LM74700-Q1 是一款符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級理想二極管控制器,它與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,作為理想二極管整流器,提供低損耗反極性保護(hù),正向壓降為 20 mV。3.2 V 至 65 V 的寬電源輸入范圍允許控制許多常用的直流總線電壓,例如 12 V、24 V 和 48 V 汽車電池系統(tǒng)。3.2 V 輸入電壓支持特別適合汽車系統(tǒng)中的嚴(yán)苛冷啟動要求。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –65 V 的負(fù)電源電壓的影響。
*附件:lm74700-q1.pdf
該器件控制 MOSFET 的 GATE 以調(diào)節(jié) 20 mV 的正向壓降。該調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件期間正常關(guān)閉 MOSFET,并確保零直流反向電流流過。對反向電流阻斷的快速響應(yīng) (< 0.75 μs) 使該器件適用于在ISO7637脈沖測試期間具有輸出電壓保持要求的系統(tǒng)以及電源故障和輸入微短路情況。
LM74700-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅(qū)動。LM74700-Q1 的高額定電壓有助于簡化汽車ISO7637保護(hù)的系統(tǒng)設(shè)計。當(dāng)使能引腳為低電平時,控制器關(guān)閉并消耗大約 1 μA 的電流。
特性
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn),結(jié)果如下
- 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類 2 級
- 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
- 功能安全
- 3.2V 至 65V 輸入范圍(3.9V 啟動)
- –65V 反向額定電壓
- 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
- 20mV 陽極到陰極正向壓降調(diào)節(jié)
- 使能引腳功能
- 1μA 關(guān)斷電流 (EN=Low)
- 80μA 工作靜態(tài)電流 (EN=高)
- 2.3A 峰值柵極關(guān)斷電流
- 對反向電流阻斷的快速響應(yīng):< 0.75 μs
- 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車 ISO7637 瞬態(tài)要求
- 提供 6 引腳和 8 引腳 SOT-23 封裝,封裝尺寸為 2.90 mm × 1.60 mm
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
- ?名稱?:LM74700-Q1
- ?類型?:低IQ反向電池保護(hù)理想二極管控制器
- ?應(yīng)用?:
2. 主要特性
- ?AEC-Q100認(rèn)證?:符合汽車級標(biāo)準(zhǔn),工作溫度范圍-40°C至+125°C
- ?輸入范圍?:3.2V至65V(啟動電壓3.9V)
- ?反向電壓額定值?:-65V
- ?前向電壓降?:20mV
- ?啟用引腳?:啟用時工作靜態(tài)電流80μA,禁用時1μA
- ?峰值柵極關(guān)斷電流?:2.3A
- ?反向電流阻斷響應(yīng)?:< 0.75μs
- ?符合標(biāo)準(zhǔn)?:滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
3. 功能描述
- ?反向極性保護(hù)?:通過外部N通道MOSFET實(shí)現(xiàn)低損耗反向極性保護(hù)
- ?電荷泵?:為外部N通道MOSFET提供柵極驅(qū)動電壓
- ?前向電壓降調(diào)節(jié)?:持續(xù)監(jiān)測ANODE和CATHODE引腳間的電壓,并調(diào)整GATE至ANODE電壓以維持20mV的前向電壓降
- ?快速響應(yīng)?:在檢測到反向電流時快速關(guān)閉MOSFET,確保無直流反向電流流動
- ?啟用引腳?:控制LM74700-Q1的開關(guān),禁用時大幅降低靜態(tài)電流
4. 電氣特性
- ?工作電壓?:ANODE引腳電壓范圍3.2V至65V
- ?靜態(tài)電流?:啟用時80μA至130μA,禁用時0.9μA至1.5μA
- ?柵極驅(qū)動能力?:峰值源電流311mA,峰值漏電流2370mA
- ?電荷泵性能?:源電流162μA至300μA,漏電流5μA至10μA
- ?溫度范圍?:結(jié)溫-40°C至+150°C
5. 應(yīng)用信息
- ?典型應(yīng)用?:12V和24V電池保護(hù)電路
- ?設(shè)計考慮?:包括輸入電壓范圍、負(fù)載電流、輸出電容、MOSFET選擇和TVS二極管選擇等
- ?ORing應(yīng)用?:用于冗余電源架構(gòu),減少正向二極管壓降,提高系統(tǒng)效率
6. 布局指南
- ?引腳連接?:ANODE、GATE和CATHODE引腳應(yīng)靠近MOSFET的SOURCE、GATE和DRAIN引腳
- ?高電流路徑?:使用厚銅跡線以最小化電阻損耗
- ?電容布局?:電荷泵電容應(yīng)遠(yuǎn)離MOSFET以降低熱效應(yīng)
7. 文檔與支持
- ?更新通知?:可通過TI網(wǎng)站訂閱產(chǎn)品文檔更新
- ?支持資源?:提供TI E2E?在線社區(qū)支持
8. 封裝信息
- ?封裝類型?:6引腳和8引腳SOT-23封裝,尺寸2.90mm × 1.60mm
- ?溫度等級?:1級,適合汽車應(yīng)用
9. 注意事項
- ?靜電放電(ESD)防護(hù)?:處理時需采取適當(dāng)?shù)腅SD防護(hù)措施
- ?熱管理?:高結(jié)溫會降低器件壽命,設(shè)計中需考慮散熱
- ?故障處理?:在檢測到故障時,設(shè)備將關(guān)閉外部MOSFET,需根據(jù)應(yīng)用需求設(shè)計故障處理邏輯
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