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如何以高精度、高效率和高保護(hù)的方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 和 IGBT

海闊天空的專欄 ? 來(lái)源:Kenton Williston ? 作者:Kenton Williston ? 2025-10-01 15:13 ? 次閱讀
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作者:Kenton Williston

投稿人:DigiKey 北美編輯

在電動(dòng)汽車 (EV)、可再生能源以及工業(yè)自動(dòng)化需求的推動(dòng)下,電源系統(tǒng)持續(xù)迭代升級(jí)。在此背景下,設(shè)計(jì)人員要在效率、性能與安全性之間取得平衡,面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。雖然絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 和碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 等高壓元器件的集成是實(shí)現(xiàn)這種平衡的關(guān)鍵一步,但這些器件需要能夠提供精確控制、快速切換和強(qiáng)大保護(hù)機(jī)制的柵極驅(qū)動(dòng)器。

本文探討了與驅(qū)動(dòng)現(xiàn)代電源系統(tǒng)相關(guān)的挑戰(zhàn),重點(diǎn)介紹了半橋拓?fù)洹H缓?,介紹了 [Infineon Technologies] 的柵極驅(qū)動(dòng)器和評(píng)估板,這些產(chǎn)品可以幫助克服這些挑戰(zhàn)。

現(xiàn)代半橋拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

隨著行業(yè)朝著更高的開關(guān)頻率、更高的電壓和采用寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體的方向發(fā)展,電源系統(tǒng)面臨著日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。雖然這些進(jìn)步提高了效率,但也對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器提出了更高的要求。

為說(shuō)明不斷升級(jí)的技術(shù)需求,我們以半橋拓?fù)錇槔?,它在諸多應(yīng)用里已成為標(biāo)準(zhǔn)配置。半橋電路在電動(dòng)汽車 DC-DC 車載充電器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中扮演著舉足輕重的角色。該電路支持雙向功率流,這在正常電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)(正向功率流)與再生制動(dòng)(反向功率流)時(shí)都不可或缺。在新型電動(dòng)汽車平臺(tái)向 800V 架構(gòu)轉(zhuǎn)變的進(jìn)程中,對(duì)可靠隔離和保護(hù)機(jī)制的需求愈發(fā)迫切,同時(shí)還需維持開關(guān)精度。

在可再生能源系統(tǒng)中,半橋設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)電網(wǎng)集成所必需的三相逆變器的基礎(chǔ)。SiC MOSFET 和 IGBT 采用的較高開關(guān)頻率提升了能源轉(zhuǎn)換效率,卻也加劇了高壓側(cè)與低壓側(cè)開關(guān)的共模電壓?jiǎn)栴},進(jìn)而引發(fā)嚴(yán)重的電磁干擾 (EMI),這不僅影響系統(tǒng)整體性能,還可能導(dǎo)致違反相關(guān)監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器面臨更多挑戰(zhàn),其中,維持分相電容器布置間直流總線電壓的平衡便是一大難題。此外,當(dāng)前設(shè)計(jì)朝著更緊湊、更高功率密度的方向發(fā)展,這無(wú)疑加劇了熱管理的復(fù)雜性,同時(shí)也使電氣噪聲問(wèn)題愈發(fā)突出。

在所有這些應(yīng)用中,設(shè)計(jì)人員急需適配的柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案,不僅要具備精準(zhǔn)控制、快速開關(guān)的能力,還需擁有全面的保護(hù)功能,同時(shí),還能在高壓與低壓電路間構(gòu)建起可靠的隔離屏障。

專為 IGBT 和 MOSFET 打造的雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器

Infineon Technologies 的 [EiceDRIVER 2ED314xMC12L]系列(圖 1)采用專門用于控制 IGBT 和 MOSFET 的雙通道設(shè)計(jì),來(lái)應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。該系列所有產(chǎn)品都設(shè)有帶死區(qū)時(shí)間控制 (DTC) 的獨(dú)立工作通道,這使得 2ED314xMC12L 器件既能充當(dāng)雙通道低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,也能作為雙通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,或是半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。

Infineon 2ED314xMC12L 系列示意圖(點(diǎn)擊放大)圖 1:2ED314xMC12L 系列設(shè)有帶 DTC 的獨(dú)立工作通道,允許器件作為雙通道低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、雙通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器或半橋柵極驅(qū)動(dòng)器運(yùn)行。(圖片來(lái)源:Infineon Technologies)

在半橋配置中,雙通道架構(gòu)使得單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 能夠高效地控制高壓側(cè)和低壓側(cè)開關(guān)。這種高度集成的設(shè)計(jì)極大地簡(jiǎn)化了印刷電路板 (PCB) 的布局,減少了元件的使用數(shù)量,同時(shí)支持通道間的匹配時(shí)序特性,這對(duì)于維持適當(dāng)?shù)?DTC 和防止擊穿情況至關(guān)重要。

