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EVLMG4LPWRBR1 GaN功率模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-10-22 16:25 ? 次閱讀
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STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN4L,其可快速創(chuàng)建拓?fù)洌瑹o需完整的PCB設(shè)計。30mm x 40mm寬FR-4 PCB模塊經(jīng)過微調(diào),可用于LLC應(yīng)用,其低側(cè)電阻器設(shè)置為零,外部體二極管與每個半橋GaN并聯(lián)。該模塊還可用于有源鉗位或諧振峰值電流模式反激式應(yīng)用,僅需適當(dāng)調(diào)整低側(cè)檢測電阻器并消除并聯(lián)二極管。

數(shù)據(jù)手冊;*附件:STMicroelectronics EVLMG4LPWRBR1基于GaN的半橋電源模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

PCB中嵌入了兩個6V替代線性穩(wěn)壓器:一個簡易的低成本穩(wěn)壓器和一個更精密的溫度獨立穩(wěn)壓器。由于采用外部自舉二極管和電容器,因此可為VCC、PVCC和Vbo正確供電。該模塊只接受單獨的驅(qū)動信號,通過調(diào)整專用RC濾波器可以調(diào)制延遲時間。

特性

  • 配備MASTERGAN4L的GaN半橋子板,適合用于需要快速喚醒的電源應(yīng)用
  • 嵌入獨立可調(diào)死區(qū)時間,用于LIN和HIN信號
  • 6V板載替代選項
  • 分立式自舉二極管和電容器,用于高頻解決方案
  • 可調(diào)低側(cè)分流器,用于峰值電流模式控制算法
  • 外部并聯(lián)體二極管,滿足LLC應(yīng)用需求
  • 45°C/W結(jié)點至環(huán)境熱阻(無需強制氣流,以評估大型電源拓?fù)?/li>
  • 30mm x 40mm寬FR-4 PCB
  • 符合RoHS指令

示意圖

1.png

EVLMG4LPWRBR1 GaN功率模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

?EVLMG4LPWRBR1?是一款基于MASTERGAN4L的GaN半橋功率模塊,專為高效電源應(yīng)用而設(shè)計。該模塊通過集成完整的功率驅(qū)動解決方案,幫助工程師快速構(gòu)建新型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),無需設(shè)計完整PCB即可實現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換。

二、核心特性分析

2.1 技術(shù)創(chuàng)新特性

  • ?獨立可調(diào)死區(qū)時間?:LIN和HIN信號支持獨立調(diào)節(jié),增強系統(tǒng)靈活性
  • ?雙路6V穩(wěn)壓器選項?:集成低成本與高精度溫度無關(guān)兩種調(diào)節(jié)方案
  • ?高頻解決方案支持?:分立式升壓二極管和電容器設(shè)計
  • ?峰值電流模式控制?:可調(diào)節(jié)低側(cè)分流電阻支持精密電流監(jiān)控
  • ?熱管理優(yōu)化?:45°C/W的結(jié)到環(huán)境熱阻,適合大功率拓?fù)湓u估

2.2 引腳功能詳解

模塊配備15引腳連接器,關(guān)鍵引腳配置如下:

?功率引腳?:

  • VH(引腳1-2):高壓輸入,連接MASTERGAN4L的VS引腳,支持520V推薦工作電壓
  • OUT(引腳4-5):功率輸出,連接負(fù)載設(shè)備(如諧振網(wǎng)絡(luò)、變壓器等)
  • GND(引腳7-8):功率器件參考電壓端

?控制信號引腳?:

  • LIN/HIN(引腳11-12):驅(qū)動信號輸入,最高支持20V輸入范圍
  • SD/OD(引腳9):獨立使能/禁用控制,上拉至VCC
  • SENSE(引腳13):低側(cè)電流信號輸出,支持峰值電流模式控制

三、應(yīng)用場景配置

3.1 LLC諧振變換器應(yīng)用

?配置特點?:

  • 默認(rèn)設(shè)置R17、R18、R19、R20為0Ω,低側(cè)GaN直接連接功率地
  • 并聯(lián)體二極管D6和D7用于最小化電流再循環(huán)期間的電壓降
  • 獨特的快速喚醒時間:首個HIN脈沖后在LIN生成后極速喚醒,確保突發(fā)模式高效率
  • 推薦使用6.2V齊納二極管進行GH和OUTb間鉗位保護

3.2 反激變換器應(yīng)用

?有源鉗位反激?:

  • 需根據(jù)目標(biāo)功率合理選擇檢測電阻R17-R20
  • SENSE引腳連接控制器以閉合峰值電流模式回路
  • 外部體二極管D6、D7可移除,但必須使用D11(6.2V齊納二極管)保護高側(cè)GaN柵極

?諧振反激?:

  • 檢測電阻需根據(jù)輸出功率目標(biāo)精確計算
  • 保持高側(cè)GaN柵極的外部保護配置

3.3 同步逆降變換器應(yīng)用

適用于非隔離逆降變換拓?fù)?,MASTERGAN4L替代傳統(tǒng)開關(guān)元件和二極管。在500W LED驅(qū)動器中已驗證其性能,輸入電壓400V,輸出1.2A LED串電壓范圍150-350V。

四、電路設(shè)計與實現(xiàn)

4.1 電源架構(gòu)

  • ?核心調(diào)節(jié)器?:U1和Q1組成精密6V調(diào)節(jié)器,通過R3和R6電阻設(shè)置
  • ?柵極驅(qū)動供電?:通過二極管D10提供VCC至PVCC(低側(cè)電源)
  • ?高側(cè)驅(qū)動?:外部升壓二極管D2和升壓電容C9提供穩(wěn)定的6V電壓

4.2 信號處理優(yōu)化

-- R12/C15、R11/C16濾波器:有效抑制不需要的毛刺
-- 可調(diào)延遲:通過專用RC濾波器調(diào)制輸入LIN和HIN驅(qū)動信號的延遲時間

五、熱管理與布局設(shè)計

5.1 物理規(guī)格

  • ?PCB尺寸?:30×40mm FR-4基板
  • ?熱阻特性?:Rth(J-A) = 45°C/W(無強制風(fēng)冷條件)

5.2 布局建議

雙面PCB設(shè)計確保:

  • 優(yōu)化的元件布局實現(xiàn)最佳熱分布
  • 高密度功率驅(qū)動器的緊湊實現(xiàn)
  • 散熱路徑的合理規(guī)劃

六、關(guān)鍵元器件選型指南

根據(jù)物料清單(BOM),重點器件包括:

?半導(dǎo)體器件?:

  • U3:MASTERGAN4L(9×9×1mm QFN封裝)
  • D2、D6、D7:STTH1R06A整流器(600V-1A)
  • D11:6.2V齊納二極管(高側(cè)GaN柵極保護)

?被動元件?:

  • C9:47nF升壓電容(0603封裝)
  • C7:100nF電容器(1812封裝,630V耐壓)
  • R17-R20:檢測電阻(0805封裝,150V耐壓)

七、設(shè)計注意事項

7.1 保護策略

  • 始終配置高側(cè)GaN柵極保護(D11)
  • 考慮EMI優(yōu)化,可選用緩沖網(wǎng)絡(luò)C12和R10(PCB底面安裝)

7.2 性能優(yōu)化

  • 檢測電阻阻值需根據(jù)具體應(yīng)用功率需求精確計算
  • 熱設(shè)計必須考慮環(huán)境溫度和諧振網(wǎng)絡(luò)特性
  • 驅(qū)動信號時序需嚴(yán)格遵循手冊推薦值
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