在萬眾矚目的光刻機“爭霸戰(zhàn)”和牽動神經(jīng)的EDA軟件“斷供”風(fēng)波之外，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的堅實基礎(chǔ)——材料領(lǐng)域，其戰(zhàn)略價值和投資潛力往往被低估。而在眾多半導(dǎo)體核心材料中，濺射靶材堪稱“隱秘的冠軍”。它雖不直接出現(xiàn)在最終產(chǎn)品中，卻如同修建摩天大樓時深埋地下的地基，決定了整個芯片的性能、良率和可靠性。每一次芯片制程的微縮、每一代存儲技術(shù)的堆疊、每一種先進封裝技術(shù)的創(chuàng)新，都意味著對濺射靶材更高的要求和更大的需求。

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格局正在深刻重塑，供應(yīng)鏈安全被提升至前所未有的戰(zhàn)略高度。這片由海外巨頭長期壟斷的“隱秘角落”，正迎來國產(chǎn)替代的歷史性機遇，其背后的投資邏輯清晰而堅定。本文將為您層層剝開半導(dǎo)體濺射靶材的產(chǎn)業(yè)內(nèi)核，探尋其黃金“靶”心下的價值真相。

一、行業(yè)概況：什么是濺射靶材？

半導(dǎo)體濺射靶材是一種用于物理氣相沉積（PVD）工藝中的“源頭活水”，通過磁控濺射技術(shù)將高動能離子束轟擊靶材表面，使靶材原子濺射并沉積在基底（如硅晶圓）上形成均勻的功能薄膜。

其工作原理是在PVD設(shè)備內(nèi)創(chuàng)造一個高真空環(huán)境，充入惰性氣體（通常為氬氣）并施加高壓使其電離形成等離子體。氬離子在電場加速下，以極高能量轟擊靶材表面。通過動量傳遞，將靶材原子或分子“濺射”出來，這些被濺射出的粒子宛如一場精準的原子級“暴風(fēng)雪”，均勻地覆蓋在下方的硅片表面，沉積形成一層僅有納米至微米級厚度、卻至關(guān)重要功能薄膜。

具體到半導(dǎo)體領(lǐng)域，濺射靶材主要用于制造集成電路中的金屬配線層、阻擋層和接觸層，是實現(xiàn)芯片導(dǎo)電、信號傳輸和互連的核心耗材。其核心特性包括超高純度（通常在99.9995%以上，即5N5級別）、高精度尺寸和高微觀結(jié)構(gòu)一致性，以滿足半導(dǎo)體芯片對電性、可靠性和集成度的嚴苛要求。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，濺射靶材主要應(yīng)用于晶圓制造和封裝測試環(huán)節(jié)，是支撐先進制程（如7nm以下）的關(guān)鍵材料之一。

濺射技術(shù)歷經(jīng)多年發(fā)展，從早期簡單形式不斷演進，如今已高度精密化與復(fù)雜化?，F(xiàn)代濺射工藝能實現(xiàn)原子級別的薄膜沉積控制，確保薄膜厚度均勻性、成分精確性及微觀結(jié)構(gòu)完整性，滿足半導(dǎo)體先進制程日益嚴苛要求。例如在7nm及以下制程，對靶材濺射沉積的薄膜均勻度誤差需控制在極小范圍，否則將嚴重影響芯片性能。

二、靶材的分類

靶材按材質(zhì)主要分為金屬靶材（如銅、鋁、鈦等）、合金靶材（如銅錳合金等）、陶瓷靶材（如氧化銦錫ITO等）。

其中，金屬靶材以超高純單質(zhì)金屬為主，包括鋁（Al）、銅（Cu）、鈦（Ti）和鉭（Ta）。鋁靶用于110nm以上制程的導(dǎo)電層，銅靶則用于110nm以下先進制程的互連層，因其導(dǎo)電性更優(yōu)。在阻擋層，鉭靶材憑借高熔點、強化學(xué)穩(wěn)定性有效阻止金屬原子擴散。

合金靶材如鎳鉻合金（NiCr）、鈷鎢合金（CoW），用于接觸層或特定功能層，以優(yōu)化薄膜的電阻率和熱穩(wěn)定性。

陶瓷化合物靶材包括氧化物（如ITO氧化銦錫）、硅化物和碳化物，主要用于阻擋層（如TaN）或絕緣層，防止金屬擴散并提升器件可靠性。

隨著制程向更小尺寸推進，對靶材純度、組織結(jié)構(gòu)均勻性、晶粒尺寸控制等方面要求呈指數(shù)級提升。14nm制程所需靶材純度通常要達到99.9999%（6N）以上，未來3nm 及更先進制程對靶材質(zhì)量要求近乎苛刻，推動靶材技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新升級。

