LM74701-Q1 是一款符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí)理想二極管控制器，它與外部 N 溝道 MOSFET 一起作為理想二極管，用于實(shí)現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)，正向壓降為 20 mV。LM74701-Q1 適用于 12V 汽車系統(tǒng)的輸入保護(hù)。3.2 V 輸入電壓支持特別適合汽車系統(tǒng)中的嚴(yán)苛冷啟動(dòng)要求。
*附件：lm74701-q1.pdf

該器件控制 MOSFET 的 GATE 以調(diào)節(jié) 20 mV 的正向壓降。該調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件期間正常關(guān)閉 MOSFET，并確保零直流反向電流。對(duì)反向電流阻斷的快速響應(yīng) （< 0.75 μs） 使該器件適用于在ISO7637脈沖測(cè)試期間具有輸出電壓保持要求的系統(tǒng)以及電源故障和輸入微短路情況。LM74701-Q1 具有獨(dú)特的集成 VDS 箝位功能，使用戶能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú) TVS 輸入極性保護(hù)解決方案，并在受限汽車系統(tǒng)中平均節(jié)省 60% 的 PCB 空間。

LM74701-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)。當(dāng)使能引腳為低電平時(shí)，控制器關(guān)閉并消耗大約 1 μA 的電流。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
• 3.2V 至 65V 輸入范圍（3.9V 啟動(dòng)）
• –33V 反向電壓額定值
• 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
• 20 mV 陽(yáng)極到陰極正向壓降調(diào)節(jié)
• 1μA 關(guān)斷電流（EN = 低）
• 80μA 工作靜態(tài)電流（EN = 高）
• 2A 峰值柵極關(guān)斷電流
• 對(duì)反向電流阻斷的快速響應(yīng)：< 0.75 μs
• 集成電池電壓監(jiān)控開(kāi)關(guān) （SW）
• 滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求，無(wú)需額外的輸入 TVS 二極管（TVS 更少）
• 8 引腳 SOT-23 封裝 2.90 mm × 1.60 mm

參數(shù)

概述

LM74701-Q1 是一款汽車級(jí)反向電池保護(hù)理想二極管控制器，通過(guò)結(jié)合外部 N 溝道 MOSFET，實(shí)現(xiàn)低損耗的反向極性保護(hù)。該設(shè)備符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于 12V 汽車系統(tǒng)，特別是在冷啟動(dòng)條件下表現(xiàn)優(yōu)異。

主要特性

• ?AEC-Q100 認(rèn)證?：適用于汽車應(yīng)用，溫度等級(jí) 1，工作溫度為 -40°C 至 +125°C。
• ?寬輸入電壓范圍?：3.2V 至 65V（啟動(dòng)電壓為 3.9V），反向電壓額定值為 -33V。
• ?低損耗?：陽(yáng)極到陰極的正向電壓降調(diào)節(jié)至 20mV。
• ?快速響應(yīng)?：反向電流阻斷響應(yīng)時(shí)間 < 0.75μs。
• ?集成電池電壓監(jiān)測(cè)開(kāi)關(guān)?：通過(guò) SW 引腳實(shí)現(xiàn)。
• ?符合 ISO7637 瞬態(tài)要求?：無(wú)需額外輸入 TVS 二極管。
• ?小型封裝?：8 引腳 SOT-23 封裝，尺寸為 2.90mm × 1.60mm。

應(yīng)用

• ?汽車 ADAS 系統(tǒng)?：如攝像頭模塊。
• ?汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)?：包括車頭單元和遙測(cè)控制單元。
• ?汽車 USB 集線器?。
• ?冗余電源供應(yīng)的主動(dòng) ORing?。

功能描述

• ?電荷泵?：為外部 N 溝道 MOSFET 提供門(mén)驅(qū)動(dòng)電壓，最大可達(dá)約 12V。
• ?門(mén)驅(qū)動(dòng)?：根據(jù)陽(yáng)極到陰極的電壓調(diào)整門(mén)極到陽(yáng)極的電壓，實(shí)現(xiàn)正向電壓降的調(diào)節(jié)和反向電流的阻斷。
• ?使能引腳?：控制設(shè)備的開(kāi)啟和關(guān)閉，低電平關(guān)閉，低電流關(guān)斷狀態(tài)下僅消耗 1μA 電流。
• ?電池電壓監(jiān)測(cè)?：通過(guò) SW 引腳和內(nèi)部開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)斷開(kāi)電阻梯，減少泄漏電流。
• ?VDS 鉗位?：在 ISO7637 脈沖 1 測(cè)試期間，將外部 MOSFET 用作有源鉗位元件，消散瞬態(tài)能量。

設(shè)備功能模式

• ?關(guān)斷模式?：使能引腳電壓低于輸入低閾值時(shí)，門(mén)驅(qū)動(dòng)和電荷泵均被禁用，設(shè)備進(jìn)入低 IQ 操作。
• ?傳導(dǎo)模式?：根據(jù)陽(yáng)極到陰極的電壓，設(shè)備在正向調(diào)節(jié)模式、全導(dǎo)通模式和 VDS 鉗位模式之間切換。
• ?反向電流保護(hù)模式?：當(dāng)檢測(cè)到反向電流時(shí)，快速關(guān)斷外部 MOSFET，使用體二極管阻斷反向電流。

典型應(yīng)用

• ?12V 電池保護(hù)?：結(jié)合外部 N 溝道 MOSFET，實(shí)現(xiàn)反向極性保護(hù)，同時(shí)利用 VDS 鉗位功能實(shí)現(xiàn) TVS 無(wú)需的反向極性保護(hù)解決方案。

布局指南

• 輸入電容應(yīng)靠近陽(yáng)極引腳放置，以減小寄生電感。
• 連接 LM74701-Q1 的門(mén)驅(qū)動(dòng)、陽(yáng)極和陰極引腳到 MOSFET 的門(mén)極、源極和漏極引腳，使用短走線。
• 使用厚走線以最小化 MOSFET 的電阻性損耗。
• 將電荷泵電容放置在遠(yuǎn)離 MOSFET 的位置，以降低對(duì)電容值的熱影響。

文檔支持

• 提供了接收文檔更新通知、支持資源、靜電放電警告等信息。
• 提供了詳細(xì)的機(jī)械、包裝和可訂購(gòu)信息。

通過(guò)上述總結(jié)，用戶可以全面了解 LM74701-Q1 的主要特性、應(yīng)用、功能描述、設(shè)備功能模式、典型應(yīng)用以及布局指南。