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TPS22992x系列負載開關技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-09-24 15:07 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS22992x負載開關是一款具有8.7m Ω功率MOSFET的單通道負載開關,設計用于在高達5.5V、6A的應用中最大化功率密度。可配置上升時間為電源排序提供了靈活性,并最大限度減少了高電容負載下的浪涌電流

數據手冊:*附件:Texas Instruments TPS22992x負載開關數據手冊.pdf

該開關由使能引腳 (ON) 控制,該引腳可直接與低壓GPIO信號 (VIH = 0.8V) 連接。TPS22992x器件有可選的QOD引腳,用于在開關關閉時快速讓輸出放電,并可通過外部電阻器調整輸出下降時間 (tFALL)。器件上電源良好 (PG) 信號在主MOSFET完全打開時指示,可以用于啟用下游負載。

TPS22992x兩款器件均具有熱關斷功能,確保在高溫環(huán)境中提供保護。TPS22992S器件還集成了過電流保護功能,防止在運行或啟動過程中輸出與地短路對器件造成損壞。

Texas Instruments TPS22992采用1.25mm × 1.25mm、0.4mm間距、8引腳WQFN封裝,適用于小尺寸應用。TPS22992S器件采用1.5mm × 1.25mm、0.5mm間距、8引腳WQFN封裝,適用于需要更寬引腳間距的場合。兩款器件均工作在–40°C至+125°C自然通風溫度范圍內。

特性

  • 輸入工作電壓范圍 (V IN )
    • TPS22992:0.1V至5.5V
    • TPS22992S:1V至5.5V
  • 偏置電壓電源 (V BIAS ):1.5V至5.5V
  • 最大持續(xù)電流: 6A
  • 8.7mΩ(典型值)導通電阻 (R ON )
  • 可調轉換速度控制
  • 可調快速輸出放電 (QOD)
  • 開漏電源良好 (PG) 信號
  • 低功耗
    • ON態(tài) (I Q ):10μA(典型值)對于TPS22992
    • ON態(tài) (I Q ):30μA(典型值)對于TPS22992S
    • OFF態(tài) (I SD ):0.1μA(典型值)
  • 短路保護(僅限于TPS22992S)
  • 熱關斷
  • 智能ON引腳下拉 (R PD,ON )
  • 25nA(典型值)ON ≥ VIH (I ON )
  • 500kΩ(典型值)ON ≤ VIL (R PD,ON )

功能框圖

1.png

TPS22992x系列負載開關技術解析與應用指南

產品概述

Texas Instruments的TPS22992x系列是專為高密度電源設計優(yōu)化的高性能負載開關,包含TPS22992和TPS22992S兩個型號。該系列采用先進的MOSFET技術,提供8.7mΩ(典型值)的超低導通電阻,支持最高6A的連續(xù)電流和5.5V的工作電壓。

?關鍵差異?:

  • TPS22992:輸入電壓范圍0.1V至5.5V
  • TPS22992S:輸入電壓范圍1V至5.5V,額外集成短路保護功能

核心特性

  1. ?高效能參數?:
    • 超低導通電阻:8.7mΩ(典型值,VBIAS=5V時)
    • 極低靜態(tài)電流:
      • TPS22992:10μA(典型值)
      • TPS22992S:30μA(典型值)
    • 關斷狀態(tài)漏電流:僅0.1μA(典型值)
  2. ?智能控制功能?:
    • 可調上升時間(通過CT引腳電容配置)
    • 可配置快速輸出放電(QOD)功能
    • 開漏Power Good(PG)信號輸出
    • 智能ON引腳下拉電阻(500kΩ典型值)
  3. ?全面保護機制?:
    • 熱關斷保護(170°C觸發(fā))
    • TPS22992S特有短路保護功能
      • 高閾值短路電流:11A(典型值)
      • 低閾值短路電流:1.5A(典型值)
      • 短路響應時間:5μs(典型值)

典型應用分析

電源時序控制

TPS22992x特別適合多電源系統(tǒng)的時序管理。通過CT引腳外接電容可精確控制上升時間,避免多電源上電時的競爭問題。例如:

  • CT=1000pF時,5V輸入的上升時間約為1430μs
  • CT=4700pF時,可延長至6130μs

計算公式:
tR = VIN × (0.27 × CT + 25.5) + 24.9
(其中tR單位為μs,VIN單位為V,CT單位為pF)

浪涌電流抑制

對于大容性負載場景,可通過調整上升時間有效限制浪涌電流。以47μF負載電容為例:

  • 目標浪涌電流≤200mA時,需設置上升時間≥1175μs
  • 選擇CT=1000pF可滿足要求(實測浪涌電流約190mA)

快速放電應用

QOD功能提供三種配置方式:

  1. 內部電阻放電:QOD直接連接VOUT,利用內部25Ω電阻
  2. 外部電阻放電:通過REXT調節(jié)放電速率
  3. 禁用放電:QOD懸空,輸出保持浮空

設計要點

  1. ?布局建議?:
    • 輸入/輸出電容盡量靠近器件引腳
    • 使用寬走線降低寄生電感影響
    • VBIAS引腳需單獨1.5-5.5V偏置供電
  2. ?熱管理?:
    • 結至環(huán)境熱阻:110°C/W(RXP封裝)
    • 大電流應用時需考慮PCB散熱設計
  3. ?選型指南?:
    • 超低電壓應用選TPS22992(支持0.1V輸入)
    • 需要短路保護選TPS22992S
    • 空間受限選RXN封裝(1.25×1.25mm)

性能曲線解讀

  1. ?導通電阻特性?:
    • 隨溫度升高而增大(25°C至125°C約增加60%)
    • 低偏置電壓時顯著升高(VBIAS=1.5V時約12.7mΩ)
  2. ?時序特性?:
    • 上升時間與輸入電壓成反比
    • 延遲時間相對穩(wěn)定(約500μs)
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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