三、產(chǎn)業(yè)鏈分析

上游供應(yīng)：高純金屬與設(shè)備

上游主要涉及原材料供應(yīng)與生產(chǎn)設(shè)備制造。原材料包括各類高純度金屬、非金屬及化合物等。以高純金屬為例，要制備滿足半導(dǎo)體級別的銅靶材，需將銅原料提純至6N 甚至更高純度，這對提純技術(shù)和工藝設(shè)備要求極高。

金屬提純的主要方式有化學(xué)提純與物理提純，化學(xué)提純主要分為濕法提純與火法提純，通過電解、熱分解等方式析出主金屬。物理提純則是通過蒸發(fā)結(jié)晶、電遷移、真空熔融法等步驟提純得到主金屬。

全球范圍內(nèi)高純金屬產(chǎn)業(yè)集中在美國、日本等國家，國產(chǎn)靶材的大部分高純原料依賴進口，銅鈦鋁小部分可以自給。挪威海德魯是全球5N5級高純鋁最大的公司。國內(nèi)少數(shù)企業(yè)已初步具備靶材原料的生產(chǎn)技術(shù)，并大體可分為兩類企業(yè)：一類是原有金屬生產(chǎn)企業(yè)切入高純金屬產(chǎn)品的制備；一類是靶材企業(yè)向上游原料制備延伸，提高附加值。

在設(shè)備方面，關(guān)鍵設(shè)備如高精度熔煉爐、先進粉末冶金設(shè)備、高性能綁定設(shè)備等，其制造技術(shù)多掌握在歐美、日本等發(fā)達國家企業(yè)手中。這些設(shè)備決定靶材生產(chǎn)的效率、質(zhì)量和一致性，對中游靶材制造企業(yè)生產(chǎn)能力和產(chǎn)品品質(zhì)影響重大。

中游制造：技術(shù)密集的核心環(huán)節(jié)

中游是靶材制造環(huán)節(jié)，是整個產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)含量最高、工藝最復(fù)雜部分。制造過程涵蓋熔煉、成型、加工、綁定等多道工序。

熔煉需精確控制溫度、時間和氣氛，確保材料成分均勻性和純度；成型工藝如粉末冶金法、鑄造法等，各自適用于不同材質(zhì)和靶材類型，需依據(jù)靶材性能要求精準選擇；加工環(huán)節(jié)對精度要求極高，靶材尺寸精度誤差需控制在微米級甚至納米級；綁定工藝關(guān)乎靶材與背板連接可靠性，影響濺射過程穩(wěn)定性。

中游企業(yè)需投入大量研發(fā)資源，不斷優(yōu)化工藝、提升產(chǎn)品質(zhì)量和良品率，以滿足下游半導(dǎo)體廠商嚴格要求。

下游鍍膜：濺射鍍膜

鍍膜的主要工藝有物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）。PVD技術(shù)是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導(dǎo)體、顯示面板應(yīng)用廣泛。CVD技術(shù)主要通過化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)引入反應(yīng)室，在襯底表面上進行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。

在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應(yīng)，濺射機臺專用性強、精密度高。濺射鍍膜市場長期被美國、日本跨國集團壟斷。

終端應(yīng)用：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心需求拉動

下游應(yīng)用主要集中在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，包括晶圓制造、晶圓封裝和測試等環(huán)節(jié)。在晶圓制造中，濺射靶材用于形成芯片的金屬互連層、阻擋層、柵極等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，對芯片性能、功耗、集成度等指標起決定性作用。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高性能計算、人工智能、5G 通信等新興領(lǐng)域拓展，對芯片性能要求持續(xù)攀升，進而帶動對高質(zhì)量濺射靶材需求增長。如數(shù)據(jù)中心服務(wù)器芯片為提升運算速度和處理能力，不斷增加芯片晶體管數(shù)量和集成度，這要求靶材能在更小制程下實現(xiàn)更精準薄膜沉積，推動靶材行業(yè)技術(shù)升級和產(chǎn)品迭代。

四、濺射靶材技術(shù)分析

1、靶材制備技術(shù)

靶材制備是保證其性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，不同材質(zhì)和規(guī)格的靶材需采用不同的制備技術(shù)，以下為幾種主要技術(shù)：

（1）熔煉鑄造法

該方法適用于金屬及部分合金靶材的制備。首先將高純度原材料在真空或惰性氣體保護的環(huán)境下進行熔煉，使原材料充分熔融并混合均勻，然后將熔融態(tài)的材料倒入特定的模具中進行鑄造，冷卻后形成靶材坯料。

此方法的優(yōu)勢在于能夠制備較大尺寸的靶材，且生產(chǎn)效率較高。但對于一些高熔點、易氧化的金屬或合金，熔煉過程中需要精確控制溫度和氣氛，以避免材料氧化和成分偏析。例如，在制備高純度鋁靶時，采用真空熔煉鑄造法，可有效減少氣體雜質(zhì)的混入，提高靶材純度。

（2）粉末冶金法

常用于陶瓷靶材和部分難熔金屬靶材的制備。先將原材料制成超細粉末，經(jīng)過篩分、混合等處理后，在高溫高壓下進行燒結(jié)，使粉末顆粒結(jié)合形成致密的靶材。

粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結(jié)法三種方法，通過將各種原料粉混合再燒結(jié)成形的方式得到靶材。該方法能夠精確控制靶材的成分和微觀結(jié)構(gòu)，尤其適用于制備成分復(fù)雜、均勻性要求高的靶材。如氧化銦錫（ITO）靶材，采用粉末冶金法可使銦和錫的氧化物均勻分布，保證靶材的電學(xué)和光學(xué)性能。不過，粉末冶金法對粉末的純度、粒度和形貌要求較高，且燒結(jié)過程的工藝參數(shù)控制難度較大，直接影響靶材的致密度和性能。

（3）沉積法：包括物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）等，主要用于制備薄膜靶材或特殊結(jié)構(gòu)的靶材。PVD法是通過蒸發(fā)或濺射等方式將原材料沉積在基板上形成靶材；CVD法則是利用化學(xué)反應(yīng)在基板表面生成所需的靶材材料。沉積法能夠制備厚度均勻、純度高的靶材，且可實現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)靶材的制備。但該方法生產(chǎn)效率較低，成本較高，適用于對性能要求極高的特殊靶材制備，如用于先進半導(dǎo)體制程的超薄金屬靶材。

2、高純材料提純技術(shù)

高純材料提純技術(shù)是制備高純度濺射靶材的基礎(chǔ)，直接決定靶材的純度和性能，以下為幾種主要提純技術(shù)：

（1）電解精煉法

這是一種常用的提純金屬材料的方法，尤其適用于銅、鎳等金屬。其原理是將待提純的金屬作為陽極，純金屬薄片作為陰極，置于含有該金屬離子的電解液中，通過直流電使陽極金屬溶解，金屬離子在陰極析出，從而實現(xiàn)提純。在電解過程中，陽極中的雜質(zhì)要么進入電解液，要么形成陽極泥沉淀，而純金屬則在陰極不斷沉積。

為提高提純效果，需要精確控制電解溫度、電流密度、電解液濃度等參數(shù)。例如，在提純高純度銅時，通過優(yōu)化電解工藝，可將銅的純度從99.5%提升至99.99%以上。但電解精煉法對于一些難以形成穩(wěn)定離子的金屬或含有難以去除的雜質(zhì)時，提純效果有限。

（2）區(qū)域熔煉法

該方法適用于提純半導(dǎo)體材料和高熔點金屬，其原理是利用材料中雜質(zhì)在固液兩相中的溶解度差異，通過移動加熱源使材料局部熔化形成熔區(qū)，并使熔區(qū)從材料一端向另一端移動，雜質(zhì)被熔區(qū)攜帶至材料末端，從而實現(xiàn)提純。

區(qū)域熔煉法可使材料純度達到6N甚至更高，且具有提純效率高、能有效去除微量雜質(zhì)等優(yōu)點。在實際應(yīng)用中，通過多次區(qū)域熔煉可進一步提高材料純度。例如，鍺、硅等半導(dǎo)體材料的提純常采用區(qū)域熔煉法，能顯著降低材料中的雜質(zhì)含量。不過，該方法對設(shè)備精度要求較高，且生產(chǎn)效率相對較低，適用于小批量、高純度材料的提純。

（3）離子交換法

適用于提純稀土金屬和某些稀有金屬。該方法是利用離子交換樹脂對溶液中不同離子的吸附能力差異，將待提純金屬離子與雜質(zhì)離子分離。首先將含有待提純金屬離子的溶液通過離子交換樹脂柱，金屬離子被樹脂吸附，雜質(zhì)離子則隨溶液流出；然后用適當(dāng)?shù)南疵搫⑽皆跇渲系慕饘匐x子洗脫下來，得到高純度的金屬離子溶液，再通過進一步處理得到純金屬。離子交換法具有選擇性高、能去除微量雜質(zhì)等優(yōu)點，但樹脂的再生和處理成本較高，且生產(chǎn)周期較長。

3、技術(shù)難點與突破方向

（1）靶材純度控制

隨著半導(dǎo)體制程的不斷進步，對靶材純度的要求越來越高，如3nm制程所需靶材純度需達到7N（99.99999%）以上。提高靶材純度的難點在于如何有效去除原材料中的微量雜質(zhì)，尤其是一些與靶材基體金屬性質(zhì)相似的雜質(zhì)元素，常規(guī)的提純方法難以將其徹底去除。

目前，突破方向主要包括開發(fā)新型提純技術(shù)，如區(qū)域熔煉法的改進、離子交換法等，提高雜質(zhì)去除效率；同時，加強對原材料制備過程的質(zhì)量控制，從源頭減少雜質(zhì)的引入。

