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ARM將使用臺(tái)積電針對(duì)其構(gòu)架開發(fā)的單芯片處理器

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2018-05-07 15:22 ? 次閱讀
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IP授權(quán)公司安謀(Arm)于 4 日宣布,旗下 Arm Artisan 物理 IP 將使用臺(tái)積電針對(duì) Arm 架構(gòu)開發(fā)的單芯片處理器(SoC),并用于 22 納米超低功耗(ultra-low power,ULP)與超低漏電(ultra-low leakage,ULL)的產(chǎn)品平臺(tái)。

Arm 指出,臺(tái)積電 22 納米 ULP / ULL 制程是針對(duì)主流行動(dòng)與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備進(jìn)行最佳化設(shè)計(jì)。不僅能提升基于 Arm 架構(gòu)的 SoC 效能,與臺(tái)積電前一代 28 納米 HPC+ 制程平臺(tái)相較,更可顯著降低功耗及芯片面積。

Arm 物理設(shè)計(jì)事業(yè)群總經(jīng)理 Gus Yeung 表示,這項(xiàng)次世代制程技術(shù)能在更低功耗和更小面積下加入更多功能,且結(jié)合 Artisan 物理 IP 及臺(tái)積電的 22 納米 ULP / ULL 制程平臺(tái),在設(shè)計(jì)與制造成本方面有優(yōu)勢(shì)。雙方將為彼此的合作伙伴,提供立即顯現(xiàn)的每毫瓦運(yùn)算效能,以及節(jié)省芯片面積方面的利益。

Arm 進(jìn)一步指出,采用臺(tái)積電 22 納米 ULP / ULL 制程技術(shù)的 Artisan 物理 IP,包含晶圓廠贊助提供的內(nèi)存編譯器,針對(duì)次世代網(wǎng)路終端運(yùn)算設(shè)備在低漏電與低功耗的需求達(dá)到最佳化狀態(tài)。這些編譯器還附有超高密度與高效能物理 IP 標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù),其中包含功耗管理套件、厚閘極氧化層元件庫(kù)等,協(xié)助優(yōu)化低漏電功耗。另外,還提供泛用型 I/O 解決方案,確保達(dá)成最大程度的效能、功耗、以及面積(PPA)最佳化。

臺(tái)積電設(shè)計(jì)建構(gòu)行銷事業(yè)處資深處長(zhǎng) Suk Lee 指出,Artisan 物理 IP 讓臺(tái)積電加速設(shè)計(jì)定案(tape-out)時(shí)程,瞄準(zhǔn)主流物聯(lián)網(wǎng)與行動(dòng)設(shè)備,加快這些引領(lǐng)業(yè)界的 SoC 上市。延續(xù)臺(tái)積電與 Arm 在 28 納米 HPC+ 平臺(tái)成功合作的基礎(chǔ),臺(tái)積電與 Arm 攜手大幅降低功耗與面積,為彼此共同的芯片設(shè)計(jì)伙伴提供許多機(jī)會(huì),在更多設(shè)備呈現(xiàn)更完善的終端運(yùn)算經(jīng)驗(yàn)。

Arm 指出,與臺(tái)積電 22 納米 ULP / ULL 制程技術(shù)的積極整合時(shí)程下,確保滿足 Arm 與臺(tái)積電共同的芯片設(shè)計(jì)伙伴可在 2018 下半年完成相關(guān)設(shè)計(jì)定案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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