STMicroelectronics EVLPWD5T60評估板設(shè)計(jì)用于評估PWD5T60 3相高密度功率驅(qū)動(dòng)器的特性。該驅(qū)動(dòng)器具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)N溝道功率MOSFET。該器件支持三分流和單分流電流檢測拓?fù)?，每個(gè)輸出均設(shè)有專用輸入引腳和關(guān)斷引腳。意法半導(dǎo)體 EVLPWD5T60可通過帶狀連接器輕松連接MCU控制板。 該板可通過X-NUCLEO-IHM09M1電機(jī)控制連接器擴(kuò)展板使用34引腳ST morpho連接器連接到STM32 Nucleo板。邏輯輸入兼容CMOS/TTL，低至3.3V，可與控制器件無縫集成。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：STMicroelectronics EVLPWD5T60評估板，用于PWD5T60數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

• 高達(dá)400VDC 高壓軌（受板載大容量電容器限制）
• 輸出電流峰值高達(dá)1.2A（可調(diào)過流保護(hù)閾值）
• 高達(dá)120 W輸出功率
• 電力系統(tǒng)級封裝集成柵極驅(qū)動(dòng)器和高壓功率MOSFET
  • RDS (ON) = 1.38?
  • BVDSS=500 V
• 驅(qū)動(dòng)器輸入電壓范圍：9VDC 至20VDC~~
• 可選單分流或三分流電流檢測拓?fù)?/li>
• 有傳感器或無傳感器FOC或6步算法
• 霍爾效應(yīng)傳感器連接器
• 智能關(guān)斷過流保護(hù)
• 總線電壓檢測
• 用于連接MCU的連接器
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

示意圖

STMicroelectronics EVLPWD5T60評估板技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品核心特性分析

STMicroelectronics EVLPWD5T60評估板是針對PWD5T60三相功率驅(qū)動(dòng)模塊的專業(yè)開發(fā)平臺，其技術(shù)亮點(diǎn)體現(xiàn)在以下方面：

?關(guān)鍵電氣參數(shù)?

• 高壓工作范圍：母線電壓支持高達(dá)400VDC（受限于板上電解電容）
• 驅(qū)動(dòng)能力：峰值輸出電流1.2A，最大輸出功率120W
• 集成式SiP設(shè)計(jì)：將柵極驅(qū)動(dòng)與功率MOSFET整合封裝
  • MOSFET特性：RDS(ON)=1.38Ω，BVDSS=500V
• 靈活供電方案：驅(qū)動(dòng)電路DC輸入范圍9-20V

?系統(tǒng)架構(gòu)優(yōu)勢?

• 支持?雙模式電流檢測?：可配置為三電阻或單電阻拓?fù)?/li>
• 控制算法兼容性：適配FOC（磁場定向控制）和6步換向算法
• 多重保護(hù)機(jī)制：集成過流智能關(guān)斷、母線電壓監(jiān)測功能
• 標(biāo)準(zhǔn)化接口：通過34pin ST morpho連接器兼容STM32 Nucleo開發(fā)板

二、硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)解析

1. 功率級設(shè)計(jì)規(guī)范

評估板采用三相全橋拓?fù)?，關(guān)鍵元件包括：

• 高壓側(cè)自舉電路：C37-C41（470nF/25V）構(gòu)成自舉電容網(wǎng)絡(luò)
• 門極驅(qū)動(dòng)電阻：R62-R64（27Ω）用于控制開關(guān)速率
• 電流檢測電阻：R73-R75（750mΩ/0.5W）提供相電流反饋

2. 安全設(shè)計(jì)考量

• 隔離設(shè)計(jì)：高壓區(qū)（J1/J2）與低壓控制區(qū)物理分隔
• 泄放路徑：R26/R27（470kΩ）實(shí)現(xiàn)母線電容放電
• ESD防護(hù)：所有邏輯輸入引腳配置TVS二極管（D1-D14）

3. 接口定義說明

三、典型應(yīng)用場景實(shí)施

案例1：無感FOC電機(jī)控制

1. ?硬件配置?：
   • 跳線設(shè)置：JP1閉合（啟用3.3V LDO），JP3/5/6斷開（無霍爾模式）
   • 電流檢測：配置為單電阻拓?fù)洌↗P10-12閉合）
2. ?軟件適配要點(diǎn)?：
   • 利用SENSE_OUTx信號進(jìn)行電流重構(gòu)
   • 通過GPIO_BEMF引腳檢測反電動(dòng)勢
   • 過流閾值通過R20（CURRENT_REF）調(diào)節(jié)

案例2：高精度伺服驅(qū)動(dòng)

• 三電阻配置方案：
  • JP8/9斷開，使用R73-R75進(jìn)行獨(dú)立相電流檢測
  • 運(yùn)算放大器TSV912IQ2T構(gòu)成差分放大電路（增益=20k/1.8k≈11.1）
• 霍爾接口應(yīng)用：
  • 連接J6接口至編碼器，配置JP3/5/6為1-2閉合

四、安全操作規(guī)范

?必須遵守的預(yù)防措施?：

1. 高壓操作時(shí)：
   • 使用絕緣工具和測量設(shè)備
   • 設(shè)置物理隔離區(qū)并張貼警示標(biāo)識
   • 斷電后等待≥5分鐘確保電容放電（通過R26/R27）
2. 熱管理要求：
   • 連續(xù)運(yùn)行時(shí)監(jiān)測MOSFET結(jié)溫
   • 環(huán)境溫度超過40℃需強(qiáng)制風(fēng)冷
3. ESD防護(hù)：
   • 操作前佩戴防靜電手環(huán)
   • 避免直接接觸信號引腳

五、設(shè)計(jì)驗(yàn)證建議

?關(guān)鍵測試項(xiàng)目清單?：

1. 電源完整性測試
   • 驗(yàn)證VCC波紋（C4/C5濾波效果）
   • 檢查3.3V LDO輸出穩(wěn)定性（D1穩(wěn)壓）
2. 開關(guān)特性測試
   • 測量柵極驅(qū)動(dòng)波形（TP1-TP8測試點(diǎn)）
   • 評估死區(qū)時(shí)間是否足夠（默認(rèn)150ns）
3. 保護(hù)功能驗(yàn)證
   • 模擬過流觸發(fā)FAULT信號
   • 測試熱關(guān)斷響應(yīng)時(shí)間