（2）靶材微觀結(jié)構(gòu)均勻性

靶材的微觀結(jié)構(gòu)均勻性直接影響薄膜的性能和均勻性。對于合金靶材和陶瓷靶材，如何保證成分和晶粒尺寸的均勻分布是一大技術(shù)難點。例如，在銅錳合金靶材中，錳的分布不均勻會導(dǎo)致濺射形成的薄膜電阻率波動，影響芯片性能。

突破方向包括優(yōu)化制備工藝參數(shù)，如熔煉溫度、冷卻速度、燒結(jié)溫度和時間等，控制晶粒的生長和分布；采用先進的微觀結(jié)構(gòu)表征技術(shù)，如高分辨率電子顯微鏡等，實時監(jiān)測靶材的微觀結(jié)構(gòu)，為工藝優(yōu)化提供依據(jù)。

（3）濺射薄膜的均勻性和一致性

在大尺寸晶圓（如 12 英寸晶圓）上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積是濺射技術(shù)的重要挑戰(zhàn)。晶圓不同位置的薄膜厚度、成分和性能差異會影響芯片的良率和性能。導(dǎo)致這一問題的原因包括靶材的不均勻消耗、等離子體分布不均、晶圓與靶材的相對位置偏差等。

突破方向主要有改進靶材的設(shè)計，如采用旋轉(zhuǎn)靶材或非均勻厚度靶材，減少靶材的不均勻消耗；優(yōu)化濺射設(shè)備的結(jié)構(gòu)，如采用多靶位、磁場優(yōu)化等方式，改善等離子體分布；引入先進的實時監(jiān)控和反饋系統(tǒng)，精確控制晶圓與靶材的相對位置和濺射工藝參數(shù)，確保薄膜的均勻性和一致性。

五、市場情況

全球金屬靶材主要包括銅靶材、鉭靶材、鋁靶材、鈦靶材，此外其他金屬靶材還包括鈷、鎢、金、銀、合金等靶材，產(chǎn)值占比較小。其中，鉭靶材市場規(guī)模最大，其價值較高，行業(yè)平均價格為800-1,000萬元/噸之間；此外，全球銅靶材中，銅錳合金靶材價值量較高，且細分市場正在加速增長；鋁靶材市場穩(wěn)定增長，平均價格在40萬元/噸左右。

隨著濺射靶材市場下游應(yīng)用需求的快速增長以及濺射靶材材料技術(shù)的不斷進步，全球濺射靶材市場得到了迅猛發(fā)展。從2018年到2022年，全球濺靶材市場規(guī)模從821億元增長至1,163億元，期間年復(fù)合增長率為9.1%。在預(yù)測期內(nèi)，全球濺射靶材市場規(guī)模預(yù)計將從2023年的1,293億元增長至2027年的1,945億元，預(yù)計年復(fù)合增長率將達到10.7%。

從2018年到2022年，中國半導(dǎo)體行業(yè)濺射靶材的市場規(guī)模從16億元增長到27億元，期間年復(fù)合增長率為14.4%。預(yù)測期內(nèi)，中國半導(dǎo)體行業(yè)濺射靶材市場的市場規(guī)模預(yù)計將從2023年的32億元增長到2027年的57億元，預(yù)計年復(fù)合增長率將達15.8%。

中國晶圓制造濺射靶材市場從10億元增長到19億元，期間年復(fù)合增長率為15.6%。預(yù)測期內(nèi)，中國晶圓制造濺射靶材市場預(yù)計將從2023年的22億元人民幣增長到2027年的41億元人民幣，預(yù)計年復(fù)合增長率將達到16.7%。

市場需求驅(qū)動因素

技術(shù)創(chuàng)新推動：半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)向更小制程、更高集成度邁進，如從14nm向7nm、5nm甚至3nm發(fā)展，每一次制程升級都對靶材性能提出新挑戰(zhàn)與需求。先進制程需要靶材具備更高純度、更均勻微觀結(jié)構(gòu)和更精準濺射沉積控制能力，以確保芯片制造過程中薄膜質(zhì)量和性能，這促使半導(dǎo)體廠商不斷加大對新型靶材研發(fā)和采購?fù)度搿?/p>

新興應(yīng)用領(lǐng)域崛起：5G通信發(fā)展帶動基站建設(shè)和終端設(shè)備對5G芯片需求井噴；人工智能領(lǐng)域訓(xùn)練和推理芯片需求隨 AI 算法復(fù)雜度提升而高速增長；物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備廣泛普及，從智能家居到工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)，各類傳感器、微控制器芯片需求大增。這些新興應(yīng)用領(lǐng)域成為半導(dǎo)體濺射靶材市場新增長點。

產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與國產(chǎn)替代：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向亞洲轉(zhuǎn)移趨勢明顯，中國憑借龐大市場、完善產(chǎn)業(yè)配套和充足人才資源，吸引大量半導(dǎo)體制造產(chǎn)能落戶。同時，國內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)為降低供應(yīng)鏈風(fēng)險、提升本土配套能力，積極推動關(guān)鍵材料國產(chǎn)替代。國內(nèi)靶材企業(yè)在技術(shù)突破基礎(chǔ)上，逐步進入本土半導(dǎo)體廠商供應(yīng)鏈，市場份額不斷擴大，進一步拉動國內(nèi)靶材市場需求。

