完成融資近5億元

近日，派恩杰半導體（浙江）有限公司連續(xù)完成A2輪、A3輪合計近5億元融資，主要投資方包含寧波通商基金、寧波勇誠資管、上海半導體裝備材料產業(yè)投資基金、南京創(chuàng)投、山證創(chuàng)新、坤泰資本等。此次融資的順利完成不僅彰顯了資本市場對派恩杰技術實力與市場前景的高度認可，更標志著派恩杰在碳化硅產業(yè)升級浪潮中已搶占關鍵身位，即將開啟發(fā)展性的新篇章。

當前，碳化硅行業(yè)正處于技術迭代與市場格局重塑的關鍵轉折期。派恩杰憑借扎實的技術積累、清晰的戰(zhàn)略布局及已驗證的產業(yè)化能力，獲得了新能源汽車、光儲充、工業(yè)電源等各領域客戶的高度認可。此次融資資金將重點用于研發(fā)投入、供應鏈建設及全球化市場布局等，著力提升派恩杰產品在性能、可靠性及成本控制等方面的綜合競爭力。

此次近5億元融資的完成為派恩杰半導體的長遠布局提供了關鍵支撐，派恩杰的產業(yè)布局將會重點圍繞技術創(chuàng)新、產業(yè)化、客戶服務三大主線展開。

扎根產業(yè)沃土

寧波前灣新區(qū)打造協(xié)同創(chuàng)新生態(tài)

作為滬浙高水平合作發(fā)展區(qū)，寧波前灣新區(qū)以其完善的半導體產業(yè)鏈配套與政策賦能體系，成為派恩杰高速發(fā)展的戰(zhàn)略支點。自2024年下半年開始，派恩杰從辦公、研發(fā)等重心開始逐步向寧波前灣轉移。此次遷移不僅是地理位置的遷移，更是產業(yè)鏈價值的深度整合。通過與寧波新能源汽車、光伏儲能、智能家電等產業(yè)集群的協(xié)同創(chuàng)新，快速響應客戶需求，將技術優(yōu)勢轉化為市場優(yōu)勢。

搶占技術制高點

6英寸向8英寸迭代的產業(yè)突圍

隨著新能源汽車、光伏儲能等市場對碳化硅器件的需求激增，全球產業(yè)正加速從6英寸向8英寸晶圓制造演進。相較主流6英寸工藝，8英寸技術可使單位芯片成本降低超30%，8英寸晶圓厚度的增加將有效減少晶圓翹曲、降低缺陷密度，能夠推動碳化硅產品更加廣泛的市場應用。

派恩杰通過與代工廠COT（Customer Owned Technology）模式的深度合作，已構建覆蓋器件設計、工藝開發(fā)、量產管控的全鏈條技術體系。為搶占布局8英寸技術，派恩杰已完成多個關鍵工藝節(jié)點的技術創(chuàng)新，把握技術的先發(fā)優(yōu)勢。預計2025年第四季度，公司8英寸碳化硅將實現(xiàn)量產，屆時產品性價比優(yōu)勢將進一步凸顯，為客戶提供更具競爭優(yōu)勢的解決方案。

定義未來標準

先進封裝技術

面對系統(tǒng)集成化與高功率密度需求，派恩杰已率先布局新一代碳化硅封裝技術 ——兼容嵌入式PCB封裝方案，作為當前碳化硅（SiC）功率模塊領域的重要技術方向，通過深度融合SiC器件特性與先進封裝工藝，解決傳統(tǒng)封裝中雜散電感高、散熱效率低等問題，同時實現(xiàn)與現(xiàn)有PCB工藝的無縫兼容，從而最大化發(fā)揮SiC器件的性能優(yōu)勢。嵌入式PCB封裝技術更是為新能源、電動汽車等高頻高功率應用場景提供了關鍵的可靠解決方案，技術演進也將持續(xù)圍繞“更低電感、更高集成、更強可靠”展開，或將成為SiC產業(yè)升級的核心驅動力之一。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數(shù)據中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅動等領域。