摘要：本文針對超薄晶圓切割過程中 TTV 均勻性控制難題，研究晶圓切割深度動態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測控制方法。分析影響切割深度與 TTV 的關(guān)鍵因素，闡述智能決策模型的構(gòu)建思路及 TTV 預(yù)測控制原理，為實現(xiàn)晶圓高質(zhì)量切割提供理論與技術(shù)參考。

一、引言

在半導(dǎo)體制造技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，超薄晶圓的應(yīng)用愈發(fā)廣泛，其切割工藝的精度要求也日益嚴(yán)苛。切割深度的精準(zhǔn)控制對保障晶圓 TTV 均勻性至關(guān)重要，傳統(tǒng)控制方法難以應(yīng)對復(fù)雜多變的切割工況?；谥悄軟Q策模型的切割深度動態(tài)補(bǔ)償與 TTV 預(yù)測控制，成為提升晶圓切割質(zhì)量的關(guān)鍵技術(shù)，相關(guān)研究對推動半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要價值。

二、影響切割深度與 TTV 的關(guān)鍵因素

（一）設(shè)備與工藝參數(shù)

切割設(shè)備的主軸轉(zhuǎn)速、進(jìn)給速度、切割刀具磨損程度等直接影響切割深度。主軸轉(zhuǎn)速不穩(wěn)定會導(dǎo)致切割力波動，進(jìn)給速度不當(dāng)易造成切割熱累積，刀具磨損則改變刀刃形狀，這些因素均會使切割深度出現(xiàn)偏差，進(jìn)而影響 TTV 均勻性。

（二）晶圓材料特性

不同類型的晶圓材料，其硬度、熱膨脹系數(shù)、內(nèi)部應(yīng)力分布等特性存在差異。在切割過程中，材料特性會影響切割力大小、切割熱產(chǎn)生以及材料去除方式，致使切割深度難以穩(wěn)定控制，最終影響 TTV。

三、智能決策模型的構(gòu)建

（一）數(shù)據(jù)采集與預(yù)處理

利用多種傳感器實時采集切割過程中的設(shè)備參數(shù)、工藝參數(shù)以及晶圓狀態(tài)數(shù)據(jù)，如切割力、溫度、刀具振動等。對采集到的原始數(shù)據(jù)進(jìn)行清洗、降噪與歸一化處理，消除數(shù)據(jù)中的異常值與干擾因素，為模型訓(xùn)練提供高質(zhì)量數(shù)據(jù)。

（二）模型架構(gòu)設(shè)計

采用深度學(xué)習(xí)算法，如卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）與長短期記憶網(wǎng)絡(luò)（LSTM）相結(jié)合的架構(gòu)。CNN 用于提取數(shù)據(jù)中的空間特征，捕捉切割參數(shù)與晶圓狀態(tài)之間的局部關(guān)聯(lián)；LSTM 則處理時間序列數(shù)據(jù)，分析切割過程中參數(shù)變化的時間依賴關(guān)系，從而實現(xiàn)對切割深度動態(tài)補(bǔ)償決策的智能判斷。

四、TTV 預(yù)測控制方法

（一）預(yù)測模型建立

基于歷史切割數(shù)據(jù)與對應(yīng)的 TTV 測量結(jié)果，運(yùn)用機(jī)器學(xué)習(xí)算法，如隨機(jī)森林、支持向量回歸等，構(gòu)建 TTV 預(yù)測模型。通過對大量數(shù)據(jù)的學(xué)習(xí)，挖掘切割過程參數(shù)與 TTV 之間的潛在映射關(guān)系，實現(xiàn)對 TTV 的準(zhǔn)確預(yù)測。

（二）閉環(huán)控制策略

將 TTV 預(yù)測結(jié)果與設(shè)定的目標(biāo)值進(jìn)行對比，若預(yù)測 TTV 超出允許范圍，智能決策模型根據(jù)偏差情況生成切割深度動態(tài)補(bǔ)償指令，調(diào)整切割設(shè)備參數(shù)，形成 “數(shù)據(jù)采集 - TTV 預(yù)測 - 決策補(bǔ)償 - 效果反饋” 的閉環(huán)控制流程，實現(xiàn)對 TTV 的有效控制。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運(yùn)用第三代掃頻OCT技術(shù)，精準(zhǔn)攻克晶圓/晶片厚度TTV重復(fù)精度不穩(wěn)定難題，重復(fù)精度達(dá)3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點(diǎn)，經(jīng)不同時段測量驗證，保障再現(xiàn)精度可靠。?

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進(jìn)一步驗證了真值的再現(xiàn)性：

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù)，相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描，可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性，從輕摻到重?fù)絇型硅，到碳化硅、藍(lán)寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用：?

對重?fù)叫凸瑁删珳?zhǔn)探測強(qiáng)吸收晶圓前后表面；?

點(diǎn)掃描第三代掃頻激光技術(shù)，有效抵御光譜串?dāng)_，勝任粗糙晶圓表面測量；?

通過偏振效應(yīng)補(bǔ)償，增強(qiáng)低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比；

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量，覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍，還可測量薄至4μm、精度達(dá)1nm的薄膜。

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

此外，可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力，在極端環(huán)境中抗干擾性強(qiáng)，顯著提升重復(fù)測量穩(wěn)定性。

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果）

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器，擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴，憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設(shè)計，還能與EFEM系統(tǒng)集成，滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運(yùn)動控制靈活，適配2-12英寸方片和圓片測量。