六、競爭格局

全球競爭格局：寡頭壟斷

全球半導(dǎo)體濺射靶材市場呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，美國、日本等發(fā)達國家企業(yè)憑借先發(fā)優(yōu)勢、深厚技術(shù)積累和強大研發(fā)實力占據(jù)主導(dǎo)地位，美日頭部靶材企業(yè)占據(jù)了全球市場的80%，其中JX日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯分別占比30%、20%、20%和10%。這些企業(yè)擁有從原材料提純、靶材制造到濺射鍍膜完整產(chǎn)業(yè)鏈布局，掌握核心技術(shù)專利，產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性得到全球半導(dǎo)體廠商廣泛認可。

在高端靶材領(lǐng)域，如適用于12英寸晶圓、7nm及以下先進制程靶材，基本被這些國際巨頭壟斷。

國內(nèi)競爭格局：追趕突破

國內(nèi)半導(dǎo)體濺射靶材行業(yè)起步較晚，但近年來發(fā)展迅速，一批本土企業(yè)在技術(shù)研發(fā)和市場拓展方面取得顯著進展。江豐電子、有研新材、阿石創(chuàng)、隆華科技等企業(yè)已成功進入國內(nèi)外知名半導(dǎo)體廠商供應(yīng)鏈體系，實現(xiàn)部分產(chǎn)品進口替代，并在部分領(lǐng)域取得技術(shù)突破。

然而，整體來看，國內(nèi)企業(yè)與國際巨頭相比，在技術(shù)水平、產(chǎn)品種類和市場份額方面仍有差距，尤其在高端靶材領(lǐng)域，國產(chǎn)替代空間巨大。中國企業(yè)的競爭路徑清晰地反映了國產(chǎn)替代的典型模式：從技術(shù)壁壘相對較低的中游加工環(huán)節(jié)切入，逐步向技術(shù)壁壘最高的上游核心材料領(lǐng)域攻堅。

七、未來發(fā)展趨勢

1、技術(shù)創(chuàng)新趨勢

更高純度與質(zhì)量提升：隨著半導(dǎo)體制程向3nm及以下推進，對靶材純度要求將進一步提升至7N（99.99999%）甚至更高。同時，對靶材微觀結(jié)構(gòu)均勻性、晶粒尺寸控制精度等方面要求也將更嚴格，以滿足芯片制造對薄膜質(zhì)量和性能更高標準。企業(yè)需不斷優(yōu)化提純工藝、改進生產(chǎn)設(shè)備，提升靶材質(zhì)量穩(wěn)定性和一致性。

新型材料研發(fā)：為適應(yīng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展，如應(yīng)對芯片性能提升帶來的功耗和散熱問題，新型靶材材料研發(fā)成為趨勢。探索具有更低電阻、更好熱導(dǎo)率和更高穩(wěn)定性材料，如鈷（Co）、釕（Ru）等新型合金材料、化合物材料，以滿足未來芯片制造需求。研發(fā)用于極紫外光刻（EUV）技術(shù)靶材，以適應(yīng)EUV光刻工藝對薄膜沉積特殊要求。

與先進制程匹配：隨著先進制程如3D芯片封裝、異構(gòu)集成等技術(shù)發(fā)展，靶材需與這些新制程工藝緊密配合。研發(fā)適用于3D芯片封裝中垂直互連結(jié)構(gòu)濺射靶材，滿足其對薄膜沉積方向性、均勻性特殊要求；針對異構(gòu)集成技術(shù)，開發(fā)能兼容不同芯片材料和工藝靶材產(chǎn)品。

2、市場需求趨勢

新興應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)拉動：人工智能領(lǐng)域，隨著大模型訓(xùn)練和AI應(yīng)用場景不斷拓展，對高性能計算芯片需求將持續(xù)高速增長，帶動半導(dǎo)體濺射靶材市場需求提升。物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，各類智能設(shè)備連接數(shù)量呈爆發(fā)式增長，對低功耗、高性能芯片需求大增，推動靶材市場規(guī)模擴大。自動駕駛汽車普及，車載芯片在計算能力、安全性等方面要求不斷提高，促使半導(dǎo)體廠商加大研發(fā)和生產(chǎn)投入，拉動靶材需求。

產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與國產(chǎn)替代加速：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向亞洲轉(zhuǎn)移趨勢將延續(xù)，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政策支持、資本投入和人才培養(yǎng)推動下，將保持快速發(fā)展態(tài)勢。國內(nèi)半導(dǎo)體廠商為保障供應(yīng)鏈安全、降低成本，將加快關(guān)鍵材料國產(chǎn)替代步伐。國內(nèi)靶材企業(yè)憑借技術(shù)進步和成本優(yōu)勢，有望在國內(nèi)市場進一步提升份額，并逐步拓展國際市場，推動全球半導(dǎo)體濺射靶材市場格局調(diào)整。

