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• 發(fā)布了文章 2025-10-15 17:41

  高功率密度65W氮化鎵快充方案：仁懋MOS 1145G開啟快充新紀元

  

  在快充技術(shù)飛速發(fā)展的今天，65W功率檔位已成為市場主流，而氮化鎵技術(shù)的出現(xiàn)，正在重新定義充電器的尺寸與效能邊界。仁懋電子推出的MOT1145GMOSFET，以其卓越性能為65W氮化鎵快充方案注入了全新動能。突破性的性能表現(xiàn)仁懋MOT1145G同步整流NMOS采用先進的溝槽工藝，具備100V耐壓`和4.4mΩ的超低導通電阻，電流承載能力高達90A。這一突破性參

  MOS 仁懋電子 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-09-27 10:17

  基于仁懋MOSFET的直流電機驅(qū)動電路：柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化

  

  PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動中的核心作用在直流電機驅(qū)動電路中，MOSFET作為功率開關(guān)器件，其柵極與源極之間存在等效電容（Ciss=Cgd+Cgs),柵極電阻（Rg）的主要作用包括：1.限制柵極驅(qū)動電流：防止驅(qū)動芯片輸出過大電流損壞MOSFET柵極氧化層（通常柵極電壓不超過±20V）2.控制開關(guān)數(shù)度：通過調(diào)節(jié)Rg阻值改變柵極充電/放電速度，影響MO

  MOS MOSFET 仁懋電子 直流電機

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• 發(fā)布了文章 2025-09-17 17:47

  仁懋MOT9166T產(chǎn)品特點及應(yīng)用

  

  仁懋產(chǎn)品T9166T特點低導通阻抗Rds(on):6.7(type)內(nèi)置體二極管反向恢復時間148ns超低反向電容Crss低至346pf@40V高浪涌能量EAS達2500mJ外掛仁懋MOT9166T的NMOS寬工作溫度范圍:-55~175℃采用trench工藝使得Id可達81A@100℃封裝:擁有8腳TOLL以及TOLT雙面散熱等封裝可實現(xiàn)P2P能實現(xiàn)在浪涌

  MOT 二極管 仁懋電子

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-16 14:42

  MOT5N50BD

  

  產(chǎn)品型號：MOT5N50BD

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• 發(fā)布了文章 2025-09-12 11:32

  85V-265V全球電壓通吃！仁懋芯風扇燈方案

  

  一顆“中國芯”的全球之旅：仁懋方案如何撬動風扇燈外貿(mào)市場從安第斯山脈的民居，到東南亞的商超，中國制造的風扇燈正憑“可靠”二字照亮世界。而這份穩(wěn)定的光芒背后，離不開來自仁懋的“電力心臟”。全球消費者正用訂單為中國風扇燈投票，在這片火熱的出口賽道中，產(chǎn)品能否實現(xiàn)長久穩(wěn)定的運行，已成為品牌脫穎而出的關(guān)鍵。決定這些的，往往是隱藏在燈具內(nèi)部、不被普通消費者察覺的供電核

  仁懋電子 電壓

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-09 14:29

  MOT4N90F

  

  產(chǎn)品型號：MOT4N90F

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-09 14:27

  MOT4N80F

  

  產(chǎn)品型號：MOT4N80F

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-09 14:23

  MOT4N80D

  

  產(chǎn)品型號：MOT4N80D

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-09 14:20

  MOT4N70F

  

  產(chǎn)品型號：MOT4N70F

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2025-09-09 14:07

  MOT4N70D

  

  產(chǎn)品型號：MOT4N70D

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