STMicroelectronics EVLVIPGAN65DF參考設計(用于VIPERGAN65)是一款24V/65W參考設計,基于VIPERGAN65D高壓轉(zhuǎn)換器,采用隔離式QR反激拓撲進行設置。這款控制器在同一封裝中集成了低壓PWM控制器芯片和700V GaN HEMT。該器件集成了一整套特性,有助于以較短的物料清單設計出高效、低待機功耗的開關(guān)模式電源,從而實現(xiàn)經(jīng)濟高效的快速設計。這些設計包括具有動態(tài)消隱時間的ZVS準諧振操作、前饋補償、谷值同步調(diào)整、低靜態(tài)電流和先進的輕負載管理。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:STMicroelectronics EVLVIPGAN65DF參考設計(用于VIPERGAN65)數(shù)據(jù)手冊.pdf
另外還包含一整套保護特性,可顯著提高終端產(chǎn)品的安全性和可靠性:輸出過壓保護 (OVP)、輸出過載/短路保護 (OLP)、上電/掉電保護和輸入過壓保護 (iOVP)。通過由SRK1001自適應同步整流控制器驅(qū)動的功率MOSFET實現(xiàn)二次側(cè)整流,從而提高系統(tǒng)效率。
特性
示意圖
基于VIPERGAN65D的65W GaN電源適配器參考設計解析?
一、核心器件與設計亮點
STMicroelectronics的EVLVIPGAN65DF參考設計采用?QR反激拓撲?,集成兩大關(guān)鍵器件:
- ?VIPERGAN65D?:700V GaN HEMT與PWM控制器的單芯片解決方案,具備動態(tài)消隱時間ZVS準諧振、饋送補償、谷底同步調(diào)整等特性,待機電流低至μA級。
- ?SRK1001?:次級側(cè)同步整流控制器,驅(qū)動MOSFET(如BSC093N15NS5)替代傳統(tǒng)二極管,提升整機效率至93%以上。
設計優(yōu)勢體現(xiàn)在:
- ?簡化BOM?:僅需47個元件(含變壓器)
- ?寬電壓輸入?:90-264VAC全球兼容
- ?多重保護?:OVP/OLP/輸入過壓/欠壓保護全集成
二、關(guān)鍵電路設計分析
1. 輸入濾波與整流(圖1)
- ?EMI抑制?:雙10mH共模電感(CM)配合X2安規(guī)電容(305VAC)構(gòu)成第一級濾波
- ?浪涌防護?:3.15A保險絲(F1)與壓敏電阻(RV1)組成防護網(wǎng)絡
- ?整流效率優(yōu)化?:采用雙橋式整流(BR1/BR2 Z4DGP408L-HF)降低導通損耗
2. 功率轉(zhuǎn)換部分(圖2)
- ?GaN驅(qū)動配置?:VIPERGAN65D的HV引腳直接連接DC BUS,通過560pF諧振電容(C6)實現(xiàn)谷底開通
- ?變壓器設計?:Wurth 750371658定制變壓器,初級電感量18μH(實測)
- ?同步整流時序?:SRK1001的TOFF引腳外接4.7nF電容(C15)調(diào)節(jié)關(guān)斷延遲
三、典型性能參數(shù)
指標 | 參數(shù)值 | 測試條件 |
---|---|---|
輸出功率 | 65W(持續(xù)) | 230VAC輸入, 25℃環(huán)境 |
峰值效率 | 93.2% | 115VAC輸入, 50%負載 |
待機功耗 | <30mW | 265VAC輸入, 空載 |
輸出電壓精度 | ±1% | 全負載范圍 |
四、應用場景建議
-
隔離式
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高壓轉(zhuǎn)換器
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反激拓撲
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