該ADS9810是一個八通道數(shù)據(jù)采集(DAQ)系統(tǒng),基于同步采樣、18位逐次逼近寄存器(SAR)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。該ADS9813為每個通道提供完整的模擬前端 (AFE),并帶有輸入鉗位。該器件還具有 1MΩ 輸入阻抗和具有用戶可選帶寬選項的可編程增益放大器 (PGA)。高輸入阻抗允許直接與傳感器和變壓器連接,從而消除了對外部驅(qū)動電路的需求。配置ADS9813以接受±12V、±10V、±7V、±5V、±3.5V和±2.5V雙極性輸入,輸入共模電壓高達±12V。
支持1.2V至1.8V工作的數(shù)字接口使ADS9813無需外部電壓電平轉(zhuǎn)換器即可使用。
*附件:ads9810.pdf
特性
- 8通道、18位ADC,帶模擬前端:
- 同時采樣
- 恒定的 1MΩ 輸入阻抗前端
- 可編程模擬輸入范圍:
- ±12V、±10V、±7V、±5V、±3.5V和±2.5V
- 單端和差分輸入
- 共模電壓范圍:±12V
- 輸入過壓保護:高達 ±18V
- 用戶可選擇的模擬輸入帶寬:
- 22.7kHz 和 700kHz
- 集成低漂移精度基準:
- ADC基準電壓源:4.096V
- 2.5V 基準輸出,用于外部電路
- 全通量下的出色交流和直流性能:
- DNL:±0.35LSB,INL:±0.8LSB
- 信噪比:90.3dBFS,總諧波擾:–113dB
- 電源:
- 模擬和數(shù)字:5V 和 1.8V
- 數(shù)字接口:1.2V 至 1.8V
- 溫度范圍:–40°C 至 +125°C
參數(shù)
方框圖
一、產(chǎn)品基礎(chǔ)信息與核心差異對比
ADS9810、ADS9811、ADS9813 同屬 ADS981x 系列,核心架構(gòu)均為 18 位 8 通道同步采樣 ADC,共享集成模擬前端、寬輸入范圍等特性,主要差異集中在采樣速率與功耗,具體參數(shù)對比如下:
參數(shù)分類 | 參數(shù)名稱 | ADS9810 | ADS9811 | ADS9813 | 系列共同特性 |
---|---|---|---|---|---|
基礎(chǔ)性能 | 最大采樣速率 | 1MSPS / 通道 | 1MSPS / 通道 | 2MSPS / 通道 | 1. 18 位分辨率無失碼,INL±0.8LSB(典型值)、DNL±0.35LSB(典型值),全溫度范圍(-40°C 至 125°C)INL 最大 ±4LSB2. 集成模擬前端:每通道含輸入鉗位(支持 ±18V 過壓保護)、PGA(可編程增益)、低通濾波器(22.7kHz/700kHz 可選)3. 寬輸入特性:支持 ±2.5V/±3.5V/±5V/±7V/±10V/±12V 雙極性輸入,共模電壓范圍 ±12V,輸入阻抗恒定 1MΩ4. 低噪聲性能:低帶寬模式下 SNR 典型 90.3dBFS,THD 典型 - 113dBc,無雜散動態(tài)范圍(SFDR)102dB5. 內(nèi)置基準:4.096V ADC 基準(溫度漂移 7-20ppm/°C)、2.5V 外部基準輸出(REFOUT_2V5),支持內(nèi)外基準切換6. 數(shù)字接口:支持 2 路 / 4 路 CMOS 輸出,SDR/DDR 模式,數(shù)據(jù)隨機化功能(降低地彈噪聲) |
基礎(chǔ)性能 | 典型總功耗(滿速) | 177mW | 177mW | 244mW | |
電源與電流 | AVDD_5V 電流(滿速) | 21.3-25mA | 21.3-25mA | 28.3-32mA | |
電源與電流 | VDD_1V8 電流(滿速) | 35-43mA | 35-43mA | 52-70mA | |
