隨著新能源汽車滲透率持續(xù)攀升，“充電慢” 仍是用戶核心痛點之一。直流充電樁作為快充場景的核心設備，其電源模塊的效率、體積與可靠性直接決定充電體驗 —— 而PFC(功率因數校正)模塊作為電源模塊的 “能量入口”，正是提升充電效率的關鍵環(huán)節(jié)。

今天大家聊聊 SiC(碳化硅)功率器件如何為充電樁 PFC 模塊 “提質增效”，以及至信微電子打造的適配方案。?

一、為什么 SiC 功率器件成了充電樁 PFC 的 “優(yōu)選”??

傳統(tǒng)充電樁 PFC 模塊多采用硅基 IGBT 或二極管，但隨著充電樁功率向 15KW、20KW 甚至更高等級升級，硅器件的局限性逐漸凸顯：開關頻率低導致模塊體積大、高頻損耗高影響效率，且耐高溫性能不足需額外加強散熱。?

而 SiC 功率器件憑借三大核心優(yōu)勢，完美匹配充電樁 PFC 的需求：?

高頻低損耗：SiC 材料的開關速度是硅的數倍，開關損耗僅為硅器件的 1/10，可顯著降低 PFC 模塊的能量損耗;?

高壓耐高溫：1200V 耐壓等級適配充電樁高壓工況，且能在 200℃以上高溫穩(wěn)定工作，減少散熱設計成本;?

小型化優(yōu)勢：高頻特性允許縮小濾波元件體積，讓 PFC 模塊更緊湊，適配充電樁 “輕量化” 需求。?

二、不同 PFC 拓撲下，至信微 SiC 器件的選型方案?

在直流充電樁領域，不同功率需求對應不同的 PFC 拓撲結構，而器件選型需與拓撲特性深度匹配。浮思特科技在服務客戶過程中，與專注于 SiC 功率器件研發(fā)的至信微達成深度合作，針對兩種主流拓撲梳理出高適配性方案：?

1. 單向 15KW 左右模塊：三相維也納 PFC 拓撲?

三相維也納 PFC 拓撲因結構簡單、諧波抑制效果好，廣泛應用于單向 15KW 等級的充電樁電源模塊。該拓撲對整流器件的耐壓、電流能力要求較高，至信微推薦選用1200V SiC SBD(肖特基二極管) ，具體型號及優(yōu)勢如下：?

SDC20120T2AA(20A)：1200V 耐壓滿足高壓需求，20A 額定電流適配中低功率段，反向恢復損耗極低，提升 PFC 模塊效率至 98% 以上;?

SDC50120T2AS(50A)：50A 大電流規(guī)格覆蓋高功率段需求，采用 TO-247 封裝，散熱性能優(yōu)異，適合長期高負載運行場景。?

實際應用中，這兩款 SiC SBD 可根據模塊具體功率需求靈活選型，既能保證可靠性，又能避免 “大材小用” 造成的成本浪費。

?2. 雙向 20KW 左右模塊：三相全橋 PFC 拓撲?

雙向 20KW 等級的充電樁(支持車輛向電網放電 V2G)多采用三相全橋 PFC 拓撲，該拓撲需要器件同時具備整流與逆變能力，對開關器件的動態(tài)性能要求更高。至信微的1200V SiC MOSFET 憑借優(yōu)異的開關特性，成為該拓撲的理想選擇，推薦型號：?

SMC28N120T4AS(28mΩ)：1200V 耐壓 + 28mΩ 低導通電阻，導通損耗小，適合對效率要求嚴苛的場景，可降低 PFC 模塊溫升;?

SMC32N120T4BA(32mΩ)：32mΩ 導通電阻平衡性能與成本，采用 TO-247-4L 封裝，柵極控制更穩(wěn)定，適配雙向充放電的高頻切換需求。?

我們曾協(xié)助某充電樁客戶將三相全橋 PFC 模塊的硅 IGBT 替換為至信微 SMC28N120T4AS，最終模塊效率提升 2.3%，散熱風扇轉速降低 30%，整體可靠性顯著提升。?

作為至信微電子的合作代理商，浮思特科技不僅深耕電量監(jiān)測、電流傳感等領域，更注重為客戶提供 “一站式功率解決方案”。與至信微的合作，正是基于雙方對充電樁行業(yè)技術痛點的共同理解 —— 我們不僅為客戶提供至信微經過實際驗證的 SiC 器件，還會協(xié)助客戶完成 PFC 模塊的參數匹配、損耗測算與可靠性驗證。?

隨著快充技術向 “超充” 升級，SiC 功率器件在充電樁領域的應用將成為必然趨勢。浮思特科技將持續(xù)依托與 至信微等優(yōu)質合作伙伴的協(xié)同優(yōu)勢，既為行業(yè)分享前沿技術，也為客戶提供從器件選型到方案落地的全流程支持。