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?TPS53685雙通道多相控制器技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-09-03 09:14 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS53685雙通道D-CAP+?多相控制器具有跨電感穩(wěn)壓器 (TLVR) 拓撲支持、雙通道、內置非易失性存儲器 (NVM) 和PMBus?接口。該器件完全兼容TI NexFET?智能電源級。完全符合AMD SVI3標準的降壓控制器具有D-CAP+?架構和下沖衰減 (USR) 等高級控制特性,可提供快速瞬態(tài)響應和良好的電流共享,從而最大程度地降低對輸出電容的要求。此外,該器件還提供全新的相位交錯策略和動態(tài)切相功能,可提升不同負載條件下的效率。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS53685雙通道D-CAP+?多相控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TI TPS53685還支持PMBus通信接口,用于向系統(tǒng)報告遙測電壓、電流、功率、溫度和故障情況。所有可編程參數(shù)均可通過PMBus接口進行配置,而且可作為新的默認值存儲在NVM中,以盡可能減少外部組件數(shù)量。

TPS53685器件采用熱增強型40引腳QFN封裝,額定工作溫度為–40°C至125°C。

特性

  • 輸入電壓范圍:4.5V至17V
  • 輸出電壓范圍:0.25V至5.5V
  • 雙輸出,支持N+M相位配置(N+M≤8,M≤4)
  • 支持原生跨電感器穩(wěn)壓器 (TLVR) 拓撲
  • 符合AMD? SVI3標準
  • 增強型D-CAP+控制,具有優(yōu)異的瞬態(tài)性能和出色的動態(tài)電流共享
  • 可編程環(huán)路補償
  • 靈活的相位觸發(fā)順序
  • 動態(tài)切相,可編程電流閾值,優(yōu)化輕重負載時的效率
  • 單獨的相電流校準和報告
  • 快速相位添加,用于瞬態(tài)下沖抑制 (USR)
  • 驅動器配置,實現(xiàn)高效的高頻開關
  • 完全兼容TI NexFET功率級,用于高密度解決方案
  • 精確可調電壓定位
  • 獲得專利的AutoBalance?相位電流均衡
  • 可選擇的每相電流限制
  • PMBus系統(tǒng)界面,用于遙測電壓、電流、功率、溫度和故障狀況
  • 5.00 x 5.00mm 40引腳0.4mm間距QFN封裝

簡化示例應用

1.png

TPS53685雙通道多相控制器技術解析與應用指南?

一、核心特性與創(chuàng)新設計

  1. ?雙通道靈活配置?
    • 支持N+M≤8相(單通道≤4相)的電源拓撲,適用于高密度計算場景,如AMD SVI3兼容的服務器CPU供電系統(tǒng)。
    • 集成TLVR(Trans-Inductor Voltage Regulator)拓撲原生支持,優(yōu)化高頻瞬態(tài)響應能力。
  2. ?D-CAP+?增強控制技術?
    • 通過動態(tài)相位增減(Phase Shedding)實現(xiàn)負載效率優(yōu)化:輕載時自動關閉冗余相位,重載時快速激活相位抑制電壓跌落(Undershoot Reduction技術)。
    • 專利AutoBalance?相位電流平衡算法,確保多相間電流分配誤差<±3%。
  3. ?智能化監(jiān)控接口?
    • 全功能PMBus?接口支持電壓/電流/功率/溫度的實時遙測,可配置報警閾值并存儲至NVM(非易失存儲器)。
    • 提供每相獨立的電流校準與報告功能,便于系統(tǒng)級能效分析。

二、關鍵應用場景

  • ?高性能計算電源?:利用0.25V~5.5V寬輸出范圍及17V輸入耐壓,滿足GPU/FPGA的嚴格供電需求。
  • ?5G基站BBU?:多相并聯(lián)設計(支持8相)可提供>200A的持續(xù)電流輸出,配合可編程電壓定位(Droop Control)降低電容用量。
  • ?邊緣服務器?:Driverless架構減少外部元件,5×5mm QFN封裝適應緊湊型PCB布局。
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