2ED314xMC12L 系列的一個(gè)主要優(yōu)勢(shì)是通過(guò)無(wú)芯變壓器技術(shù)實(shí)現(xiàn)電流隔離。這種方法可以實(shí)現(xiàn)快速信號(hào)傳輸,并且具有極強(qiáng)的抗電磁干擾能力,這在電動(dòng)汽車等電噪聲環(huán)境中至關(guān)重要。

隔離能力通過(guò) UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,可承受 6.84 kVRMS 電壓持續(xù) 1 秒,以及 5.7 kVRMS 電壓持續(xù) 1 分鐘。在可再生能源系統(tǒng)等應(yīng)用中,這種強(qiáng)大的隔離水平對(duì)于防范高壓瞬變極為關(guān)鍵,在這類應(yīng)用中,并網(wǎng)逆變器必須能夠耐受公用事業(yè)級(jí)電壓浪涌。

高輸出、高精度開關(guān)

2ED314xMC12L 系列在多項(xiàng)相關(guān)基準(zhǔn)測(cè)試中表現(xiàn)出色,首當(dāng)其沖的是其具備 6.5 A 的峰值輸出電流。這一高輸出特性對(duì) SiC MOSFET 尤為有利,因?yàn)?SiC MOSFET 需要強(qiáng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)才能實(shí)現(xiàn)高效開關(guān)。

另一個(gè)關(guān)鍵特性是 39 ns 的傳播延遲,這使得精確的時(shí)序控制成為可能。對(duì)于工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用來(lái)說(shuō),這是一個(gè)重要的考量因素,因?yàn)樵谶@些應(yīng)用中,電機(jī)速度和扭矩控制依賴于高精度開關(guān)。

極為嚴(yán)格的部件間傳播延遲偏移,最大僅為 8 ns,這意味著在使用多個(gè)驅(qū)動(dòng)器 IC 時(shí),比如在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中,各部件之間的時(shí)序差異能降至最低。更為嚴(yán)苛的通道間傳播延遲偏移(最大為 5 ns),則有助于避免每個(gè)半橋的開關(guān)之間出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。

最后,額定超過(guò) 200 kV/μs 的共模瞬變抗擾度 (CMTI) 有助于防止因電壓瞬變而導(dǎo)致的誤觸發(fā)。以可再生能源應(yīng)用為例,如此高的瞬態(tài)抗擾度可確保設(shè)備在電網(wǎng)波動(dòng)以及功率流突然變化時(shí)仍能穩(wěn)定運(yùn)行。

確保穩(wěn)定運(yùn)行的可靠性

2ED314xMC12L 系列具有多種保護(hù)功能,可確保在要求苛刻的電源應(yīng)用中可靠運(yùn)行。每項(xiàng)功能均專為解決高壓開關(guān)環(huán)境中可能出現(xiàn)的特定可靠性問(wèn)題而設(shè)計(jì)。

主動(dòng)關(guān)斷和短路箝位屬于必要的保護(hù)手段。在兩個(gè)電源開關(guān)堆疊于直流總線電壓之間的半橋配置中,這些機(jī)制能夠防范擊穿電流。如果兩個(gè)開關(guān)同時(shí)導(dǎo)通,由此引發(fā)的短路狀況極有可能損壞元器件,甚至導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。

另一個(gè)值得關(guān)注的特性是欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)功能,該功能會(huì)創(chuàng)建一個(gè)磁滯“死區(qū)”,即便電壓出現(xiàn)微小波動(dòng),系統(tǒng)狀態(tài)也能維持穩(wěn)定,避免在閾值附近產(chǎn)生振蕩。例如,在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,UVLO 可在部分多云的天氣條件下提供穩(wěn)定運(yùn)行,避免不必要的中斷。一些型號(hào)提供 8.5 V 至 9.3 V 之間的 UVLO,而其他版本則提供 12.5 V 至 13.6 V 之間的保護(hù)。

該系列產(chǎn)品還提供帶有使能引腳的型號(hào),這為緊急關(guān)斷場(chǎng)景增添了一層額外的控制手段。在這些型號(hào)中,每個(gè)數(shù)字輸入引腳都包含一個(gè)下拉電阻,確保當(dāng)引腳出現(xiàn)脫焊或斷開的情況時(shí),引腳會(huì)默認(rèn)進(jìn)入安全狀態(tài),通道隨即被禁用。這一功能在要求高可靠性的應(yīng)用中尤其重要,因?yàn)榧词拱l(fā)生意外故障也必須維持系統(tǒng)完整性。

對(duì)于優(yōu)先考慮較低電流消耗和簡(jiǎn)化控制的應(yīng)用,可提供具有禁用引腳的型號(hào)。這些型號(hào)能讓柵極驅(qū)動(dòng)器在默認(rèn)狀態(tài)下保持激活,以此降低待機(jī)功耗,同時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