3、產(chǎn)業(yè)整合趨勢

企業(yè)并購與合作：為提升技術(shù)實力、擴大市場份額和完善產(chǎn)業(yè)鏈布局，半導(dǎo)體濺射靶材行業(yè)企業(yè)間并購與合作將日益頻繁。大型企業(yè)通過并購具有技術(shù)優(yōu)勢或市場渠道小型企業(yè)，快速實現(xiàn)技術(shù)整合和業(yè)務(wù)拓展；企業(yè)間通過技術(shù)合作、聯(lián)合研發(fā)等方式，共同攻克技術(shù)難題，降低研發(fā)成本，提高市場競爭力。國際靶材巨頭可能通過并購國內(nèi)有潛力企業(yè)，快速切入中國市場；國內(nèi)企業(yè)也可能通過與國際企業(yè)合作，引進先進技術(shù)和管理經(jīng)驗，提升自身實力。

產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合：部分企業(yè)為保障原材料供應(yīng)穩(wěn)定性、降低生產(chǎn)成本和提升產(chǎn)品質(zhì)量，將加強產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合。向上游拓展至原材料提純領(lǐng)域，確保高純度原材料穩(wěn)定供應(yīng)；向下游延伸至濺射鍍膜服務(wù)，更好了解客戶需求，優(yōu)化產(chǎn)品性能。通過垂直整合，企業(yè)能增強自身在產(chǎn)業(yè)鏈中話語權(quán)和抗風(fēng)險能力，提升整體競爭力。

八、核心投資邏輯

投資半導(dǎo)體濺射靶材，本質(zhì)上是投資其“確定性”。

1、永恒的“賣水人”角色

無論下游芯片設(shè)計公司如何風(fēng)云變幻，無論終端產(chǎn)品是手機、汽車還是AI服務(wù)器，只要芯片還需要金屬互連，就需要濺射靶材。其需求與晶圓制造CAPEX（資本開支）和產(chǎn)能利用率直接強相關(guān)，是半導(dǎo)體行業(yè)的“剛性耗材”，弱化了單個產(chǎn)品周期的波動風(fēng)險。

2、三重壁壘構(gòu)筑的深厚護城河

極高的技術(shù)壁壘、漫長的認證周期和極強的客戶粘性，決定了這是一個新玩家難以進入、老玩家地位穩(wěn)固的行業(yè)。一旦龍頭企業(yè)通過認證并實現(xiàn)批量供應(yīng)，其市場份額和盈利能力將非常穩(wěn)定，護城河會隨時間不斷加深。

3、國產(chǎn)替代的宏大敘事與明確路徑

這是當(dāng)前最強勁的投資驅(qū)動力。國產(chǎn)化率從低個位數(shù)向中高雙位數(shù)提升的過程，蘊含著巨大的業(yè)績彈性。國內(nèi)龍頭企業(yè)的增長并非來自行業(yè)β，而是強烈的α——即侵蝕海外巨頭的市場份額。這條替代路徑清晰可見，且受到產(chǎn)業(yè)政策和資本市場的雙重支持。

4、技術(shù)變革帶來的價值躍遷機遇

投資靶材不能只看當(dāng)下，更要看其在新材料、新應(yīng)用上的布局。能夠緊跟先進制程（鈷、釕靶）、抓住先進封裝（大尺寸、高純銅靶）浪潮的企業(yè)，將獲得更高的價值量和更快的成長速度，實現(xiàn)從“國產(chǎn)替代”到“全球創(chuàng)新”的跨越。

九、國內(nèi)外企業(yè)清單

1、國外主要企業(yè)

（1）日本JX金屬（JX Nippon Mining & Metals）：全球絕對龍頭。在金屬礦產(chǎn)、材料加工等領(lǐng)域?qū)嵙π酆?，是全球半?dǎo)體濺射靶材行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者之一，產(chǎn)品涵蓋多種金屬及合金靶材，在高端靶材市場份額領(lǐng)先，是臺積電、英特爾、三星等全球頂尖晶圓廠的核心供應(yīng)商。

（2）霍尼韋爾（Honeywell）：歷史悠久的老牌王者。美國多元化高科技和制造企業(yè)，在半導(dǎo)體濺射靶材領(lǐng)域技術(shù)先進，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于芯片制造等領(lǐng)域，憑借全球銷售網(wǎng)絡(luò)和品牌影響力，在國際市場占據(jù)重要地位。

（3）東曹（Tosoh）：在高純鈷（Co）、高純鎳（Ni）等特種金屬領(lǐng)域占據(jù)統(tǒng)治地位。是先進邏輯芯片和存儲芯片（如3D NAND）中阻擋層、粘附層材料的關(guān)鍵供應(yīng)商。

