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標(biāo)簽 > MOS

MOS

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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

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MOS簡介

  MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

  一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

  場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

MOS百科

  MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

  一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

  場效應(yīng)管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣柵場效應(yīng)管。

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mos知識(shí)

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mos技術(shù)

多顆MOS并聯(lián)時(shí)熱分布不均,導(dǎo)致個(gè)別器件過熱失效的原因與對(duì)策

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在高功率應(yīng)用中,為了分擔(dān)電流、降低損耗,工程師往往會(huì)將多顆MOSFET并聯(lián)使用。例如在DC-DC電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)或逆變器電路中,通過并聯(lián)MOS實(shí)現(xiàn)更大的電...

2025-10-22 標(biāo)簽:MOSFETMOS器件 25 0

ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管,重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿

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在低壓大電流功率電子領(lǐng)域,MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN...

2025-10-22 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 35 0

MOT (仁懋) MOT1145HD技術(shù)全解析

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在12V/24V工業(yè)電源、低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)等中功率電力電子場景中,MOSFET的導(dǎo)通損耗與電流承載能力直接影響系統(tǒng)能效與穩(wěn)定性。MOT(仁懋)推出的MOT1...

2025-10-21 標(biāo)簽:MOSMOT仁懋電子 83 0

ZK100G08P應(yīng)用全景:TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動(dòng)多場景功率控制升級(jí)

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在功率電子領(lǐng)域,“適配性”與“可靠性”是器件立足市場的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET,以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能...

2025-10-21 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 80 0

MOT (仁懋) MBR10150F 技術(shù)全解析

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在開關(guān)電源、高頻逆變器等中功率電力電子系統(tǒng)中,肖特基整流二極管的正向壓降與浪涌耐受能力直接影響系統(tǒng)能效與可靠性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作...

2025-10-21 標(biāo)簽:MOS仁懋電子 130 0

ZK100G08T:SGT工藝加持的緊湊型MOSFET,賦能中小型功率設(shè)備高效運(yùn)行

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在中小型功率電子設(shè)備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級(jí)的進(jìn)程中,MOSFET作為電能控制的核心器件,其性能與尺寸的平衡成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。中科微電推出的ZK...

2025-10-21 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 101 0

ZG6287A:集成二極管的三相電能調(diào)控芯片,賦能多場景穩(wěn)定運(yùn)行

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在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,高集成度、寬適配性的芯片是推動(dòng)電子系統(tǒng)小型化、高效化的核心動(dòng)力。中科微電推出的ZG6287A芯片,以260V三相輸入規(guī)格為基礎(chǔ),融合7...

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MOT (仁懋) MOT7136T 技術(shù)全解析

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在400V以上高壓工業(yè)電源、100kW級(jí)新能源逆變器等場景中,MOSFET的反向耐壓能力與低損耗特性直接決定系統(tǒng)安全性與能效。MOT(仁懋)推出的MOT...

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在30kW級(jí)工業(yè)電源、60kW直流快充樁等大功率電力電子場景中,MOSFET的電流承載能力與功率密度直接決定系統(tǒng)集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT11...

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新潔能NCE65TF099:高頻開關(guān)性能如何賦能不同產(chǎn)品應(yīng)用?

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mos資訊

半導(dǎo)體“溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基二極管(TMBS)”的詳解;

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【博主簡介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”,系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者,旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的:產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

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探秘ZK100G08G:電子世界的隱形“動(dòng)力心臟”

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2025-10-21 標(biāo)簽:MOS驅(qū)動(dòng)芯片 23 0

中科微電Mos管ZK30N100T:30V低壓大電流領(lǐng)域的性能典范

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中科微電ZK30N100T以30V低壓、90A大電流的精準(zhǔn)參數(shù)組合,結(jié)合低損耗、高穩(wěn)定、易集成的核心優(yōu)勢(shì),在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了廣泛...

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高功率密度65W氮化鎵快充方案:仁懋MOS 1145G開啟快充新紀(jì)元

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金秋九月,全球電力電子盛會(huì)PCIMAsia在上海盛大開幕。方正微電子以“芯”動(dòng)未來,共赴綠色之約為主題,向全球觀眾展示了SiC全系車規(guī)/工規(guī)晶圓、器件及...

2025-09-25 標(biāo)簽:光伏MOSSiC 817 0

決勝電動(dòng)心臟!仁懋MOS產(chǎn)品汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場應(yīng)用

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在電動(dòng)汽車的四大核心系統(tǒng)中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)被譽(yù)為車輛的“電動(dòng)心臟”,其性能直接決定了整車的動(dòng)力性、經(jīng)濟(jì)性和舒適性。隨著新能源汽車市場滲透率持續(xù)提升,這顆“...

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對(duì)話K計(jì)劃系列,第二期主題:二三級(jí)管、MOS管行業(yè)故事(嘉賓:段工)

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對(duì)話K計(jì)劃系列,第二期主題:二三級(jí)管、MOS管行業(yè)故事(嘉賓:Tim張)

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2025-08-21 標(biāo)簽:三極管二極管MOS 246 0

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2025-08-14 標(biāo)簽:芯片MOS仁懋電子 908 0

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  • 加速度傳感器
    加速度傳感器
    +關(guān)注
    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    +關(guān)注
  • 服務(wù)機(jī)器人
    服務(wù)機(jī)器人
    +關(guān)注
    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
  • 四軸飛行器
    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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