動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-09-19 09:34
別讓“隱形殺手”毀了你的設(shè)備性能
1“隱形殺手”逐個(gè)抓No.1殺手一號:散熱材料不給力散熱材料作為散熱系統(tǒng)的核心組成部分,其性能優(yōu)劣直接決定了設(shè)備的散熱效果。常見的散熱材料有金屬、導(dǎo)熱硅脂、石墨烯等,它們各自有著獨(dú)特的特性和導(dǎo)熱原理,但在實(shí)際應(yīng)用中,也都存在著一些問題。金屬是一種常用的散熱材料,像銅和鋁,它們具有較高的導(dǎo)熱系數(shù),能夠快速地將熱量傳導(dǎo)出去。銅的導(dǎo)熱性僅次于銀,且易于獲取和加工,332瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-18 21:51
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發(fā)布了文章 2025-09-18 15:01
未來半導(dǎo)體先進(jìn)封裝PSPI發(fā)展技術(shù)路線趨勢解析
PART.01先進(jìn)封裝通過縮短(I/O)間距與互聯(lián)長度,大幅提升I/O密度,成為驅(qū)動芯片性能突破的關(guān)鍵路徑。相較于傳統(tǒng)封裝,其核心優(yōu)勢集中體現(xiàn)在多維度性能升級與結(jié)構(gòu)創(chuàng)新上:不僅能實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存帶寬、更優(yōu)的能耗比與性能表現(xiàn),還可將芯片厚度做得更薄,同時(shí)支持多芯片集成、異質(zhì)集成及芯片間高速互聯(lián),完美適配當(dāng)下半導(dǎo)體器件對高密度、高速度、低功耗的需求。在先進(jìn)封裝的技 -
發(fā)布了文章 2025-09-17 07:21
一文讀懂功率半導(dǎo)體DESAT保護(hù)的來龍去脈
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于功率電子系統(tǒng)Desat保護(hù)的解析-「SysPro電力電子」知識星球節(jié)選-原創(chuàng)文章,非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語:在電力電子領(lǐng)域,IGBT和MOSFET等開關(guān)器件的安全運(yùn)行至關(guān)重要。其中,Desat保護(hù)作為一種關(guān)鍵的安全保護(hù)機(jī)制,對于防止器件因過載或短路而損432瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-16 08:20
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發(fā)布了文章 2025-09-16 06:30
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發(fā)布了文章 2025-09-15 06:00
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發(fā)布了文章 2025-09-14 18:42
ABF膠膜:半導(dǎo)體封裝的“隱形核心”與國產(chǎn)突圍戰(zhàn)(附投資邏輯)
在人工智能、5G通信、高性能計(jì)算和自動駕駛技術(shù)飛速發(fā)展的今天,芯片已成為推動全球科技進(jìn)步的核心引擎。然而,在每一顆高端芯片的背后,都離不開一項(xiàng)被稱為“隱形核心”的關(guān)鍵材料——ABF膠膜(AjinomotoBuild-upFilm)。這種由日本味之素公司幾乎壟斷的環(huán)氧樹脂基絕緣薄膜,雖不為人熟知,卻是實(shí)現(xiàn)芯片高密度互2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-09-12 06:32
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發(fā)布了文章 2025-09-09 07:20
散熱底板對 IGBT 模塊功率循環(huán)老化壽命的影響
摘要:功率半導(dǎo)體模塊通常采用減小結(jié)殼熱阻的方式來降低工作結(jié)溫,集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效選擇。兩種封裝結(jié)構(gòu)的熱阻抗特性不同,可能對其失效機(jī)理及應(yīng)用壽命產(chǎn)生影響。該文針對平板基板和集成Pin-Fin基板兩種常見車規(guī)級IGBT模塊進(jìn)行了相同熱力測試條件(結(jié)溫差100K,最高結(jié)溫150℃)下的功率循環(huán)試驗(yàn),結(jié)果表明,散熱更強(qiáng)的Pin-Fin模塊功1.7k瀏覽量