[2ED3140MC12L] 是可用選項(xiàng)的一個(gè)示例,它提供 8.5 V 到 9.3 V 之間的磁滯 UVLO 和一個(gè)禁用引腳。相比之下,[2ED3146MC12L] 提供 12.5 V 至 13.6 V 之間的 UVLO 和一個(gè)使能引腳。

高效可靠的封裝

該系列產(chǎn)品采用 PG-DSO-14-71 封裝(圖 2)。這種表面貼裝封裝尺寸為 10.3 x 7.5 mm,對(duì)于高功率雙通道驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),尺寸非常緊湊。在電動(dòng)汽車應(yīng)用中,該封裝可節(jié)省寶貴的動(dòng)力總成空間。

Infineon 2ED314xMC12L 系列圖片圖 2:2ED314xMC12L 系列采用緊湊型 PG-DSO-14-71 封裝。(圖片來(lái)源:Infineon Technologies)

盡管尺寸小,但所有型號(hào)都提供了足夠的間距以確保安全運(yùn)行:8 mm 輸入到輸出和 3.3 mm 通道到通道爬電距離和間隙距離。這些尺寸既符合隔離方面的要求,又能維持在空間有限的設(shè)計(jì)中所必需的緊湊外形規(guī)格。

使用評(píng)估板快速入門

為了簡(jiǎn)化測(cè)試和開發(fā),Infineon Technologies 提供了 [EVAL-2ED3146MC12L] 評(píng)估板(圖 3)。這款半橋板的設(shè)計(jì)初衷,是為了展示 2ED3146MC12L 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 的各項(xiàng)功能。

Infineon EVAL-2ED3146MC12L 評(píng)估板圖片圖 3:EVAL-2ED3146MC12L 評(píng)估板提供半橋設(shè)置來(lái)評(píng)估 2ED3146MC12L。(圖片來(lái)源:Infineon Technologies)

除了柵極驅(qū)動(dòng)器外,這款評(píng)估板還包括兩個(gè) Infineon Technologies [IMZA120R020M1HXKSA1] CoolSiC 溝槽型 MOSFET,以及一個(gè) Infineon Technologies [2EP130R]變壓器驅(qū)動(dòng)器 IC,用于板載電源。這些元器件專門為評(píng)估而設(shè)置,同時(shí)也是實(shí)際設(shè)計(jì)中切實(shí)可行的選擇。

SiC MOSFET 的漏源電壓額定值為 1,200 V,與 2ED314xMC12L 驅(qū)動(dòng) 600 V 至 2,300 V 功率器件的能力完全契合。2ED314xMC12L 的 35 V 絕對(duì)最大輸出電源電壓可以輕松滿足這些 MOSFET 的 18 V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓要求。MOSFET 在 25°C 時(shí)的導(dǎo)通電阻低至 19 mΩ,能夠最大限度地降低導(dǎo)通損耗。

這些 MOSFET 在 +25°C 時(shí)的功率耗散能力為 375 W,工作溫度范圍為 -55°C 到 +175°C,完全滿足高性能電力電子應(yīng)用的要求。柵極驅(qū)動(dòng)器具備 39 ns 的快速傳播延遲,以及 >200 kV/μs 的 CMTI,這使得其能夠?qū)崿F(xiàn)高效的高頻開關(guān)操作,并且在 MOSFET 的整個(gè)工作溫度范圍內(nèi),都能維持可靠穩(wěn)定的運(yùn)行。

2EP130R 變壓器驅(qū)動(dòng)器擁有 50 kHz 至 695 kHz 的寬開關(guān)頻率范圍,與 2ED3146MC12L 的快速傳播延遲協(xié)同工作,成為了柵極驅(qū)動(dòng)器的有力補(bǔ)充。該變壓器驅(qū)動(dòng)器具備高精度的占空比調(diào)整能力(可在 10% 至 50% 之間調(diào)節(jié)),與柵極驅(qū)動(dòng)器精確的時(shí)序特性相得益彰,這一組合對(duì)于在半橋配置中維持最佳的死區(qū)時(shí)間而言至關(guān)重要。

總結(jié)

Infineon Technologies 的 EiceDRIVER 2ED314xMC12L 系列產(chǎn)品,在效率、性能以及安全功能方面實(shí)現(xiàn)了良好的平衡,充分滿足了電動(dòng)汽車、可再生能源以及工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域中高壓應(yīng)用的需求。該系列產(chǎn)品采用緊湊的 PG-DSO-14-71 封裝形式,能夠適應(yīng)空間有限的設(shè)計(jì)方案,而 EVAL-2ED3146MC12L-SiC 評(píng)估板則有助于實(shí)現(xiàn)快速測(cè)試。

審核編輯 黃宇

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    的頭像 發(fā)表于 01-21 11:03 ?2206次閱讀
    Si <b class='flag-5'>IGBT</b>和<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>混合器件特性解析

    供應(yīng)SW3203支持 I2C高效率同步升降壓IC

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    發(fā)表于 11-06 09:12

    智融SW3203支持I2C控制的高效率同步升IC

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    發(fā)表于 10-23 09:46