IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì)?。其核心特點(diǎn)包括：

一. ?結(jié)構(gòu)與原理?

?復(fù)合結(jié)構(gòu)?：由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成，通過(guò)柵極電壓控制導(dǎo)通與關(guān)斷?。

?工作方式?：正向柵極電壓形成導(dǎo)電溝道，為PNP晶體管提供基極電流以導(dǎo)通;反向電壓則切斷電流?。

二、基本靜態(tài)參數(shù)

?柵極-發(fā)射極閾值電壓(VGE(th))?

使IGBT導(dǎo)通所需的最小柵極電壓，直接影響器件導(dǎo)通控制?。

?集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat))?

導(dǎo)通狀態(tài)下集電極與發(fā)射極間的壓降，決定導(dǎo)通損耗，需在指定電流和溫度下測(cè)試?。

?集電極-發(fā)射極截止電流(ICES)?

關(guān)斷狀態(tài)下集電極到發(fā)射極的漏電流，表征器件阻斷能力?。

?續(xù)流二極管正向壓降(VF)?

內(nèi)置二極管導(dǎo)通時(shí)的正向電壓，影響反向續(xù)流效率?。

電容相關(guān)參數(shù)

?輸入電容(Ciss)?

柵極-發(fā)射極電容與柵極-集電極電容之和，影響驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)?。

?輸出電容(Coss)?

集電極-發(fā)射極間電容，與開關(guān)過(guò)程中的能量損耗相關(guān)?。

?反向傳輸電容(Crss)?

柵極-集電極電容，影響開關(guān)速度及信號(hào)耦合?。

耐壓與可靠性參數(shù)

?集電極-發(fā)射極阻斷電壓(VCES)?

關(guān)斷時(shí)集電極-發(fā)射極可承受的最大電壓，表征耐壓能力?。

?跨導(dǎo)(gfs)?

柵極電壓對(duì)集電極電流的控制能力，影響導(dǎo)通特性一致性?。

三、測(cè)試方法與設(shè)備

?測(cè)試條件?：需在固定溫度(如25℃及高溫)及穩(wěn)定導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)下進(jìn)行，確保熱平衡?。

?測(cè)試設(shè)備?：如SC5016靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，支持1600A/5000V以下功率器件的自動(dòng)化測(cè)試?。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀SC5016可用于多種封裝形式的大功率二極管 、大功率IGBT模塊、大功率雙極型晶體管，大功率MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，也可用于中小功率單管測(cè)試，幾乎可以測(cè)試1600A(可擴(kuò)展至2000A)，5000V以下的各種功率器件，還可用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，方便操作使用。

中昊芯測(cè)SC5016

中昊芯測(cè)SC5016曲線