意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics) M24M01E-F 1-Mbit串行I2C總線EEPROM的布局為28K × 8位，電壓范圍為1.6V至5.5V。意法半導(dǎo)體 M24M01E-F還具有1MHz（或更低）的時(shí)鐘頻率，可承受-40 °C至+85°C的溫度。M24M01E-F提供三個(gè)8位寄存器，器件類型標(biāo)識(shí)符 (DTI) 寄存器永久鎖定在只讀模式下。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：STMicroelectronics M24M01E-F 1Mb串行ILOCK總線EEPROM數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• I^2C^接口
  • 兼容以下I^2C^總線模式
    • 1MHz（快速模式+）
    • 400kHz（快速模式）
    • 100kHz（標(biāo)準(zhǔn)模式）
• 存儲(chǔ)器
  • 1Mbit (128KB) EEPROM
  • 256字節(jié)頁面大小
  • 額外256字節(jié)識(shí)別頁面
• 供應(yīng)管理
  • 寬電壓范圍：1.6V至5.5V
• 溫度
  • 工作溫度范圍：-40°C至+85°C
• 性能
  • 增強(qiáng)型ESD/閉鎖保護(hù)
  • 超過4百萬次寫入循環(huán)
  • 數(shù)據(jù)保留超過200年
  • 快速喚醒時(shí)間（小于5μs）
• 寫入周期時(shí)間快
  • 4ms內(nèi)字節(jié)和頁面寫入（3ms典型值）
• 超低功耗電流消耗
  • 待機(jī)模式下為350nA（典型值）
  • 讀取電流：100μA（典型值）
  • 寫入電流：400μA（典型值）
• 高級(jí)特性
  • 可配置設(shè)備地址寄存器
  • 預(yù)編程器件地址（按需）
  • 軟件寫保護(hù)寄存器
  • 整個(gè)內(nèi)存陣列的硬件寫保護(hù)
  • 隨機(jī)和順序讀取模式
• 封裝
  • SO8N
  • TSSOP8
  • UFDFPN8 (ECOPACK2)
  • WLCSP5 5焊球

邏輯圖

?M24M01E-F 1Mb I2C EEPROM 關(guān)鍵技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?1. 產(chǎn)品概述?

?M24M01E-F? 是意法半導(dǎo)體推出的一款 ?1Mbit? 串行 ?I2C 總線 EEPROM?，采用 ?128K × 8 位? 的組織結(jié)構(gòu)，支持 ?1.6V 至 5.5V? 的寬電壓供電，工作溫度范圍為 ?**-40°C 至 +85°C**?。其核心特點(diǎn)包括：

• ?可配置器件地址?（CDA 寄存器）
• ?軟件寫保護(hù)寄存器?（SWP）
• ?預(yù)編程器件地址?（可選）
• ?256 字節(jié)獨(dú)立識(shí)別頁?（可永久鎖定為只讀）
• ?兼容三種 I2C 模式?：標(biāo)準(zhǔn)模式（100kHz）、快速模式（400kHz）、快速模式+（1MHz）。

?2. 關(guān)鍵特性詳解?

?2.1 低功耗與高性能?

• ?待機(jī)電流?：350 nA（典型值）
• ?讀寫電流?：100 μA（讀）/ 400 μA（寫）
• ?快速寫入周期?：字節(jié)/頁寫入時(shí)間 ?**≤4ms**?（典型值 3ms）
• ?數(shù)據(jù)保存期限?：?200 年以上?
• ?寫入耐久性?：超過 ?400 萬次?（每組 4 字節(jié)循環(huán)計(jì)數(shù)）。

?2.2 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)?

• ?主存儲(chǔ)陣列?：128 Kbyte（1 Mbit）
• ?頁大小?：256 字節(jié)
• ?識(shí)別頁?：獨(dú)立 256 字節(jié)空間，支持鎖定保護(hù)。

?3. 高級(jí)功能寄存器?

? 3.1 器件類型標(biāo)識(shí)寄存器（DTI） ?

• 工廠預(yù)編程為 ?10110001b?，永久鎖定為只讀模式。
• 用于在設(shè)備選擇碼中定義器件類型地址。

? 3.2 可配置器件地址寄存器（CDA） ?

• 用戶可通過 ?C2、C1 位? 配置 4 種片選地址（00/01/10/11）。
• ? 器件地址鎖定位（DAL） ?：設(shè)置為 1 時(shí)永久凍結(jié) CDA 寄存器。

? 3.3 軟件寫保護(hù)寄存器（SWP） ?

• ? 寫保護(hù)激活位（WPA） ?：0=禁用保護(hù)，1=啟用保護(hù)。
• ? 塊保護(hù)位（BP1、BP0） ?：
  • (0,0)：保護(hù)存儲(chǔ)器的前 1/4
  • (0,1)：保護(hù)前半部分
  • (1,0)：保護(hù)前 3/4
• ? 保護(hù)模式鎖（WPL） ?：設(shè)置為 1 時(shí)永久鎖定 SWP 寄存器。

?3.4 識(shí)別頁?

• 可獨(dú)立讀寫，支持通過鎖定指令永久設(shè)為只讀。

?4. 硬件保護(hù)機(jī)制?

• ? 寫控制引腳（WC） ?：
  • ?高電平?：所有寫入操作禁用
  • ?低電平/懸空?：寫入操作允許。

?5. I2C 通信協(xié)議操作?

?5.1 寫入操作?

• ?字節(jié)寫入?：單字節(jié)寫入后觸發(fā)內(nèi)部寫入周期。
• ?頁寫入?：最多 256 字節(jié)單次寫入（需位于同一頁）。

?5.2 讀取操作?

• ?隨機(jī)地址讀?：通過偽寫入加載地址，再啟動(dòng)讀指令。
• ?順序讀?：連續(xù)讀取自動(dòng)遞增地址的數(shù)據(jù)。

?6. 電源管理?

• ?上電復(fù)位?：VCC 達(dá)到內(nèi)部閾值前不響應(yīng)指令。
• ?掉電保護(hù)?：在待機(jī)模式下進(jìn)行掉電操作。

?7. 封裝選項(xiàng)?

• ?SO8N?（150 mil 寬度）
• ?TSSOP8?（169 mil 寬度）
• ?UFDFPN8?（DFN8, 2×3 mm）
• ?WLCSP5?（5 球 wafer 級(jí)芯片規(guī)模封裝）。

?8. 典型應(yīng)用場景?

• ?物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備?：存儲(chǔ)設(shè)備配置參數(shù)（識(shí)別頁鎖定保護(hù)）。
• ?工業(yè)控制器?：通過 SWP 寄存器保護(hù)關(guān)鍵參數(shù)。
• ?電池供電設(shè)備?：利用超低待機(jī)電流延長續(xù)航。