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三星、海力士推遲或致內(nèi)存價格下降緩慢

中國半導體論壇 ? 來源:未知 ? 作者:工程師曾暄茗 ? 2018-09-09 09:24 ? 次閱讀
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內(nèi)存價格已經(jīng)連續(xù)上漲兩年多,業(yè)內(nèi)普遍預測到今年第四季度將逐步回歸正常,但還沒來得及興奮,壞消息就來了。據(jù)臺媒援引業(yè)內(nèi)消息稱,三星電子、SK海力士都計劃推遲工廠擴建、產(chǎn)能擴充計劃,原因是客戶需求正在變緩,會導致DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年明顯下滑,這自然是他們不想看到的。

近期,DRAM內(nèi)存合約價出現(xiàn)了明顯的走低跡象,預計到今年第四季度隨著供應充足、供過于求,DRAM合約價會開始大幅度下降。

NAND閃存方面,盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季,但今年全球市場供應仍然很充足,64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升,但由于筆記本、智能手機市場都相當飽和,需求增長有限。同時,渠道供應鏈內(nèi)堆積了大量NAND閃存芯片,進一步導致價格下滑,預計合約價會在今年第三季度環(huán)比下降10-15%,超出預期,第四季度則會再降15%。對于廠商和渠道而言,DRAM內(nèi)存、NAND閃存的價格在2019年上半年都會面臨很大壓力,當然對消費者而言就是好事了。目前,三星已經(jīng)減緩了3D NAND閃存產(chǎn)能的擴充,新的生產(chǎn)線要推到明年上半年才會上線,同時暫停了在韓國華城、平澤新建1ynm DRAM內(nèi)存芯片工廠的計劃。在此之前,三星曾計劃從今年第三季度開始,將DRAM內(nèi)存芯片每個月的產(chǎn)能輸出擴大3萬塊晶圓。SK海力士也同樣大大推遲了3D NAND閃存芯片產(chǎn)能擴充的計劃。簡而言之,內(nèi)存、閃存(SSD)的價格在未來都會慢慢下降,但因為源頭的刻意控制,不要指望太大的降幅了。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:完了!三星、海力士推遲擴產(chǎn)了!

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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