（4）普萊克斯（Praxair）：現(xiàn)屬林德集團。在陶瓷靶材（如氮化鈦TiN）、難熔金屬靶材領(lǐng)域?qū)嵙妱拧碛袕姶蟮臍怏w業(yè)務(wù)為其材料合成提供支持。

（5）世泰科 (H.C. Starck)：全球最大的鉭、鈮金屬粉末生產(chǎn)者（2021年被巴斯夫收購）。是上游高純金屬原料的核心玩家，同時也生產(chǎn)靶材。巴斯夫旨在強化其電池材料和芯片材料的全球布局。

（6）住友化學(xué)：在顯示面板用靶材（如ITO）領(lǐng)域是全球領(lǐng)導(dǎo)者，同時在半導(dǎo)體用銅、鉭靶材方面也有深厚積累和客戶基礎(chǔ)。

2、國內(nèi)濺射靶材主要企業(yè)

（1）江豐電子（300666）

國內(nèi)半導(dǎo)體靶材龍頭，專注高純?yōu)R射靶材研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品涵蓋鋁靶、鈦靶、鉭靶等。已掌握超高純金屬濺射靶材核心技術(shù)，在先進制程領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，是全球知名芯片制造企業(yè)核心供應(yīng)商。已實現(xiàn)7nm制程靶材量產(chǎn)，3nm 技術(shù)進入驗證階段，銅及銅合金靶材在臺積電、中芯國際等頭部代工廠的市占率超 20%。

2024年數(shù)據(jù)：營收36.05 億元（同比 + 28%），凈利潤 2.74 億元（同比 + 18%），毛利率 28.17%，研發(fā)投入占比 8.5%。

（2）有研新材（600206）

依托有研集團技術(shù)優(yōu)勢，在稀有金屬材料領(lǐng)域底蘊深厚。靶材業(yè)務(wù)產(chǎn)品種類豐富，涵蓋多種金屬及合金靶材，在國內(nèi)半導(dǎo)體、平板顯示等領(lǐng)域市場份額逐步擴大。與清華大學(xué)聯(lián)合開發(fā)新型釕基阻擋層靶材，適配 3D NAND 堆疊工藝，已送樣長江存儲。

（3）阿石創(chuàng)（300706）

在濺射靶材研發(fā)和生產(chǎn)方面具備一定實力，產(chǎn)品涵蓋金屬靶材、陶瓷靶材等，在國內(nèi)平板顯示、光學(xué)鍍膜等領(lǐng)域有一定市場份額，持續(xù)加大研發(fā)投入，拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域。

鉬靶材全球市占率維持第一（約 25%），銀合金靶材導(dǎo)入京東方 OLED 產(chǎn)線，2024 年出貨量增長 120%。鋁靶、鈦靶進入士蘭微供應(yīng)鏈，2024 年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入占比提升至 18%。

（4）隆華科技（300263）

通過產(chǎn)業(yè)并購等方式進入半導(dǎo)體濺射靶材領(lǐng)域，旗下部分子公司在靶材業(yè)務(wù)上取得進展，產(chǎn)品應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)布局，提升靶材業(yè)務(wù)規(guī)模和盈利能力。

靶材收入占總營收約35%，核心產(chǎn)品為鉬靶、ITO 靶材，客戶包括 TCL 華星、京東方。開發(fā)出用于鈣鈦礦電池的透明導(dǎo)電氧化物（TCO）靶材，2024年實現(xiàn)小批量供貨。

（5）安泰科技（000969.SZ）

聚焦鉭靶、鎢靶，用于半導(dǎo)體封裝及功率器件，客戶包括通富微電、華天科技。與中科院微電子所聯(lián)合開發(fā)氮化鎵（GaN）靶材，適配第三代半導(dǎo)體器件。

財務(wù)情況：2024 年靶材業(yè)務(wù)收入約 8 億元，占總營收 12%，毛利率約 25%。

（6）先導(dǎo)薄膜材料（廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司旗下）

在高純金屬及化合物、濺射靶材等領(lǐng)域有技術(shù)和生產(chǎn)能力，產(chǎn)品在半導(dǎo)體、信息存儲等領(lǐng)域得到應(yīng)用，積極參與國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，推動國產(chǎn)替代進程。

ITO靶材全球市占率超 30%，產(chǎn)能居全球第一，客戶覆蓋三星、LG、京東方。2024年推出G6代AMOLED用高遷移率氧化物靶材，打破日本JSR壟斷。

（7）映日科技

專注于光伏和半導(dǎo)體領(lǐng)域靶材研發(fā)與生產(chǎn)，在光伏用靶材方面具有一定市場地位，同時在半導(dǎo)體靶材領(lǐng)域不斷投入研發(fā)，提升產(chǎn)品技術(shù)水平和市場競爭力 。

ITO靶材占收入 80%，銀合金靶材導(dǎo)入TCL華星，半導(dǎo)體金屬靶材（鋁、銅）送樣士蘭微。2024年底新建半導(dǎo)體靶材廠房投產(chǎn)，預(yù)計2025年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)收入占比提升至 30%。

