Texas Instruments LM74701-Q1理想二極管控制器是符合AEC-Q100汽車類標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器。它采用外部N溝道MOSFET作為理想二極管，用于低損耗反向極性保護，正向電壓降為20mV。LM74701-Q1適合用于12V汽車系統(tǒng)的輸入保護。由于該器件支持3.2V輸入電壓，因此非常適合用于汽車系統(tǒng)中嚴(yán)苛的冷啟動要求。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LM74701-Q1理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf

該器件控制MOSFET的柵極，以調(diào)節(jié)正向壓降（20mV時）。該調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件期間實現(xiàn)MOSFET的出色關(guān)斷，確保零直流反向電流流動。該器件具有快速響應(yīng) (<0.75μs) 反向電流阻斷功能，因此適合用于在ISO7637脈沖測試和電源故障和微短路條件下具有輸出電壓保持要求的系統(tǒng)。LM74701-Q1具有獨特的集成VDS鉗位特性，可讓用戶實現(xiàn)無TVS輸入極性保護解決方案，并在受限的汽車系統(tǒng)中平均節(jié)省60%（典型值）的PCB空間。

Texas Instruments LM74701-Q1控制器設(shè)有用于外部N通道MOSFET的電荷泵柵極驅(qū)動器。當(dāng)使能引腳處于低電平時，控制器關(guān)斷并消耗約1μA電流。

特性

• 下列性能符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)：
  • 器件溫度1級（-40°C至125°C環(huán)境工作溫度范圍）
  • 器件人體模型 (HBM) 靜電放電 (ESD) 分類等級2
  • 器件充電器件模型 (CDM) ESD分類等級C4B
• 輸入電壓范圍：3.2V至65V（3.9V啟動）
• 反向電壓額定值：–33V
• 用于外部N通道MOSFET的電荷泵
• 20mV陽極至陰極正向壓降調(diào)節(jié)
• 關(guān)斷電流：1μA（EN=低）
• 工作靜態(tài)電流：80μA（EN=高）
• 峰值柵極關(guān)斷電流：2A
• 快速響應(yīng)反向電流阻斷：<0.75μs
• 集成電池電壓監(jiān)控開關(guān) (SW)
• 符合汽車ISO7637瞬態(tài)要求，無需額外輸入TVS二極管（無TVS）
• 8引腳SOT-23封裝2.90mm × 1.60mm

功能框圖

LM74701-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

LM74701-Q1是德州儀器(Texas Instruments)推出的一款汽車級理想二極管控制器，專為12V汽車系統(tǒng)的輸入保護設(shè)計。這款A(yù)EC-Q100 Grade 1認證的器件通過與外部N溝道MOSFET協(xié)同工作，實現(xiàn)了低損耗反極性保護功能，典型正向壓降僅為20mV。

該控制器特別適合汽車ADAS系統(tǒng)(如攝像頭)、車載信息娛樂系統(tǒng)(如主機單元、遠程信息處理控制單元)以及汽車USB集線器等應(yīng)用場景。其3.2V的輸入電壓支持能力使其能夠滿足汽車系統(tǒng)中嚴(yán)苛的冷啟動要求。

二、關(guān)鍵特性與技術(shù)優(yōu)勢

1. ?寬工作電壓范圍?：3.2V至65V輸入范圍(3.9V啟動)，支持-33V反向電壓
2. ?高效能表現(xiàn)?：
   • 僅20mV的ANODE至CATHODE正向壓降調(diào)節(jié)
   • 1μA關(guān)斷電流(EN=Low)和80μA工作靜態(tài)電流(EN=High)
   • 2A峰值柵極關(guān)斷電流
3. ?快速響應(yīng)?：反向電流阻斷響應(yīng)時間<0.75μs
4. ?集成化設(shè)計?：
   • 內(nèi)置電荷泵驅(qū)動外部N溝道MOSFET
   • 集成電池電壓監(jiān)測開關(guān)(SW)
5. ?可靠性保障?：
   • 無需額外輸入TVS二極管即可滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
   • 8引腳SOT-23封裝(2.90mm×1.60mm)

三、工作原理與功能描述

LM74701-Q1通過控制外部MOSFET的柵極，將其配置為一個近乎理想的二極管。其核心工作機制包括：

1. ?正向電壓調(diào)節(jié)?：控制器通過調(diào)節(jié)MOSFET的柵極電壓，將正向壓降維持在約20mV，顯著低于傳統(tǒng)二極管方案。
2. ?反向電流阻斷?：當(dāng)檢測到反向電流時，器件能在0.75μs內(nèi)快速關(guān)斷MOSFET，確保無直流反向電流流動。
3. ?VDS鉗位特性?：獨特的集成VDS鉗位功能使系統(tǒng)無需TVS二極管即可實現(xiàn)輸入極性保護，節(jié)省約60%的PCB空間。
4. ?工作模式?：
   • 啟用模式(EN=High)：控制器激活，MOSFET受控導(dǎo)通
   • 關(guān)斷模式(EN=Low)：控制器關(guān)閉，僅消耗約1μA電流

四、典型應(yīng)用電路

根據(jù)數(shù)據(jù)手冊提供的典型應(yīng)用示意圖，系統(tǒng)配置應(yīng)包括：

• 輸入電容CIN和輸出電容COUT
• VCAP引腳連接的0.1μF電荷泵電容CVCAP
• 用于電池電壓監(jiān)測的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)R1和R2
• 外部N溝道MOSFET(最大VGS額定值為15V)

特別值得注意的是，該設(shè)計實現(xiàn)了"無TVS"的ISO7637-2脈沖1性能，顯著簡化了外圍電路。

五、設(shè)計考量與優(yōu)化建議

1. ?MOSFET選擇?：應(yīng)選擇VGS額定值≥15V的N溝道MOSFET，并確保其RDS(on)足夠低以實現(xiàn)高效能。
2. ?布局指南?：
   • 保持功率路徑短而寬以降低阻抗
   • 將VCAP電容盡量靠近器件引腳放置
   • 為散熱考慮提供足夠的銅面積
3. ?熱管理?：器件結(jié)溫范圍為-40°C至+150°C，在高溫環(huán)境下需注意降額使用。
4. ?故障保護?：利用集成的VDS鉗位功能(34-43V)可省去外部TVS二極管，但需確保系統(tǒng)能承受此鉗位電壓。

六、性能參數(shù)詳解

1. ?電氣特性?：
   • 工作輸入電壓：4-60V
   • 啟動閾值：3.9V(上升)，2.2-3.1V(下降)
   • 電荷泵特性：在VANODE=12V時，可提供300-600μA的充電電流
2. ?開關(guān)特性?：
   • 使能至柵極開啟延遲：75-110μs
   • 反向電壓檢測至柵極關(guān)斷延遲：0.45-0.75μs
   • 正向恢復(fù)延遲：1.4-2.6μs
3. ?溫度特性?：所有關(guān)鍵參數(shù)在-40°C至+125°C范圍內(nèi)均有詳細規(guī)定，確保汽車級可靠性。

七、應(yīng)用實例

1. ?汽車電源保護?：在12V汽車電池系統(tǒng)中提供反向電流保護，耐受負載突降等瞬態(tài)事件。
2. ?冗余電源OR-ing?：在多電源系統(tǒng)中實現(xiàn)自動切換，確保系統(tǒng)持續(xù)供電。
3. ?空間受限系統(tǒng)?：得益于無TVS設(shè)計，特別適合攝像頭模塊等空間受限的汽車電子應(yīng)用。