仁懋產(chǎn)品T9166T特點

低導通阻抗Rds(on):6.7(type)

內(nèi)置體二極管反向恢復時間148ns

超低反向電容Crss低至346pf@40V

高浪涌能量EAS達2500mJ

外掛仁懋MOT9166T的N MOS

寬工作溫度范圍:-55~175℃

采用 trench工藝使得Id可達81A@100℃

封裝:擁有8腳TOLL以及TOLT雙面散熱等封裝可實現(xiàn)P 2 P

能實現(xiàn)在浪涌事件中不間斷供電，實現(xiàn)負載系統(tǒng)的可持續(xù)運行

MOT9166T應用領域

電機、BMS系統(tǒng)

高壓直流配電系統(tǒng)

工業(yè)、汽車系統(tǒng)浪涌保護

主要參數(shù)——外掛仁懋MOT9166T的優(yōu)點

1. 高EAS

仁懋MOT9166T具高EAS特點，其高達2500mJ 的EAS是的，其在電機、BMS、浪涌防護等需要高浪涌能量承受能力的應用場景中如魚得水；

2.低導通阻抗

仁懋MOT9166T具有低導通阻抗的特點，使得其在搭配LTC433組成主動浪涌防護電路時，能夠進一步降低整個系統(tǒng)能耗提高功率轉(zhuǎn)換；

3.低反向傳輸電容

仁懋MOT9166T具有低反向傳輸電容，這是的仁懋MOT9166T在過壓事件中能夠?qū)崿F(xiàn)快速電壓鉗位進而保護后級電路；

4.電流部分

仁懋MOT9166T具有高達114A@25℃以及81A@100℃的導通電流，這使得仁懋MOT9166能在各式各樣環(huán)境實現(xiàn)高功率應用

5.工作環(huán)境溫度

仁懋MOT9166T具有寬工作溫度特點，這使得能在相對惡劣環(huán)境中也能應用自如；

6.封裝

仁懋MOT9166T具有擁有8腳TOLL以及TOLT雙面散熱等先進封裝既可實現(xiàn)傳統(tǒng)TOLL的P 2 P，同時也能實現(xiàn)高散熱性。

仁懋電子公司介紹

?東仁懋電?有限公司創(chuàng)始于2011年，是國內(nèi)知名的半導體封裝測試?新技術(shù)企業(yè)，國家級專精特新企業(yè)“?巨?”企業(yè)，深圳市瞪羚企業(yè)，致?于為全球電?制造企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)半導體元器件產(chǎn)品。發(fā)展?今，仁懋電?擁有兩??產(chǎn)基地：珠三?惠州?及?三?江蘇鹽城?，建筑?積為60000平??，?前封裝測試?間?積為40000平?，主要封裝形式為SOT、TO系列、PDFN產(chǎn)品封裝。隨著公司的投?和?藝技術(shù)不斷優(yōu)化，品質(zhì)穩(wěn)步提升，先后與業(yè)界知名企業(yè)建?戰(zhàn)略合作關(guān)系，已發(fā)展

成為全國頗具競爭?的功率器件封測企業(yè)。