Texas Instruments TPS536C5雙通道多相控制器完全符合AMD SVI3標(biāo)準(zhǔn)，具有雙通道、內(nèi)置非易失性存儲器 (NVM) 和PmBus?接口。TPS536C5與TI NexFET?智能功率級完全兼容。先進(jìn)的控制功能，包括具有欠沖降低 (USR) 功能的D-CAP+?架構(gòu)，可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、低輸出電容和良好的電流分擔(dān)。該設(shè)備提供動態(tài)相位切除和新穎的相位交錯策略，可在不同負(fù)載下提高效率。AMD SVI3還包括可調(diào)節(jié)的VCORE 壓擺率和電壓定位。此外，TI TPS536C5還支持PmBus通信接口，用于向系統(tǒng)報告電壓、電流、功率、溫度和故障情況。為盡量減少外部元件數(shù)量，所有可編程參數(shù)都可通過PmBus接口進(jìn)行配置，并作為新的默認(rèn)值存儲在NVM中。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments TPS536C5雙通道多相控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TPS536C5采用熱增強(qiáng)型48引腳QFN封裝，工作溫度范圍為-40°C至125°C。

特性

• 4.5 V 到 17 V 的輸入電壓范圍
• 0.25 V 到 5.5 V 的輸出電壓范圍
• 雙輸出，支持N+M ≤12個相位，M ≤6個相位
• 原生跨電感電壓調(diào)節(jié)器（TLVR）拓?fù)渲С?/li>
• 符合 AMD SVI3 要求
• 增強(qiáng)型D-CAP+?控制，提供卓越的瞬態(tài)性能和出色的動態(tài)電流分擔(dān)能力
• 可編程環(huán)路補(bǔ)償
• 靈活的相位點(diǎn)火排序
• 采用可編程電流閾值的動態(tài)缺相功能，可優(yōu)化輕載和重載時的效率
• 單個相電流校準(zhǔn)和報告
• 快速相位添加，用于瞬態(tài)下沖抑制 (USR)
• 無驅(qū)動器配置，實現(xiàn)高效的高頻開關(guān)
• 完全兼容TI NexFET?功率級，用于高密度解決方案
• 精確可調(diào)電壓定位
• 獲得專利的AutoBalance?相位電流均衡
• 可選擇的每相電流限制
• PmBus?系統(tǒng)接口，用于遙測電壓、電流、功率、溫度和故障情況
• 6.00mm×6.00mm，48引腳，0.4mm間距，QFN封裝

框圖

德州儀器TPS536C5雙通道多相控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

一、核心特性與產(chǎn)品定位

1. ?軍工級供電性能?
   • 輸入電壓范圍4.5V-17V，輸出范圍0.25V-5.5V
   • 支持N+M≤12相拓?fù)洌▎瓮ǖ雷畲?相）
   • 原生TLVR（Trans-Inductor Voltage Regulator）拓?fù)渲С?/li>
2. ?智能控制架構(gòu)?
   • 集成AMD SVI3接口與PMBus?系統(tǒng)總線
   • D-CAP+?控制架構(gòu)提供：
     • 230ns級動態(tài)響應(yīng)速度
     • AutoBalance?專利相位電流平衡技術(shù)
     • 可編程輕載/重載相位切換閾值
3. ?高集成度設(shè)計?
   • 6×6mm 48引腳QFN封裝（0.4mm間距）
   • 內(nèi)置非易失性存儲器（NVM）存儲配置參數(shù)

二、關(guān)鍵參數(shù)對比

三、典型應(yīng)用設(shè)計

1. 服務(wù)器VRM供電方案

?拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?
[12V輸入] → [TPS536C5] → [NexFET?功率級] → [CPU/GPU負(fù)載]
?設(shè)計要點(diǎn)?：

• 采用8相+4相非對稱配置
• PMBus配置參數(shù)：
  • 電壓定位斜率：0.5mΩ
  • 相位添加閾值：40A
  • 輕載相位關(guān)閉閾值：15A

2. 基站BBU電源管理

• 利用SVI3接口實現(xiàn)：
  • 動態(tài)VCORE電壓調(diào)節(jié)（0.25V-1.8V）
  • 可編程壓擺率（0.5mV/μs-10mV/μs）
• 布局建議：
  • 相位節(jié)點(diǎn)走線寬度≥15mil
  • 電流檢測走線長度匹配公差±50mil

四、寄存器配置詳解

1. ?PMBus關(guān)鍵指令?
   • OPERATION（01h）：通道使能控制
   • VOUT_COMMAND（21h）：輸出電壓設(shè)定
   • PHASE_CONFIG（D3h）：相位數(shù)配置
2. ?NVM編程流程?
   • 發(fā)送STORE_USER_ALL（15h）指令
   • 等待10ms編程周期
   • 驗證NVM_CRC（F0h）校驗值

五、熱設(shè)計與可靠性

1. ?散熱方案?
   • 裸露焊盤需焊接至4層PCB
   • 建議銅箔面積≥6cm2（2oz銅厚）
   • 滿負(fù)載時結(jié)溫需＜110℃
2. ?認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)?
   • 通過IEC 62368-1安規(guī)認(rèn)證
   • 符合AEC-Q100 Grade 2車規(guī)要求