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怎樣去預(yù)防貼片電容漏電流的發(fā)生?

昂洋科技 ? 來源:jf_78940063 ? 作者:jf_78940063 ? 2025-10-09 16:41 ? 次閱讀
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貼片電容作為電子電路中的核心元件,其漏電流問題可能導(dǎo)致信號失真、功耗增加甚至設(shè)備故障。漏電流的產(chǎn)生通常與材料缺陷、工藝偏差或環(huán)境應(yīng)力相關(guān),需從設(shè)計、制造、使用全流程進(jìn)行系統(tǒng)性預(yù)防。以下從技術(shù)原理與實踐角度,提出七大預(yù)防策略。

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一、材料選擇:優(yōu)化介質(zhì)配方與電極材料

漏電流的根本原因在于介質(zhì)層的絕緣性能下降。對于Ⅱ類介質(zhì)(如X7R、Y5V),需嚴(yán)格控制鈦酸鋇(BaTiO?)基陶瓷的摻雜比例,避免過量稀土元素(如Y?O?)導(dǎo)致晶界缺陷。同時,采用高純度鎳電極(純度≥99.9%)可減少金屬離子遷移,降低電化學(xué)腐蝕風(fēng)險。

二、制造工藝:強化燒結(jié)與端接控制

燒結(jié)優(yōu)化:高溫共燒階段需精確控制氧分壓(10??~10??atm),避免鎳電極氧化形成絕緣層。三星電機采用“兩段式燒結(jié)”工藝,先在氮氣中排膠,再切換至氫氮混合氣還原,使介質(zhì)層致密度達(dá)98%以上。

端接防護:端電極鍍層需完整覆蓋瓷體邊緣,防止潮氣侵入。TDK通過“激光封邊”技術(shù),在端接后對瓷體側(cè)壁進(jìn)行激光熔融,形成玻璃態(tài)密封層,將吸濕率降低至0.1%以下。

三、電路設(shè)計:合理布局與降額使用

電壓降額:實際工作電壓應(yīng)低于額定電壓的70%。例如,額定16V的電容在12V電路中使用,可大幅減少介質(zhì)擊穿風(fēng)險。

布局優(yōu)化:避免電容靠近熱源(如功率器件),高溫會加速介質(zhì)老化。建議保持5mm以上間距,并通過仿真軟件驗證熱應(yīng)力分布。

四、環(huán)境管理:控制濕度與污染

防潮處理:在潮濕環(huán)境(RH>85%)中,需對PCB進(jìn)行三防漆涂覆,或選用帶“防潮涂層”的電容(如AVX的F系列)。

污染防控:焊接后需用超聲波清洗去除助焊劑殘留,避免離子污染形成導(dǎo)電通路。IPC標(biāo)準(zhǔn)要求離子污染度≤1.56μg/cm2。

五、測試篩選:嚴(yán)控出廠質(zhì)量

高壓測試:對電容施加1.5倍額定電壓并保持1分鐘,漏電流應(yīng)≤0.01CV(C為容量,V為電壓)。

加速老化:在125℃下加電壓老化1000小時,篩選早期失效產(chǎn)品,將早期失效率(FIT)控制在0.1以下。

六、使用規(guī)范:避免機械應(yīng)力與過載

焊接保護:回流焊溫度曲線需符合廠商推薦值(如245℃±5℃),避免熱沖擊導(dǎo)致瓷體開裂。

機械防護:在振動場景中,需用硅膠固定電容,防止引腳斷裂引發(fā)漏電。

七、失效分析:建立反饋機制

對失效電容進(jìn)行SEM(掃描電鏡)與EDS(能譜分析),定位漏電路徑。若發(fā)現(xiàn)晶界缺陷,需優(yōu)化燒結(jié)工藝;若為電極腐蝕,則需改進(jìn)端接鍍層。

預(yù)防貼片電容漏電流需貫穿產(chǎn)品全生命周期。通過材料創(chuàng)新、工藝精進(jìn)、設(shè)計優(yōu)化與環(huán)境管控,可將漏電流發(fā)生率降低至ppm級別。隨著汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等高可靠性領(lǐng)域?qū)﹄娙菪阅芤蟮奶嵘?,系統(tǒng)性預(yù)防策略將成為行業(yè)標(biāo)配。

審核編輯 黃宇

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