LP8868-Q1 系列是一款非同步多拓?fù)浣鉀Q方案，具有 4.5V 至 65V 寬輸入范圍。通過(guò)集成低側(cè) NMOS 開(kāi)關(guān)，該器件能夠驅(qū)動(dòng)高功率密度和高效率的 LED。該系列還支持共陰極連接和單層 PCB 設(shè)計(jì)。開(kāi)關(guān)頻率可配置為 100 kHz 至 2.2 MHz，并具有可選的擴(kuò)頻功能，可實(shí)現(xiàn)更好的 EMI 性能。
*附件：lp8868z-q1.pdf

LP8868-Q1 系列支持四種調(diào)光選項(xiàng)，包括模擬調(diào)光、PWM、混合調(diào)光和柔性調(diào)光。每種調(diào)光方法都可以通過(guò)簡(jiǎn)單的高低信號(hào)通過(guò) PWM 和 ADIM 輸入引腳進(jìn)行配置。該系列采用自適應(yīng)關(guān)斷時(shí)間電流模式控制以及智能和精確的采樣，以實(shí)現(xiàn)電感快速調(diào)光 （IFD） 并實(shí)現(xiàn)高調(diào)光精度。

LP8868-Q1 系列還提供多種系統(tǒng)保護(hù)，包括 LED 開(kāi)路和短路、檢測(cè)電阻開(kāi)路和短路、可配置的熱折返和熱關(guān)斷。一旦檢測(cè)到任何故障情況，故障輸出將立即發(fā)出確認(rèn)信號(hào)。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用：
  • 溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C，T A
• 用于降壓、降壓-升壓和升壓拓?fù)涞募?MOSFET
  • 寬輸入電壓：4.5 V 至 65 V
  • 集成 5.2A 和 150mΩ MOSFET
  • 開(kāi)關(guān)頻率 100 kHz 至 2.2 MHz
  • 擴(kuò)頻可降低 EMI
• 高精度功率 FET 調(diào)光
  • 降壓拓?fù)渲懈哌_(dá) 4A 的輸出電流
  • 模擬調(diào)光（調(diào)光比 256 ：1）
  • 快速PWM調(diào)光（150ns脈沖寬度）
  • 混合和靈活調(diào)光
• 完整的保護(hù)功能：
  • 故障輸出
  • LED開(kāi)路和短路保護(hù)
  • 逐周期電流限制
  • 開(kāi)關(guān) FET 故障保護(hù)
  • 熱關(guān)斷
  • 可配置的熱折返曲線

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LP8868-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級(jí)多拓?fù)?a target="_blank">LED驅(qū)動(dòng)芯片系列，支持降壓（Buck）、升壓（Boost）和升降壓（Buck-Boost）拓?fù)?，適用于車載照明、信息娛樂(lè)系統(tǒng)、HUD等場(chǎng)景。關(guān)鍵特性包括：

• ?寬輸入電壓范圍?：4.5V至65V，兼容12V/24V汽車電源系統(tǒng)。
• ?高集成度?：內(nèi)置150mΩ/5.2A MOSFET，支持100kHz至2.2MHz可調(diào)開(kāi)關(guān)頻率，可選擴(kuò)頻功能以降低EMI。
• ?多種調(diào)光模式?：模擬調(diào)光（256:1比例）、PWM調(diào)光（150ns脈寬）、混合調(diào)光及靈活調(diào)光。
• ?全面保護(hù)功能?：LED開(kāi)路/短路保護(hù)、熱折返、過(guò)溫關(guān)斷等，故障時(shí)通過(guò)FAULT引腳輸出信號(hào)。

?2. 型號(hào)與拓?fù)鋵?duì)應(yīng)?

?3. 核心功能詳解?

• ?調(diào)光控制?：
  • ?PWM調(diào)光?：支持最小150ns脈寬，適用于高精度亮度調(diào)節(jié)。
  • ?混合調(diào)光?：高亮度時(shí)采用模擬調(diào)光，低亮度（<12.5%）切換為PWM調(diào)光，優(yōu)化低亮度性能。
  • ?熱折返?：通過(guò)TEMP引腳外接電阻設(shè)置閾值（80°C~150°C），超溫時(shí)自動(dòng)降低輸出電流。
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • 輸入欠壓鎖定（UVLO）、LED開(kāi)路/短路檢測(cè)、MOSFET故障監(jiān)測(cè)等，故障觸發(fā)后自動(dòng)關(guān)閉輸出。

?4. 典型應(yīng)用設(shè)計(jì)?

• ?電感選擇?：根據(jù)拓?fù)涔接?jì)算感值（如Boost需滿足ΔIL<40% IL(max)），推薦飽和電流≥6A。
• ?輸入/輸出電容?：輸入側(cè)需低ESR陶瓷電容（如10μF X7R），輸出電容（如10μF）用于抑制LED電流紋波。
• ?電流檢測(cè)電阻?：RSENSE = VREF(200mV)/ILED(max)，需并聯(lián)電容（Boost/Buck-Boost拓?fù)浔剡x）。

?5. 封裝與布局?

• ?封裝選項(xiàng)?：14引腳VSON（DMT）或12引腳HVSSOP（DGN），均帶散熱焊盤。
• ?PCB布局關(guān)鍵?：
  • 縮短SW走線以減少寄生電感。
  • CSP/CSN走線需平行且遠(yuǎn)離高頻開(kāi)關(guān)路徑。
  • 散熱焊盤需通過(guò)多過(guò)孔連接至底層銅箔。