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• 發(fā)布了文章 2025-10-24 16:21

  MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

  

  一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無線充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，以超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷為核心技術(shù)亮點(diǎn)，且采用無鉛鍍層工藝，滿足環(huán)保合規(guī)要求。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（V????）最大100V，柵源電壓（V?????）最大±20V

  MOS MOT 仁懋電子

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• 發(fā)布了文章 2025-10-24 15:59

  MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

  

  一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗、小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn)，且為無鉛產(chǎn)品，滿足環(huán)保合規(guī)要求。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（V????）最大-30V，柵源電壓（V?????）范圍±

  MOS MOSFET 仁懋電子

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• 發(fā)布了文章 2025-10-24 11:27

  MBR10200A 肖特基勢(shì)壘整流器技術(shù)解析

  

  一、產(chǎn)品概述MBR10200A是仁懋電子（MOT）推出的10A肖特基勢(shì)壘整流器，具備低正向壓降、高浪涌電流容量等技術(shù)特性，適配TO-220、TO-220F、TO-263多種封裝形式，聚焦高效整流、高可靠性功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，可滿足工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子等領(lǐng)域?qū)﹄娔苻D(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性的雙重需求。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓承載能力：峰值反向電壓（VR）達(dá)200V，可在200

  MOS 仁懋電子 整流器

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• 發(fā)布了文章 2025-10-24 11:14

  MOT3910J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

  

  一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子（MOT）推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯片內(nèi)，適配高頻功率轉(zhuǎn)換、同步整流等對(duì)空間與性能均有要求的場(chǎng)景，在小型化布局中實(shí)現(xiàn)雙路功率控制。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（VDS）最大30V，柵源電壓（VGS）最大20V；連續(xù)漏極電流（ID

  MOS MOSFET 仁懋電子

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• 發(fā)布了文章 2025-10-24 10:22

  MOT2165J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

  

  MOT2165J是仁懋電子（MOT）推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性和小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn)。一、核心參數(shù)與技術(shù)意義電壓電流特性：漏源電壓（VDS）最大20V，適配20V及以下低壓電路；連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)55A，脈沖漏極電流（IDM）可至200A，能滿足

  MOS MOSFET 仁懋電子

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• 發(fā)布了文章 2025-10-23 17:32

  MOT2045D 20A 肖特基勢(shì)壘整流器技術(shù)解析：高效整流的可靠之選

  

  在開關(guān)電源、高頻整流等高效電力電子場(chǎng)景中，肖特基整流器憑借低正向壓降、快開關(guān)速度的優(yōu)勢(shì)成為核心器件之一。本文針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT2045D型號(hào)，從參數(shù)特性、工藝設(shè)計(jì)到應(yīng)用場(chǎng)景展開深度剖析，為高效整流系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品定位與封裝設(shè)計(jì)MOT2045D是一款20A肖特基勢(shì)壘整流器，采用TO-252封裝，包裝規(guī)格為2500片/卷，適配規(guī)?；a(chǎn)

  MOS 仁懋電子 整流器

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• 發(fā)布了文章 2025-10-23 11:23

  MOT8576T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析：大功率場(chǎng)景的性能標(biāo)桿

  

  在大功率電力電子系統(tǒng)中，MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與熱管理能力直接決定系統(tǒng)的可靠性與能效。本文聚焦仁懋電子（MOT）的MOT8576T型號(hào)，從參數(shù)特性、工藝設(shè)計(jì)到應(yīng)用場(chǎng)景展開深度剖析，為大功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品定位與封裝設(shè)計(jì)MOT8576T是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用表面貼裝封裝，集成先進(jìn)溝槽單元（Supertrench）與to

  MOS MOSFET 仁懋電子

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• 發(fā)布了文章 2025-10-23 11:17

  MOT3150J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析：參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景

  

  在中低壓功率轉(zhuǎn)換與高頻開關(guān)領(lǐng)域，N溝道MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)能效與可靠性。本文針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT3150J型號(hào)，從電氣參數(shù)、特性優(yōu)勢(shì)到實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景展開深度剖析，為工程師選型與系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品基本定位與封裝設(shè)計(jì)MOT3150J是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L封裝形式，包裝規(guī)格為5000片/卷，適配高密度

  MOS MOSFET 仁懋電子

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• 發(fā)布了文章 2025-10-23 10:50

  MOT4913J N+N 增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析：參數(shù)、特性與應(yīng)用場(chǎng)景

  

  在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，N+N增強(qiáng)型MOSFET憑借多單元集成的架構(gòu)，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)設(shè)備控制等場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。本文將針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT4913J型號(hào)，從參數(shù)、特性到應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行深度解析，為工程師的選型與設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品基本定位與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)MOT4913J是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，內(nèi)部集成兩個(gè)獨(dú)立的N

  MOS MOSFET 仁懋電子

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• 發(fā)布了文章 2025-10-22 16:05

  MOT (仁懋) MOT4160G 技術(shù)全解析：41.6kΩ 精密網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級(jí)信號(hào)處理方案

  

  在工業(yè)自動(dòng)化控制、精密儀器儀表等對(duì)電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景中，網(wǎng)絡(luò)電阻的阻值一致性、溫度特性及抗干擾能力直接決定電路信號(hào)處理的準(zhǔn)確性。MOT(仁懋)推出的MOT4160G薄膜網(wǎng)絡(luò)電阻，憑借41.6kΩ標(biāo)準(zhǔn)阻值、2%高精度及0.25W額定功率的核心規(guī)格，搭配SIP-4單列直插封裝的高集成度，成為多通道分壓、信號(hào)衰減等電路的優(yōu)選器件。本文結(jié)合仁懋網(wǎng)絡(luò)電阻技

  MOS 仁懋電子 電阻

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