信號處理 | 模擬輸入帶寬(-3dB) | 低帶寬 22.7kHz / 寬帶寬 221-700kHz | 低帶寬 22.7kHz / 寬帶寬 221-700kHz | 低帶寬 22.7kHz / 寬帶寬 221-700kHz |
二、關(guān)鍵功能特性詳解
1. 模擬前端與輸入特性
1.1 輸入保護與范圍配置
- 輸入鉗位保護 :每通道集成鉗位電路,可承受 ±18V 過壓,過壓時鉗位電流≤±10mA,需串聯(lián)電阻限制電流;支持 AC/DC 耦合,輸入電壓范圍 - 17V 至 17V(工作)、-18V 至 18V(絕對最大)。
- 可編程輸入范圍 :通過寄存器(0xC2/C3)獨立配置每通道輸入范圍,支持 ±2.5V(LSB=19.07μV)至 ±12V(LSB=91.55μV),適配不同幅值信號采集。
- 共模電壓控制 :支持 ±1V/±RANGE/2/±6V/±12V 共模范圍,通過 CM_CTRL_EN(0xC5 [4])與 CM_RNG_CHx(0xC4 [9:6])配置,滿足寬共模場景需求。
1.2 信號調(diào)理模塊
- 可編程增益放大器(PGA) :集成 PGA 用于信號增益調(diào)節(jié),配合輸入范圍配置實現(xiàn)不同幅值信號適配,增益精度高,增益誤差最大 ±0.038% FSR,溫度漂移最大 3ppm/°C。
- 低通濾波器(LPF) :每通道含可配置 LPF,支持兩種帶寬模式:
- 低帶寬模式:固定 22.7kHz,適合低噪聲高精度采集;
- 寬帶寬模式:隨輸入范圍變化(±2.5V 時 221kHz 至 ±7V 時 700kHz),適合中高頻信號采集。
- 輸入阻抗特性 :輸入阻抗恒定 1MΩ,不受采樣速率、輸入范圍影響,無需外部驅(qū)動電路,可直接連接傳感器或變壓器。
2. 數(shù)據(jù)處理與接口功能設(shè)計
2.1 數(shù)據(jù)平均與隨機化
- 數(shù)據(jù)平均 :支持兩種平均模式,提升 SNR:
- 簡單平均:2 倍平均,輸出速率降至 1/2(如 ADS9813 從 2MSPS 降至 1MSPS),SNR 提升至 113dB;
- 移動平均:無輸出速率損失,通過 EN_MVG_AVG(0x0D [0])使能,適配需保持速率的場景。
- 數(shù)據(jù)隨機化 :通過 XOR_EN(0x12 [3])使能,將 ADC 結(jié)果與 PRBS bit 或自身 LSB 異或,降低數(shù)字接口地彈噪聲對模擬性能的干擾。
2.2 數(shù)字接口
- 接口模式 :支持 2 路 / 4 路 CMOS 輸出,SDR/DDR 數(shù)據(jù)速率,通過 DATA_LANES(0xC1 [9])與 DATA_RATE(0xC1 [8])配置:
- 4 路 DDR:ADS9813 滿速時 DCLK=48MHz,每通道數(shù)據(jù)分 4 路輸出;
- 2 路 DDR:ADS9813 滿速時 DCLK=96MHz,每通道數(shù)據(jù)分 2 路輸出;
- 數(shù)據(jù)格式:18 位結(jié)果以 24 位數(shù)據(jù)包輸出(MSB 優(yōu)先,后 6 位補 0),支持二進制 / 二進制補碼(DATA_FORMAT,0x0D [13])。
- 同步功能 :通過 SMPL_SYNC 引腳實現(xiàn)多器件同步采樣,需在 SMPL_CLK 下降沿前后滿足 10ns 建立 / 保持時間,確保多 ADC 通道對齊。
2.3 特殊工作模式
- 掉電模式 :支持全局掉電(PD_CHIP,0xC4 [0])與通道組掉電(PD_CH,0xC0 [1:0]),掉電時 AVDD_5V 電流降至 0.2-2mA,VDD_1V8 電流降至 0.2-8mA,降低功耗。
