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LM74912-Q1 汽車級理想二極管,集成過壓和短路保護,帶故障輸出數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-07 11:31 ? 次閱讀
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LM74912-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動和控制外部背靠背 N 溝道 MOSFET,以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制的理想二極管整流器,具有過壓、欠壓和輸出短路保護功能。3V 至 65V 的寬輸入電源可保護和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護負載免受低至 –65 V 的負電源電壓的影響。集成的理想二極管控制器 (DGATE) 驅(qū)動第一個 MOSFET,以取代肖特基二極管,用于反向輸入保護和輸出電壓保持。在電源路徑中具有第二個 MOSFET,該器件允許使用 HGATE 控制在發(fā)生過流和過壓事件時進行負載斷開(ON/OFF 控制)。該器件集成了電流檢測放大器,可提供基于外部 MOSFET VDS 檢測的短路保護,并具有可調(diào)節(jié)的電流限制。當在輸出上檢測到短路情況時,該器件將鎖存負載斷開 MOSFET。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓截止保護功能。該器件具有 SLEEP 模式,可實現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗 (6 μA),同時在車輛處于停車狀態(tài)時為始終開啟的負載提供刷新電流。LM74912-Q1 的最大額定電壓為 65 V。
*附件:lm74912-q1.pdf

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應(yīng)用
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 功能安全
  • 3V 至 65V 輸入范圍
  • 低至 –65 V 的反向輸入保護
  • 在共漏極配置中驅(qū)動外部背靠背 N 溝道 MOSFET
  • 具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)的理想二極管作
  • 低反向檢測閾值 (–10.5 mV),快速響應(yīng) (0.5 μs)
  • 20mA 峰值柵極 (DGATE) 導(dǎo)通電流
  • 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
  • 可調(diào)的過壓和欠壓保護
  • MOSFET 閉鎖狀態(tài)下的輸出短路保護
  • 關(guān)斷電流為 2.5μA 的超低功耗模式(EN=低)
  • 具有 6μA 電流的睡眠模式(EN=高,睡眠=低)
  • 通過合適的瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
  • 采用 4 mm × 4 mm 24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

1. 產(chǎn)品概述

LM74912-Q1 是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的理想二極管控制器,具備故障輸出、過壓、欠壓和短路保護功能。該器件適用于驅(qū)動和控制外部背對背N溝道MOSFET,以模擬理想二極管整流器,并提供電源路徑的ON/OFF控制。

2. 關(guān)鍵特性

  • ?AEC-Q100 認證?:適用于汽車應(yīng)用,環(huán)境溫度范圍為-40°C至+125°C。
  • ?寬輸入范圍?:支持3 V至65 V的輸入電壓范圍,適用于12 V和24 V汽車電池供電的ECU。
  • ?反向輸入保護?:可承受低至-65 V的負電源電壓。
  • ?理想二極管操作?:具有10.5 mV的A到C正向電壓降調(diào)節(jié)。
  • ?快速響應(yīng)?:反向檢測閾值為-10.5 mV,響應(yīng)時間為0.5 μs。
  • ?低功率模式?:SLEEP模式下電流僅為6 μA,關(guān)斷模式下電流為2.5 μA。
  • ?短路保護?:輸出短路保護,MOSFET鎖定關(guān)閉狀態(tài)。
  • ?可調(diào)整保護?:過壓和欠壓保護可調(diào)。

3. 電氣規(guī)格

  • ?工作結(jié)溫?:-40°C至150°C。
  • ?供電電壓?:3 V至65 V。
  • ?啟用閾值電壓?:EN引腳啟用閾值電壓為0.8 V至1.05 V,關(guān)斷閾值電壓為0.41 V至0.7 V。
  • ?過壓/欠壓保護?:過壓保護閾值可調(diào),欠壓保護閾值可調(diào)。
  • ?短路保護?:短路保護閾值默認為50 mV,可通過外部電阻調(diào)整。

4. 功能描述

  • ?雙柵極控制?:DGATE用于控制理想二極管階段的MOSFET,HGATE用于控制負載斷開開關(guān)階段的MOSFET。
  • ?電荷泵?:為外部N溝道MOSFET提供驅(qū)動電壓。
  • ?短路保護?:監(jiān)測外部MOSFET的VDS電壓,并在超過閾值時關(guān)閉HGATE,同時FLT引腳拉低。
  • ?過壓/欠壓保護?:通過調(diào)整SW、OV和UVLO引腳的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)來設(shè)置過壓和欠壓閾值。
  • ?SLEEP模式?:在SLEEP引腳拉低時進入低功耗模式,內(nèi)部電荷泵和柵極驅(qū)動關(guān)閉,但提供內(nèi)部旁路路徑以維持有限電流的輸出電壓。

5. 應(yīng)用領(lǐng)域

  • 汽車電池保護
  • ADAS域控制器
  • 信息娛樂和集群系統(tǒng)
  • 汽車外部放大器
  • 冗余電源的主動ORing

6. 封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:24引腳VQFN封裝。
  • ?封裝尺寸?:4 mm × 4 mm。

7. 文檔與支持

  • 提供詳細的數(shù)據(jù)手冊,包括規(guī)格、應(yīng)用信息、布局指南等。
  • 可通過TI的E2E?支持論壇獲取設(shè)計幫助和快速驗證答案。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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