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在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)與日常應(yīng)用中，靜電電容器憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，如高功率密度、快速充放電特性、出色的機(jī)械柔韌性及可靠的失效機(jī)制等，成為先進(jìn)電氣電子系統(tǒng)中不可或缺的關(guān)鍵儲(chǔ)能元件。而聚合物電介質(zhì)作為靜電電容器的核心構(gòu)成部分，因其具備高耐壓能力、低介電損耗以及良好的運(yùn)行穩(wěn)定性，在該領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。

不過(guò)，隨著科技的飛速發(fā)展，工業(yè)生產(chǎn)和日常應(yīng)用對(duì)聚合物薄膜電容器提出了更為嚴(yán)苛的要求，期望其能夠在高溫、高電壓等極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

但現(xiàn)實(shí)情況是，大多數(shù)商用聚合物在面對(duì)高溫時(shí)表現(xiàn)欠佳。當(dāng)溫度攀升，其內(nèi)部電荷的注入、激發(fā)和傳輸過(guò)程變得異?；钴S，導(dǎo)致漏電流呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。這一現(xiàn)象直接引發(fā)了能量密度的降低以及充放電效率的下滑，嚴(yán)重制約了聚合物電介質(zhì)在高溫高功率電氣領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展。

西安交通大學(xué)周迪教授團(tuán)隊(duì)在聚合物基電介質(zhì)儲(chǔ)能領(lǐng)域取得的一系列突破性進(jìn)展，為解決高溫高電壓環(huán)境下電容器性能衰減的世界性難題提供了創(chuàng)新思路。

在電極/電介質(zhì)界面調(diào)控方面，團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造性地開發(fā)了自組裝無(wú)機(jī)納米層涂覆技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)在商用PET薄膜表面沉積含SiO?薄層，并利用P(VDF-HFP)作為分散介質(zhì)和粘結(jié)層增強(qiáng)界面結(jié)合，顯著提升了肖特基勢(shì)壘高度。實(shí)驗(yàn)表明，這種簡(jiǎn)便的表面工程使載流子注入效率降低兩個(gè)數(shù)量級(jí)，在150℃高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣性能。這種界面工程不僅解決了高溫下電極限制傳導(dǎo)的痛點(diǎn)，更為工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)提供了可能路徑。

針對(duì)聚合物體相內(nèi)跳躍傳導(dǎo)導(dǎo)致的漏電難題，團(tuán)隊(duì)另辟蹊徑提出“電子-空穴對(duì)”策略。將P型半導(dǎo)體分子并五苯（PT）引入聚醚酰亞胺（PEI）基體后，PT與PEI分子鏈在異質(zhì)結(jié)界面上形成穩(wěn)定的電子-空穴對(duì)。

這種獨(dú)特的電荷束縛機(jī)制有效抑制了載流子遷移，使復(fù)合薄膜在150℃下的擊穿強(qiáng)度從純PEI的472.8 MV·m?1躍升至683.6 MV·m?1，同時(shí)實(shí)現(xiàn)7.35 J·cm?3的放電能量密度和90%以上的充放電效率。該成果不僅突破了高溫介質(zhì)材料的設(shè)計(jì)瓶頸，更開創(chuàng)了利用半導(dǎo)體分子調(diào)控介電性能的新范式。

進(jìn)一步地，團(tuán)隊(duì)通過(guò)跨尺度協(xié)同調(diào)控策略，實(shí)現(xiàn)了分子尺度與介觀尺度的雙重優(yōu)化。將聚酰亞胺與聚醚酰亞胺共混形成互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，并引入n型有機(jī)半導(dǎo)體1,4,5,8-萘四甲酸二酐作為電荷陷阱中心，同步解決了自由體積塌陷和空間電荷積累兩大頑疾。這種“分子鏈修飾-微觀結(jié)構(gòu)調(diào)控”的協(xié)同作用，使復(fù)合材料在熱-電耦合應(yīng)力下仍保持穩(wěn)定的儲(chǔ)能特性，為開發(fā)全有機(jī)高溫介電材料指明了方向。

在有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合體系研究中，團(tuán)隊(duì)基于前期開發(fā)的弛豫鐵電材料Bi?Ti?WO??，創(chuàng)新性地構(gòu)建了核殼結(jié)構(gòu)BTWO@MgO納米填料。通過(guò)化學(xué)沉淀法精確控制MgO殼層包覆厚度，使BTWO核提供的高極化能力與MgO殼的界面電荷抑制功能完美結(jié)合。

這種核極化-殼絕緣的協(xié)同效應(yīng)，使PEI基復(fù)合材料在150℃下放電能量密度達(dá)到6.24 J·cm?3（較純PEI提升197%），在400 MV·m?1場(chǎng)強(qiáng)下仍保持87.51%的效率，循環(huán)壽命超過(guò)10?次。該設(shè)計(jì)為極端環(huán)境電介質(zhì)提供了可擴(kuò)展的制備方案。

特別值得關(guān)注的是，這些突破均建立在嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臋C(jī)理解析基礎(chǔ)上。團(tuán)隊(duì)通過(guò)第一性原理計(jì)算揭示了SiO?/PET界面的能帶重整化機(jī)制，利用開爾文探針力顯微鏡觀測(cè)到PT分子形成的深能級(jí)陷阱，采用正電子湮沒技術(shù)量化了自由體積尺寸分布。這種“理論模擬-原位表征-性能驗(yàn)證”的研究范式，使各項(xiàng)創(chuàng)新成果兼具科學(xué)深度與應(yīng)用價(jià)值。