- 速升模式(Speed-Boost) :僅 ADS9813 支持,選擇 1 組通道對(如 CH1&CH8、CH2&CH7 等),采樣速率提升至 8MSPS,其他通道閑置,適配高速率單組通道采集場景。
3. 基準與溫度傳感器
3.1 基準配置
- 內(nèi)部基準 :默認啟用 4.096V 內(nèi)部基準,REFIO 引腳輸出,需外接 10μF 陶瓷去耦電容,基準電壓范圍 4.092V-4.1V,輸出阻抗 1kΩ。
- 外部基準 :通過 PD_REF(0xC1 [11])禁用內(nèi)部基準,REFIO 引腳接入 4.088V-4.104V 外部基準(推薦 REF7040),需同樣外接 10μF 去耦電容,提升精度。
- 2.5V 基準輸出 :REFOUT_2V5 引腳提供 2.5V 基準,用于外部電路,需外接 10μF 去耦電容,溫度漂移低,適配高精度外部調(diào)理電路。
3.2 溫度傳感器
- 集成 10 位溫度傳感器 :用于監(jiān)測器件內(nèi)部溫度,通過固定寄存器序列讀?。?
- 向 Bank2 的 0x92 寄存器寫入 0x0002,加載溫度數(shù)據(jù);
- 讀取相關(guān)寄存器獲取溫度值,轉(zhuǎn)換公式為,測量范圍覆蓋工作溫度區(qū)間。
三、電氣規(guī)格詳情(典型值,TA=25°C,AVDD_5V=5V,VDD_1V8=1.8V)
3.1 供電與電流特性
器件型號 | AVDD_5V 電流(滿速) | AVDD_5V 電流(掉電) | VDD_1V8 電流(滿速) | VDD_1V8 電流(掉電) | IOVDD 電流(滿速) | IOVDD 電流(掉電) |
---|---|---|---|---|---|---|
ADS9810 | 21.3-25mA | 0.2-2mA | 35-43mA | 0.2-8mA | 4-7mA | 0.1-2mA |
ADS9811 | 21.3-25mA | 0.2-2mA | 35-43mA | 0.2-8mA | 4-7mA | 0.1-2mA |
ADS9813 | 28.3-32mA | 0.2-2mA | 52-70mA | 0.2-8mA | 5-10mA | 0.1-2mA |
3.2 AC 性能指標(低帶寬模式,fIN=2kHz,±12V 輸入)
AC 性能參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
---|---|---|---|---|
信噪比(SNR) | 88.1 | 90.3 | - | dBFS |
信號噪聲失真比(SINAD) | 88 | 90.2 | - | dB |
總諧波失真(THD) | - | -113 | - | dBc |
無雜散動態(tài)范圍(SFDR) | - | 102 | - | dB |
共模抑制比(CMRR) | -70 | - | - | dB |
通道隔離度(Crosstalk) | -100 | - | - | dB |
模擬輸入帶寬(-3dB) | - | 22.7 | - | kHz |
3.3 數(shù)字接口電氣特性
接口類型 | 參數(shù)名稱 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
---|---|---|---|---|---|---|
CMOS 輸入(CS/SCLK/SDI) | 低電平輸入電壓(VIL) | - | -0.3 | - | 0.3×IOVDD | V |
CMOS 輸入(CS/SCLK/SDI) | 高電平輸入電壓(VIH) | - | 0.7×IOVDD | - | IOVDD | V |
