，并計(jì)劃通過IPO募資4.76億元用于總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目和半導(dǎo)體晶體生長設(shè)備總裝測試廠區(qū)建設(shè)項(xiàng)目。

2024年上半年，晶升股份的營收和凈利潤均實(shí)現(xiàn)了大幅增長。其中，營收達(dá)到1.99億元，同比增長73.76%；凈利潤為0.35億元，同比大幅增長131.99%。此外，晶升股份還宣布實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅長晶設(shè)備的批量交付，第一批設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付，標(biāo)志著其8英寸碳化硅長晶設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)已進(jìn)入新的發(fā)展階段。

未來，隨著晶升股份在8英寸碳化硅長晶設(shè)備領(lǐng)域的不斷深耕和拓展，該業(yè)務(wù)將成為公司新的業(yè)績增長點(diǎn)。