TLC3555-Q1 是一款采用 TI CMOS 工藝制造的單片定時(shí)電路。該定時(shí)器與CMOS、TTL和MOS邏輯完全兼容，工作頻率高達(dá)3MHz甚至更高。TLC3555-Q1 從性能和功能角度改進(jìn)了現(xiàn)有的 TLC555-Q1，具有更嚴(yán)格的規(guī)格容差和附加功能，例如熱關(guān)斷和上電復(fù)位。

TLC3555-Q1 的觸發(fā)、閾值和復(fù)位邏輯遵循與 TLC555-Q1 相同的真值表。將復(fù)位引腳 （RESET） 設(shè)置為高電平以進(jìn)行典型作，或?qū)?fù)位引腳設(shè)置為低電平以復(fù)位觸發(fā)器并強(qiáng)制輸出為低電平。TLC3555-Q1 具有從 RESET 到 VDD 的內(nèi)部上拉電阻，可以減少無(wú)源計(jì)數(shù)并節(jié)省電路板面積。
*附件：tlc3555-q1.pdf

由于傳播延遲低，上升和下降時(shí)間快，TLC3555-Q1 支持比 NE555 和 TLC555-Q1 等以前的定時(shí)器更高頻率的非穩(wěn)態(tài)作。在 15V 電源下，TLC3555-Q1 在 TI 的傳統(tǒng)非穩(wěn)態(tài)測(cè)試電路中實(shí)現(xiàn)了 3.1MHz 的干凈方波。當(dāng)用作振蕩器時(shí)，輸出和輸入連接在一起，TLC3555-Q1 的振蕩頻率為 7.2MHz。電路寄生在高頻響應(yīng)中占主導(dǎo)地位。除了與 TLC555-Q1 引腳兼容的 D 封裝外，TLC3555-Q1 還采用 DDF 封裝，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)潔的實(shí)現(xiàn)，減少寄生效應(yīng)。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用：
  • 溫度等級(jí) 1：–40°C 至 +125°C，TA
• 功能安全功能
  • 可用于幫助功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
• 極低功耗
  • VDD = 5V時(shí)為1mW （典型值）
• 高達(dá) 3MHz 的不穩(wěn)定運(yùn)行
• CMOS輸出能夠擺動(dòng)軌到軌
• 高輸出電流能力
  • 接收器 200mA
  • 電源 50mA
• 輸出與 CMOS、TTL 和 MOS 邏輯完全兼容
• 集成 RESET 上拉至 VDD
• 開機(jī)復(fù)位至已知狀態(tài)
• 集成熱關(guān)斷保護(hù)
• 1.5V至18V的單電源工作

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
TLC3555-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級(jí)高速CMOS定時(shí)器，基于改進(jìn)的TI CMOS工藝，兼容CMOS/TTL/MOS邏輯，工作頻率可達(dá)3MHz以上。作為TLC555-Q1的升級(jí)版，其特性包括：

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：支持-40°C至+125°C工作溫度（Grade 1）。
• ?低功耗?：典型功耗1mW（VDD=5V）。
• ?高輸出驅(qū)動(dòng)能力?：灌電流200mA，拉電流50mA。
• ?集成功能?：內(nèi)置RESET上拉電阻、電源復(fù)位（POR）和熱關(guān)斷保護(hù)。
• ?寬電壓范圍?：?jiǎn)坞娫垂╇?.5V至18V。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?性能提升?：相比NE555/TLC555-Q1，傳播延遲更低，支持更高頻率的無(wú)穩(wěn)態(tài)振蕩（實(shí)測(cè)7.2MHz）。
• ?封裝選項(xiàng)?：提供8引腳SOIC（D）和SOT-23-THIN（DDF）封裝，后者減小寄生效應(yīng)。
• ?功能安全?：提供功能安全設(shè)計(jì)文檔支持。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

• 汽車照明、儀表盤、遠(yuǎn)程信息處理
• 脈沖生成、時(shí)序控制、PWM調(diào)制
• MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

?4. 功能模式與電路設(shè)計(jì)?

• ?單穩(wěn)態(tài)模式?：通過外部觸發(fā)生成固定脈寬信號(hào)，脈寬公式：tw = 1.1 × RA × CT。
• ?無(wú)穩(wěn)態(tài)模式?：通過RA/RB/CT配置振蕩頻率，占空比可調(diào)（需注意高頻下寄生電容影響）。
• ?調(diào)制功能?：通過CONT引腳輸入電壓可調(diào)整閾值/觸發(fā)電平，實(shí)現(xiàn)PWM或PPM。

?5. 電氣參數(shù)?

• ?閾值/觸發(fā)電壓?：分別約為2/3 VDD和1/3 VDD（典型值）。
• ?熱阻?：D封裝θJA=138.9°C/W，DDF封裝θJA=211.3°C/W。
• ?ESD保護(hù)?：HBM ±2000V，CDM ±500V。

?6. 設(shè)計(jì)建議?

• ?布局優(yōu)化?：高頻應(yīng)用需縮短定時(shí)元件走線，減少寄生電容。
• ?電源去耦?：推薦0.1μF陶瓷電容并聯(lián)1μF電解電容。
• ?熱管理?：持續(xù)高電流輸出可能觸發(fā)熱關(guān)斷，需限制瞬態(tài)持續(xù)時(shí)間。

?7. 文檔支持?
包含評(píng)估模塊（EVM）指南、參考設(shè)計(jì)（如汽車LED驅(qū)動(dòng)）及功能安全文檔。