CMOS 輸出(D0-D3/SDO) | 低電平輸出電壓(VOL) | IOL=200μA | 0 | 0.2×IOVDD | - | V |
CMOS 輸出(D0-D3/SDO) | 高電平輸出電壓(VOH) | IOH=200μA | 0.8×IOVDD | IOVDD | - | V |
采樣時鐘輸入 | 差分高電平(VTH) | AC 耦合 | 100 | - | - | mV |
采樣時鐘輸入 | 差分低電平(VTL) | AC 耦合 | - | - | -100 | mV |
采樣時鐘輸入 | 共模電壓(VICM) | - | 0.5 | 1.2 | 1.4 | V |
四、寄存器配置體系
器件包含 3 個寄存器組(Bank 0/1/2),核心寄存器功能分類如下:
4.1 Bank 0:基礎(chǔ)配置寄存器
寄存器地址 | 寄存器名稱 | 核心功能 | 關(guān)鍵字段說明 |
---|---|---|---|
0x00 | 復(fù)位與 SPI 模式寄存器 | 器件復(fù)位、SPI 模式選擇 | - RESET(bit0):1b 時復(fù)位所有寄存器- SPI_MODE(bit2):0b 菊花鏈模式,1b 傳統(tǒng)模式- SPI_RD_EN(bit1):1b 使能寄存器讀(僅傳統(tǒng)模式) |
0x01 | 菊花鏈長度寄存器 | 配置 SPI 菊花鏈設(shè)備數(shù)量 | - DAISY_CHAIN_LEN(bit6-2):0=1 個 ADC,31=32 個 ADC |
0x03 | 寄存器組選擇寄存器 | 選擇待操作寄存器組 | - REG_BANK_SEL(bit7-0):0=Bank0,2=Bank1,16=Bank2 |
0x04 | 初始化配置寄存器 | 器件初始化控制 | - INIT_1(bit3-0):初始化寫 0011b,正常運行寫 0000b |
4.2 Bank 1:功能配置寄存器
寄存器地址 | 寄存器名稱 | 核心功能 | 關(guān)鍵字段說明 |
---|---|---|---|
0x0D | 數(shù)據(jù)格式與平均控制寄存器 | 數(shù)據(jù)格式、平均使能 | - DATA_FORMAT(bit13):0 = 二進制,1 = 二進制補碼- EN_AVG(bit6):1b 使能數(shù)據(jù)平均- EN_MVG_AVG(bit0):1b 使能移動平均 |
0x12 | 數(shù)據(jù)隨機化控制寄存器 | 數(shù)據(jù)異或使能與模式 | - XOR_EN(bit3):1b 使能數(shù)據(jù)異或- XOR_PRBS(bit4):0 = 與 PRBS 異或,1 = 與自身 LSB 異或 |
0xC0 | 帶寬與通道掉電寄存器 | 輸入帶寬、通道掉電 | - ANA_BW(bit9-2):0 = 低帶寬,1 = 寬帶寬(每 bit 對應(yīng) 1 個通道)- PD_CH(bit1-0):0 = 正常,1=CH5-8 掉電,2=CH1-4 掉電,3 = 全掉電 |
0xC1 | 基準與接口配置寄存器 | 基準選擇、接口模式 | - PD_REF(bit11):1b 禁用內(nèi)部基準- DATA_LANES(bit9):0=4 路輸出,1=2 路輸出- DATA_RATE(bit8):0=DDR,1=SDR |
0xC2/C3 | 輸入范圍配置寄存器 | 每通道輸入范圍 | - RANGE_CHx(bit15-12/11-8 等):0=±5V,1=±3.5V,2=±2.5V,3=±7V,4=±10V,5=±12V |
0xC4 | 共模與平均配置寄存器 | 共模范圍、平均參數(shù) | - CM_CTRL_EN(bit4):1b 使能自定義共模范圍- CM_RNG_CHx(bit9-8/7-6):0=±RANGE/2,1=±6V,2=±12V- AVG_CFG1/2(bit1/5-4):配置簡單平均參數(shù) |
