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切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

新啟航半導(dǎo)體有限公司 ? 2025-07-24 10:23 ? 次閱讀
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摘要:本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制,探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同優(yōu)化的參數(shù)設(shè)計(jì)方法,為提升晶圓切割質(zhì)量、保障 TTV 均勻性提供理論依據(jù)與技術(shù)指導(dǎo)。

一、引言

在晶圓切割工藝中,TTV 厚度均勻性是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良率與性能。切割液作為切割過程中的重要介質(zhì),其冷卻、潤滑、排屑等多種性能協(xié)同作用,對晶圓 TTV 厚度均勻性有著重要影響。深入研究切割液多性能協(xié)同優(yōu)化的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì),對優(yōu)化晶圓切割工藝具有重要意義。

二、切割液性能對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制

(一)冷卻性能的影響

切割過程中會產(chǎn)生大量熱量,若切割液冷卻性能不足,晶圓局部溫度過高,將引發(fā)熱膨脹變形,導(dǎo)致切割深度不一致,TTV 增大。良好的冷卻性能能夠快速帶走切割熱,維持晶圓溫度均勻,減少熱變形對 TTV 的影響。

(二)潤滑性能的作用

切割液的潤滑性能可降低刀具與晶圓之間的摩擦。若潤滑不足,摩擦增大,切割力波動,易造成刀具磨損不均與切割深度偏差,進(jìn)而影響 TTV 均勻性。高效的潤滑能穩(wěn)定切割力,保障切割過程平穩(wěn),提升 TTV 均勻性。

(三)排屑性能的關(guān)聯(lián)

排屑不暢會使切屑在切割區(qū)域堆積,劃傷晶圓表面,阻礙切割液正常流動,影響冷卻與潤滑效果。切割液優(yōu)異的排屑性能可及時清除切屑,避免切屑干擾切割過程,有助于維持 TTV 均勻性。

三、切割液多性能協(xié)同優(yōu)化的參數(shù)設(shè)計(jì)

(一)成分優(yōu)化設(shè)計(jì)

通過調(diào)整切割液基礎(chǔ)液、添加劑的種類與配比,實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同提升。例如,添加合適的潤滑劑與冷卻劑,在保障冷卻效果的同時增強(qiáng)潤滑性能;引入高效分散劑,提升排屑能力,優(yōu)化切割液整體性能。

(二)濃度與流量調(diào)控

研究不同切割工況下,切割液濃度與流量對多性能協(xié)同效果的影響。根據(jù)晶圓材料、切割速度等參數(shù),合理調(diào)整切割液濃度與流量,確保在不同條件下,切割液的冷卻、潤滑、排屑性能都能達(dá)到良好的協(xié)同狀態(tài) 。

(三)溫度與壓力參數(shù)設(shè)定

切割液的工作溫度與壓力會影響其性能發(fā)揮。分析溫度、壓力變化對切割液流動性、散熱性等的影響規(guī)律,科學(xué)設(shè)定溫度與壓力參數(shù),促進(jìn)切割液多性能協(xié)同優(yōu)化,保障晶圓 TTV 厚度均勻性。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運(yùn)用第三代掃頻OCT技術(shù),精準(zhǔn)攻克晶圓/晶片厚度TTV重復(fù)精度不穩(wěn)定難題,重復(fù)精度達(dá)3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結(jié)果不一致的痛點(diǎn),經(jīng)不同時段測量驗(yàn)證,保障再現(xiàn)精度可靠。?

wKgZPGdOp6mAKTtWAAMZ0sugoBA420.png

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進(jìn)一步驗(yàn)證了真值的再現(xiàn)性:

wKgZO2g-jKKAXAVPAATGQ_NTlYo059.png

(以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

該系統(tǒng)基于第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描,可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性,從輕摻到重?fù)絇型硅,到碳化硅、藍(lán)寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用:?

對重?fù)叫凸?,可精?zhǔn)探測強(qiáng)吸收晶圓前后表面;?

點(diǎn)掃描第三代掃頻激光技術(shù),有效抵御光譜串?dāng)_,勝任粗糙晶圓表面測量;?

通過偏振效應(yīng)補(bǔ)償,增強(qiáng)低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比;

wKgZO2g-jKeAYh0xAAUBS068td0375.png

(以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

支持絕緣體上硅和MEMS多層結(jié)構(gòu)測量,覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍,還可測量薄至4μm、精度達(dá)1nm的薄膜。

wKgZPGg-jKqAYFs2AAGw6Lti-7Y319.png

(以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

此外,可調(diào)諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力,在極端環(huán)境中抗干擾性強(qiáng),顯著提升重復(fù)測量穩(wěn)定性。

wKgZO2d_kAqAZxzNAAcUmXvDHLM306.png

(以上為新啟航實(shí)測樣品數(shù)據(jù)結(jié)果)

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調(diào)諧激光器,擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴,憑借卓越抗干擾性實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì),還能與EFEM系統(tǒng)集成,滿足產(chǎn)線自動化測量需求。運(yùn)動控制靈活,適配2-12英寸方片和圓片測量。

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