【2025年10月17日,德國慕尼黑訊】電動汽車充電、電池儲能系統(tǒng)，以及商用、工程和農(nóng)用車輛（CAV）等大功率應(yīng)用場景，正推動市場對更高系統(tǒng)級功率密度與效率的需求，以滿足日益提升的性能預(yù)期。同時，這些需求也帶來了新的設(shè)計挑戰(zhàn)，例如，如何在嚴(yán)苛環(huán)境條件下實現(xiàn)可靠運行，在應(yīng)對瞬態(tài)過載時如何保持穩(wěn)定性，以及如何優(yōu)化整體系統(tǒng)性能。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列。該器件支持更高的直流母線電壓，可實現(xiàn)更優(yōu)異的熱性能、更小的系統(tǒng)尺寸，以及更高的可靠性。

采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET 1400V G2系列

該封裝技術(shù)支持在260°C溫度下進(jìn)行多達(dá)三次回流焊操作，并可在結(jié)溫高達(dá)200°C的條件下實現(xiàn)可靠運行，同時確保出色的峰值電流能力。借助英飛凌.XT互聯(lián)技術(shù)，這些器件在嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境下，依舊可實現(xiàn)更優(yōu)的熱性能以及更強的機械可靠性。全新1400V電壓等級為更快的開關(guān)速度提供了額外裕量，并簡化了過壓保護(hù)措施。這有助于降低對功率降額使用的需求，同時提升整個系統(tǒng)的可靠性。

采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET 1400V G2，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等級涵蓋6至29毫歐（mΩ），適用于對高功率密度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景，例如商用、工程和農(nóng)用車輛（CAVs）、電動汽車充電以及電池儲能系統(tǒng)。英飛凌還提供采用高爬電距離TO-247-4封裝的 CoolSiC MOSFET 1400V系列。該產(chǎn)品組合的RDS(on)等級范圍為11至38mΩ，其器件同樣適用于光伏等應(yīng)用場景。