動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:03

  面向5G通信應(yīng)用：高阻硅晶圓電阻率熱處理穩(wěn)定化與四探針技術(shù)精準(zhǔn)測(cè)量

  

  隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，高阻絕緣體上硅在微波與毫米波器件、探測(cè)器等領(lǐng)域的應(yīng)用需求激增。然而，高阻硅片電阻率的快速準(zhǔn)確測(cè)量仍面臨技術(shù)挑戰(zhàn)。四點(diǎn)探針法（4PP）因其高精度、寬量程等特點(diǎn)被視為優(yōu)選方法，但其測(cè)量結(jié)果易受時(shí)間因素影響，導(dǎo)致數(shù)據(jù)不穩(wěn)定。本研究基于Xfilm埃利四探針方阻儀的系統(tǒng)性測(cè)量，首次觀察到高阻硅片電阻率的時(shí)間依賴性行為，揭示表面氧化引起的界面

  5G通信 晶圓 測(cè)量 電阻

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:03

  基于傳輸線法（TLM）的多晶 In?O?薄膜晶體管電阻分析及本征遷移率精準(zhǔn)測(cè)量

  

  氧化物半導(dǎo)體（如In?O?）因其高電子遷移率（>10cm2/Vs）和低漏電流特性，成為下一代顯示技術(shù)和三維集成器件的理想候選材料。然而，傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)遷移率（μFE）的測(cè)量常因寄生電阻（Rs/d）和通道尺寸偏差（ΔL/ΔW）導(dǎo)致低估本征遷移率（μFEi）。本文通過傳輸線法（TLM），結(jié)合Xfilm埃利TLM接觸電阻測(cè)試儀，在多晶In?O?-TFT中分離通道電阻R

  TLM 電阻 薄膜晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-09-29 13:03

  IEC新標(biāo)準(zhǔn)賦能石墨烯產(chǎn)業(yè)化：范德堡法與在線四探針法實(shí)現(xiàn)薄層電阻精準(zhǔn)測(cè)量

  

  石墨烯因其超高的載流子遷移率、機(jī)械強(qiáng)度和化學(xué)穩(wěn)定性，被視為下一代電子器件、傳感器及能源材料的核心候選。但其產(chǎn)業(yè)化面臨關(guān)鍵挑戰(zhàn)：不同合成方法（如CVD、機(jī)械剝離）導(dǎo)致材料性能差異顯著，亟需國際標(biāo)準(zhǔn)確保測(cè)量的一致性與可重復(fù)性。為此，國際電工委員會(huì)（IEC）發(fā)布了IECTS62607-6-7（范德堡法）和IECTS62607-6-8（在線四探針法），旨在規(guī)范大面積

  傳感器 測(cè)量 電阻 石墨烯

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