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發(fā)布了文章 2025-10-22 16:01
ZK100G68P:一款高性能功率半導(dǎo)體器件的深度解析
在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件,其性能直接決定了整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。ZK100G68P作為一款典型的功率器件,憑借其精準(zhǔn)的參數(shù)設(shè)計(jì)與穩(wěn)定的工作特性,在工業(yè)控制、汽車電子、電源設(shè)備等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。73瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-22 10:59
ZK30N100G:Trench工藝加持的100A低壓MOS管,重構(gòu)低壓功率控制新生態(tài)
在低壓功率電子領(lǐng)域,“大電流承載”與“低損耗運(yùn)行”始終是終端設(shè)備追求的核心目標(biāo)。中科微電推出的ZK30N100G N溝道MOS管,以30V額定電壓為基礎(chǔ),突破100A連續(xù)導(dǎo)通電流上限,融合先進(jìn)Trench(溝槽)工藝與高適配性TO-252-2L封裝,精準(zhǔn)破解汽車電子、消費(fèi)級大功率設(shè)備、工業(yè)低壓控制等場景的電流瓶頸與能效痛點(diǎn)。56瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-22 09:42
ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管,重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿
在低壓大電流功率電子領(lǐng)域,MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS管,憑借30V額定電壓、140A超大電流、TO-252-2L封裝與先進(jìn)Trench(溝槽)工藝的深度融合,精準(zhǔn)攻克了汽車電子、工業(yè)電源、消費(fèi)級大功率設(shè)備等場景的核心痛點(diǎn),成為低壓功率調(diào)控領(lǐng)域的“性能63瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-21 11:38
ZK100G08P應(yīng)用全景:TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動多場景功率控制升級
在功率電子領(lǐng)域,“適配性”與“可靠性”是器件立足市場的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET,以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能基底,融合SGT(超結(jié)溝槽柵)先進(jìn)工藝與經(jīng)典TO-220封裝,既延續(xù)了TO-220封裝在散熱與裝配上的普適性,又憑借SGT工藝突破傳統(tǒng)MOSFET的損耗瓶頸,在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、備用電源等中小型功率場景中實(shí)96瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-21 10:54
ZK100G08T:SGT工藝加持的緊湊型MOSFET,賦能中小型功率設(shè)備高效運(yùn)行
在中小型功率電子設(shè)備朝著“小型化、低功耗、高可靠性”升級的進(jìn)程中,MOSFET作為電能控制的核心器件,其性能與尺寸的平衡成為設(shè)計(jì)關(guān)鍵。中科微電推出的ZK100G08TN溝道MOSFET,以100V耐壓、88A電流承載能力為基礎(chǔ),融合SGT(超結(jié)溝槽柵)工藝與TO-252-2L緊湊型封裝,精準(zhǔn)匹配工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子等中小型功率場景需求。117瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-21 09:33
ZG6287A:集成二極管的三相電能調(diào)控芯片,賦能多場景穩(wěn)定運(yùn)行
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,高集成度、寬適配性的芯片是推動電子系統(tǒng)小型化、高效化的核心動力。中科微電推出的ZG6287A芯片,以260V三相輸入規(guī)格為基礎(chǔ),融合7V-20V寬范圍輸出、集成二極管等關(guān)鍵特性,搭配TSSOP20與QFN20雙封裝選項(xiàng),成為消費(fèi)電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想電能調(diào)控解決方案,為設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)支撐。67瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-20 15:52
ZG2131:300V單相驅(qū)動領(lǐng)域的國產(chǎn)精銳芯片
ZG2131的價值,不僅在于其300V耐壓、10V-20V寬壓、SOP8封裝等參數(shù)的精準(zhǔn)適配,更在于它為國產(chǎn)驅(qū)動芯片提供了“細(xì)分領(lǐng)域突破”的思路——通過聚焦中高壓單相驅(qū)動這一細(xì)分場景,針對性解決電壓波動、空間限制、成本控制等實(shí)際問題,最終實(shí)現(xiàn)從“替代進(jìn)口”到“優(yōu)化體驗(yàn)”的跨越。未來,隨著國產(chǎn)芯片技術(shù)的持續(xù)迭代,ZG2131有望在更多場景中發(fā)揮價值,推動國內(nèi)電297瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-20 14:16
從適配到超越:ZK100G200B替代IRFB4110PBF的全場景解決方案
IRFB4110PBF作為安森美等國際品牌的經(jīng)典N溝道功率MOSFET,長期以來憑借100V耐壓、180A電流的性能,成為工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、新能源車載低壓系統(tǒng)、大功率電源的“標(biāo)配器件”。但近年來,受國際供應(yīng)鏈波動、采購成本高企等問題影響,企業(yè)對高性價比國產(chǎn)替代方案的需求日益迫切。69瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-20 10:53
中低壓MOS管:功率電子領(lǐng)域的“高效開關(guān)”核心
在電力電子系統(tǒng)中,從手機(jī)充電器到工業(yè)電機(jī)驅(qū)動,從智能家居設(shè)備到新能源汽車低壓輔助系統(tǒng),都離不開一款關(guān)鍵器件——中低壓MOS管。作為電壓等級在100V及以下的功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),中低壓MOS管以其低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性與緊湊封裝,成為實(shí)現(xiàn)電能高效轉(zhuǎn)換、簡化電路設(shè)計(jì)的核心“開關(guān)”,支撐著現(xiàn)代電子設(shè)備向小型化、低功耗、高可靠性方向發(fā)展。136瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-17 16:24
ZG6288A-G:解密高性能集成驅(qū)動芯片的技術(shù)內(nèi)核與應(yīng)用價值
在功率電子與嵌入式控制領(lǐng)域,芯片型號的細(xì)微后綴往往承載著關(guān)鍵性能升級。ZG6288A-G作為一款標(biāo)注特殊后綴的集成化芯片,從命名體系推測,其大概率是ZG6288A基礎(chǔ)型號的衍生升級版本,在保持核心架構(gòu)優(yōu)勢的同時,針對工業(yè)可靠性、環(huán)境適應(yīng)性或功能集成度進(jìn)行了專項(xiàng)優(yōu)化。這款芯片憑借精準(zhǔn)的參數(shù)配置、強(qiáng)化的性能特性及廣泛的場景適配能力,正在電機(jī)驅(qū)動、智能控制等領(lǐng)域展105瀏覽量