LM749x0-Q1 理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET，以模擬具有電源路徑開/關(guān)控制的理想二極管整流器，并具有過流和過壓保護(hù)。3V 至 65V 的寬輸入電源允許保護(hù)和控制 12V 和 24V 汽車電池供電的 ECU。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至–65V的負(fù)電源電壓的影響。集成理想二極管控制器 （DGATE） 驅(qū)動(dòng)第一個(gè) MOSFET，以取代肖特基二極管，以實(shí)現(xiàn)反向輸入保護(hù)和輸出電壓保持。由于電源路徑中存在第二個(gè) MOSFET，該器件允許在使用 HGATE 控制的過流和過壓事件時(shí)進(jìn)行負(fù)載斷開（ON/OFF 控制）。該器件集成了電流檢測(cè)放大器，可提供精確的電流監(jiān)測(cè)，并具有可調(diào)節(jié)的過流和短路閾值。該器件具有可調(diào)節(jié)的過壓切斷保護(hù)功能。該器件具有睡眠模式，可實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流消耗 （6μA），同時(shí)在車輛處于停車狀態(tài)時(shí)為始終開啟的負(fù)載提供刷新電流。LM749x0-Q1 的最大額定電壓為 65V。
*附件：lm74910h-q1.pdf

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用
  • 器件溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
• 功能安全功能
  • 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 3V 至 65V 輸入范圍
• LM74910H-Q1 的 74V 絕對(duì)最大額定值
• 低至 –65V 的反向輸入保護(hù)
• 驅(qū)動(dòng)采用公共漏極配置的外部背對(duì)背 N 溝道 MOSFET
• 理想二極管工作，具有 10.5mV A 至 C 正向壓降調(diào)節(jié)
• 低反向檢測(cè)閾值 （–10.5mV），具有快速關(guān)斷響應(yīng) （0.5μs）
• 20mA 峰值柵極 （DGATE） 導(dǎo)通電流
• 2.6A 峰值 DGATE 關(guān)斷電流
• 可調(diào)的過流和短路保護(hù)
• 模擬電流監(jiān)測(cè)器輸出，精度為 2%，適用于 LM74910H-Q1
• 可調(diào)節(jié)的過壓和欠壓保護(hù)
• LM74910H-Q1 中的 SLEEP 模式 OCP 重試
• 2.5μA低關(guān)斷電流（EN=低）
• 電流為6μA的SLEEP模式（EN=高，SLEEP=低）
• 通過合適的 TVS 二極管滿足汽車ISO7637瞬態(tài)要求
• 采用節(jié)省空間的 24 引腳 VQFN 封裝

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LM749x0-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級(jí)理想二極管控制器系列，包括LM74900-Q1、LM74910-Q1和LM74910H-Q1三款型號(hào)。該系列專為3V至65V寬輸入范圍的汽車電子控制單元（ECU）設(shè)計(jì)，支持反向輸入保護(hù)（低至-65V），集成過壓/欠壓保護(hù)、可調(diào)過流保護(hù)及故障輸出功能，適用于12V/24V電池系統(tǒng)。

?2. 核心特性?

• ?保護(hù)功能?：
  • 反向電池保護(hù)（-65V耐受）
  • 可調(diào)過壓（OVP）和欠壓（UVLO）保護(hù)閾值
  • 兩級(jí)過流保護(hù)（OCP/SCP），支持自動(dòng)重試（Auto-Retry）或鎖存（Latch-Off）模式
• ?低功耗模式?：
  • ?睡眠模式?（6μA靜態(tài)電流）：保持負(fù)載供電但關(guān)閉柵極驅(qū)動(dòng)
  • ?關(guān)斷模式?（2.5μA）：完全切斷負(fù)載
• ?高精度監(jiān)測(cè)?：
  • 電流監(jiān)測(cè)輸出（IMON）精度±2%（LM74910H-Q1）
  • 模擬電流監(jiān)測(cè)比例輸出（支持外部電阻轉(zhuǎn)換）

?3. 典型應(yīng)用?

• 汽車電池保護(hù)（ADAS域控制器、信息娛樂系統(tǒng)、音頻放大器）
• 冗余電源的主動(dòng)ORing架構(gòu)
• 符合ISO7637汽車瞬態(tài)要求（需搭配TVS二極管）

?4. 關(guān)鍵參數(shù)對(duì)比?

?5. 封裝與引腳?

• ?封裝?：24引腳VQFN（4mm×4mm）
• ?核心引腳功能?：
  • ?DGATE?：驅(qū)動(dòng)外部MOSFET柵極，模擬理想二極管行為
  • ?HGATE?：控制負(fù)載通斷MOSFET，實(shí)現(xiàn)過壓/欠壓保護(hù)
  • ?FLT?：開漏故障輸出（低電平觸發(fā)）

?6. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?電荷泵?：需外接0.1μF電容（CAP-VS），提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓（典型12.2V~13.2V）
• ?布局建議?：優(yōu)化VS和GND走線以降低噪聲，確保電流檢測(cè)電阻（RSENSE）靠近CS+/CS-引腳

?7. 安全與認(rèn)證?

• AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證（-40°C至125°C環(huán)境溫度）
• 功能安全文檔支持（ISO 26262）

?8. 典型電路?

• 反向電池保護(hù)拓?fù)洌和ㄟ^外部背靠背N-MOSFET實(shí)現(xiàn)，支持共漏極配置
• 電流檢測(cè)：50~100mΩ檢測(cè)電阻，配合內(nèi)部放大器實(shí)現(xiàn)高精度監(jiān)測(cè)