0x37 | 速升模式控制寄存器 | 速升模式使能與通道選擇 | - EN_BOOST(bit0):1b 使能速升模式- BOOST_CH_SEL(bit2-1):選擇通道對(0=CH1&CH8,1=CH2&CH7 等) |
五、應(yīng)用設(shè)計與布局建議
5.1 典型應(yīng)用場景
該系列 ADC 主要面向多通道高精度數(shù)據(jù)采集,具體場景包括:
- 半導(dǎo)體測試設(shè)備 :多通道電壓 / 電流測量,需寬輸入范圍與高線性度;
- 參數(shù)測量單元(PMU) :Force-Voltage/Current 模式下的高精度采樣,支持多路 DUT(被測器件)并行測試;
- 可編程直流電源 :多通道輸出電壓 / 電流監(jiān)測,需低噪聲與高穩(wěn)定性。
5.1.1 PMU 應(yīng)用方案
- 電路結(jié)構(gòu) :PMU 輸出經(jīng)分流電阻轉(zhuǎn)換為電壓信號,通過多路復(fù)用器(MUX)切換至 ADC 輸入,ADC 每通道獨立配置輸入范圍(如 ±5V 用于電流采樣,±12V 用于電壓采樣),采用低帶寬模式提升 SNR;FPGA 接收 ADC 數(shù)據(jù)并實現(xiàn)校準算法,補償 offset 與 gain 誤差。
- 關(guān)鍵參數(shù) :校準后總未調(diào)整誤差(TUE)<0.0015%(25°C±5°C),寬帶寬模式下階躍建立時間 7.5μs(99.95% FS),適配快速通道切換需求。
5.2 電源與布局設(shè)計要點
5.2.1 電源配置
- 供電體系 :需三路獨立電源,模擬電源(AVDD_5V)4.75-5.25V,為模擬前端供電;核心數(shù)字電源(VDD_1V8)1.75-1.85V,為 ADC 核心與數(shù)字邏輯供電;接口電源(IOVDD)1.15-1.85V,為數(shù)字接口供電,無上電順序要求。
- 去耦配置 :AVDD_5V、VDD_1V8、IOVDD 引腳均需并聯(lián) 1μF+0.1μF 陶瓷電容,且靠近引腳布局;REFIO 與 REFOUT_2V5 引腳分別外接 10μF 去耦電容,降低基準噪聲。
5.2.2 PCB 布局準則
- 分區(qū)布局 :將模擬部分(AINxP/AINxM、REFIO、REFOUT_2V5)與數(shù)字部分(D0-D3、DCLKOUT、SPI 接口)嚴格分區(qū),模擬信號路徑避免穿越數(shù)字區(qū)域,減少 EMI 干擾。
- 輸入布線 :模擬輸入差分對(AINxP/AINxM)需等長布線,長度差≤5mil,遠離電源噪聲源;輸入串聯(lián)電阻(如 50Ω)限制過壓電流,配合電容構(gòu)成抗混疊濾波器。
- 接地處理 :暴露熱焊盤(Thermal Pad)必須接地,GND 與 REFM 單點連接,采用獨立接地平面;電源平面與接地平面緊密耦合,降低電源噪聲。
六、封裝與訂購信息
6.1 封裝規(guī)格
- 封裝類型 :56 引腳 VQFN(型號 RSH),尺寸 7mm×7mm,引腳間距 0.5mm,最大高度 1mm,暴露熱焊盤(面積約 5.2mm×5.2mm)用于散熱,熱阻參數(shù):RθJA=23.2°C/W,RθJB=6.1°C/W。
- 焊接要求 :MSL 等級 3(260°C 峰值回流,168 小時濕敏存儲),推薦焊盤直徑 0.4mm,鋼網(wǎng)厚度 0.125mm,熱焊盤焊接覆蓋率≥70%,確保散熱效率。
-
數(shù)據(jù)采集
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