2024年1-8月數(shù)據(jù)：營收4.13億元，凈利潤7799萬元，毛利率38%。

2025年6月啟動新三板掛牌，擬募資3億元用于半導(dǎo)體靶材研發(fā)。

（8）歐萊新材

在濺射靶材研發(fā)制造方面有自身技術(shù)特點，產(chǎn)品涉及多種材質(zhì)靶材，服務(wù)于半導(dǎo)體、平板顯示等行業(yè)客戶，致力于通過技術(shù)創(chuàng)新提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場份額 。

（9）超卓航科：冷噴涂技術(shù)生產(chǎn)金屬靶材，應(yīng)用于集成電路、液晶顯示，2024 年產(chǎn)能提升至 500 噸/年，其中軍工領(lǐng)域靶材訂單占比超 40%，客戶包括中電科、航天科技。2024 年營收約 3 億元，凈利潤約 0.6 億元，毛利率 45%（估算）

（10）中山智隆新材：2024 年 12 月完成 A 輪融資，專注半導(dǎo)顯示和光伏靶材，客戶包括華星光電、通威股份。韓國技術(shù)團隊加持，IGZO 靶材進入量產(chǎn)階段。

3、國內(nèi)高純金屬企業(yè)

（1）高純鋁：新疆眾和股份有限公司、包頭鋁業(yè)有限責(zé)任公司、貴州鋁業(yè)有限公司、山西關(guān)鋁股份有限公司、霍煤鴻駿高精鋁業(yè)有限責(zé)任公司、宜都東陽光鋁有限公司、上海同創(chuàng)普潤新材料有限公司等

（2）高純銅：有研億金新材料有限公司、寧波微泰真空技術(shù)有限公司、河南國璽超純新材料股份有限公司、江蘇木林升高新材料有限公司等

（3）高純鈦：寧波創(chuàng)潤新材料有限公司、江豐電子等

（4）高純鉭：寧夏東方鉭業(yè)股份有限公司、中鎢稀有金屬新材料（湖南）有限公司等

（5）高純鎢：蘇州鑫灃電子科技有限公司、梅特創(chuàng)意（湖南）制造有限公司、廈門鎢業(yè)、青島和斯威工業(yè)等

結(jié)語：靶定未來，基石之上的產(chǎn)業(yè)新篇

半導(dǎo)體濺射靶材，這片曾被海外巨頭長期籠罩的“隱秘角落”，如今正隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重構(gòu)與國產(chǎn)替代浪潮的奔涌，逐漸走到產(chǎn)業(yè)聚光燈下。它既是芯片制造中 “潤物無聲”的基石，決定著集成電路的性能邊界與良率底線；也是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域 “技術(shù)為王”的縮影，從5N到7N的純度突破、從平面到3D封裝的工藝適配，每一步進階都凝聚著材料科學(xué)與精密制造的智慧。

全球市場的持續(xù)擴容與中國市場的加速追趕，勾勒出清晰的成長曲線 ——一面是下游 AI芯片、5G通信、自動駕駛等新興應(yīng)用對先進靶材的旺盛需求，驅(qū)動技術(shù)迭代不斷提速；另一面是國內(nèi)企業(yè)從“中游加工”向“上游提純”的攻堅突破，在鋁靶、銅靶等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從“可替代”到“優(yōu)質(zhì)替代”的跨越，逐步打破海外寡頭的壟斷壁壘。

對于投資者而言，半導(dǎo)體濺射靶材的價值不僅在于其“賣水人”般的剛性需求屬性，更在于其三重壁壘構(gòu)筑的護城河與國產(chǎn)替代帶來的確定性成長機會。當(dāng)技術(shù)創(chuàng)新的火種持續(xù)點燃（如鈷、釕靶材的突破），當(dāng)產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合的拼圖逐步完善，當(dāng)國內(nèi)企業(yè)在12英寸晶圓、7nm及以下先進制程中站穩(wěn)腳跟，這片“芯片地基”之上，必將生長出更具全球競爭力的產(chǎn)業(yè)森林。

未來已來，靶定核心。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高制程、更復(fù)雜架構(gòu)挺進的征程中，那些能堅守技術(shù)初心、突破材料極限、深度綁定全球產(chǎn)業(yè)鏈的靶材企業(yè)，終將在產(chǎn)業(yè)變革的浪潮中，夯實自身的“靶心”價值，成為支撐中國半導(dǎo)體走向自主可控與全球領(lǐng)先的重要力量。而這份基于產(chǎn)業(yè)邏輯與技術(shù)實力的長期主義，或許正是半導(dǎo)體濺射靶材投資故事中，最值得珍視的底層密碼。

參考資料：

多維資本，濺射靶材和環(huán)氧塑封料EMC：國產(chǎn)HBM突破AI算力的內(nèi)存瓶頸的關(guān)鍵材料列舉 | 多維研究

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