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德州儀器LM74930-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-08-11 13:42 ? 次閱讀
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Texas Instruments LM74930-Q1理想二極管控制器是一款帶斷路器的汽車類理想二極管浪涌抑制器。 該集成電路驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背N溝道MOSFET,模擬理想二極管整流器以及具有過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)功能的電源路徑開(kāi)/關(guān)控制。LM74930-Q1二極管控制器可承受并保護(hù)負(fù)載免受低至-65V負(fù)電源電壓的影響。集成式高側(cè)柵極(HGATE)控制驅(qū)動(dòng)電源路徑中的第一個(gè)MOSFET,并有助于在過(guò)流、過(guò)壓和欠壓期間斷開(kāi)負(fù)載。 DGATE驅(qū)動(dòng)第二個(gè)MOSFET以取代肖特基二極管,通過(guò)阻止從輸出到輸入的反向電流來(lái)實(shí)現(xiàn)輸入反極性保護(hù)和輸出電壓保持。 LM74930-Q1二極管控制器還包括一個(gè)集成式電流檢測(cè)放大器,可通過(guò)斷路器功能提供可調(diào)節(jié)過(guò)流和短路保護(hù)。此理想二極管控制器還具有可調(diào)節(jié)過(guò)壓和欠壓保護(hù)功能,以防止電源瞬變。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments LM74930-Q1理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

LM74930-Q1理想二極管控制器采用節(jié)省空間的24引腳VQFN封裝。典型應(yīng)用包括12V/24V汽車電池反接保護(hù)、工業(yè)運(yùn)輸和冗余電源ORing。該理想二極管控制器符合汽車應(yīng)用類AEC-Q1標(biāo)準(zhǔn)。

特性

  • 符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)
  • 環(huán)境工作溫度范圍:-40°C至125°C(設(shè)備溫度等級(jí)1)
  • 4V 到 65V 的輸入電壓范圍
  • 反向輸入保護(hù)低至-65V
  • 在共源配置中驅(qū)動(dòng)外部背靠背N溝道MOSFET
  • 理想二極管運(yùn)行,具有10.5mV A至C正向壓降調(diào)節(jié)
  • 低反向檢測(cè)閾值 (-10.5mV),快速DGATE關(guān)斷響應(yīng) (0.5μs)
  • 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流:18mA
  • 峰值DGATE關(guān)斷電流:2.6A
  • 可調(diào)過(guò)流和短路保護(hù)
  • 模擬電流監(jiān)控器輸出,精度為10% (IMON)
  • 可調(diào)過(guò)壓和欠壓保護(hù)
  • 低關(guān)斷電流:2.5μA(EN=低)
  • MODE引腳允許雙向電流流動(dòng)(MODE=低)
  • 采用合適的TVS二極管,符合汽車ISO7637瞬態(tài)要求
  • 采用節(jié)省空間的24引腳VQFN封裝

功能框圖

1.png

應(yīng)用電路圖

2.png

德州儀器LM74930-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析

一、產(chǎn)品核心特性

LM74930-Q1是德州儀器(TI)專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的高性能理想二極管控制器,集成浪涌抑制和電路保護(hù)功能,具有以下突出特性:

?電壓保護(hù)能力?:

  • ?超寬工作范圍?:4V至65V輸入電壓(瞬態(tài)耐受70V)
  • ?反向保護(hù)?:支持-65V反向電壓保護(hù)
  • ?負(fù)載突降保護(hù)?:滿足200V非抑制負(fù)載突降保護(hù)需求

?保護(hù)功能?:

  • 可調(diào)過(guò)壓/欠壓保護(hù)(OVP/UVLO)
  • 編程過(guò)流保護(hù)(5A典型值)
  • 20A短路保護(hù)閾值
  • 集成故障輸出指示(FLT引腳)

?能效表現(xiàn)?:

  • 待機(jī)電流僅2.5μA(EN=Low時(shí))
  • 10.5mV典型正向壓降調(diào)節(jié)
  • 支持雙向電流模式(通過(guò)MODE引腳配置)

二、關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新

1. 雙MOSFET驅(qū)動(dòng)架構(gòu)

  • ?HGATE控制?:驅(qū)動(dòng)前端MOSFET實(shí)現(xiàn)負(fù)載通斷控制
  • ?DGATE控制?:驅(qū)動(dòng)理想二極管MOSFET替代肖特基二極管
  • ?獨(dú)立供電設(shè)計(jì)?:VS引腳單獨(dú)供電提升系統(tǒng)可靠性

2. 智能保護(hù)機(jī)制

  • ?三級(jí)電流保護(hù)?:
    • 模擬電流監(jiān)控(IMON引腳)
    • 可調(diào)過(guò)流保護(hù)(通過(guò)RILIM設(shè)置)
    • 獨(dú)立短路保護(hù)(20mV固定閾值)
  • ?雙重電壓保護(hù)?:
    • 電阻分壓網(wǎng)絡(luò)設(shè)置OVP/UVLO閾值
    • 37V典型過(guò)壓關(guān)斷閾值
    • 0.55V UVLO比較器閾值

三、典型應(yīng)用設(shè)計(jì)

1. 汽車電源保護(hù)方案

?200V非抑制負(fù)載突降保護(hù)電路?:

  • 前端采用60V TVS二極管(SMBJ150A)
  • 10kΩ限流電阻保護(hù)VS引腳
  • 1mΩ電流檢測(cè)電阻實(shí)現(xiàn)20A短路保護(hù)

?關(guān)鍵元件選型?:

元件參數(shù)要求推薦型號(hào)
Q1 MOSFETVDS≥200V, VGS≥20VCSD18532Q5A
Q2 MOSFETVDS≥60V, RDS(on)<5mΩCSD17571Q2
TVS二極管36.7V擊穿電壓SMBJ33CA

四、功能模式詳解

1. 工作狀態(tài)機(jī)

  • ?關(guān)機(jī)模式?:EN<0.7V,僅消耗2.5μA電流
  • ?待機(jī)模式?:電荷泵激活但未驅(qū)動(dòng)MOSFET
  • ?運(yùn)行模式?:
    • 正向?qū)ǎ╒AC>177mV)
    • 反向阻斷(VAC<-10.5mV)
    • 過(guò)壓鉗位(OVCLAMP功能)

2. 保護(hù)響應(yīng)時(shí)序

故障類型檢測(cè)延時(shí)響應(yīng)動(dòng)作
短路保護(hù)3.5-5.5μs立即關(guān)閉HGATE
過(guò)流保護(hù)35μs(典型)觸發(fā)電路斷路器
過(guò)壓保護(hù)4-7μs關(guān)閉HGATE或鉗位輸出

五、設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. PCB布局指南

  • ?功率回路?:保持A/DGATE/C引腳路徑<5mm
  • ?敏感信號(hào)?:
    • CS+/CS-采用開(kāi)爾文連接
    • FB走線遠(yuǎn)離SW節(jié)點(diǎn)
  • ?熱設(shè)計(jì)?:
    • 使用4×0.3mm過(guò)孔陣列連接散熱焊盤(pán)
    • 推薦2oz銅厚PCB

2. 可靠性設(shè)計(jì)

  • ?瞬態(tài)抑制?:
    • 輸入TVS二極管需滿足ISO7637-2標(biāo)準(zhǔn)
    • 輸出端添加100nF陶瓷電容吸收能量
  • ?MOSFET選型?:
    • VGS(th)需低于11V(考慮驅(qū)動(dòng)電壓余量)
    • 導(dǎo)通電阻需保證10.5mV壓降下的電流能力
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