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中科院半導體所

文章:1439 被閱讀:472.4w 粉絲數(shù):292 關(guān)注數(shù):0 點贊數(shù):46

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TPU處理器的特性和工作原理

張量處理單元(TPU,Tensor Processing Unit)是一種專門為深度學習應用設(shè)計的硬....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-22 09:41 ?2570次閱讀
TPU處理器的特性和工作原理

倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點和實現(xiàn)過程

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點和實現(xiàn)過程以及詳細工藝等。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-22 09:38 ?1843次閱讀
倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點和實現(xiàn)過程

簡單認識高壓CMOS技術(shù)

文介紹了高壓CMOS技術(shù)與基礎(chǔ)CMOS技術(shù)的區(qū)別與其應用場景。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-22 09:35 ?942次閱讀
簡單認識高壓CMOS技術(shù)

激光劃片的技術(shù)原理與核心優(yōu)勢

激光劃片作為新興材料加工技術(shù),近年來憑借非接觸式加工特性實現(xiàn)快速發(fā)展。其工作機制是將高峰值功率激光束....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-19 15:50 ?708次閱讀

芯片制造中的抗反射涂層介紹

本文介紹了用抗反射涂層來保證光刻精度的原理。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-19 15:49 ?1807次閱讀
芯片制造中的抗反射涂層介紹

TSSG法生長SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下,SiC并無熔點,一旦溫度攀升至2000℃以上,便會直....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-18 11:28 ?786次閱讀
TSSG法生長SiC單晶的原理

半導體封裝中的裝片工藝介紹

裝片(Die Bond)作為半導體封裝關(guān)鍵工序,指通過導電或絕緣連接方式,將裸芯片精準固定至基板或引....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-18 11:25 ?2162次閱讀
半導體封裝中的裝片工藝介紹

CPU的各種指令和執(zhí)行流程

在集成電路設(shè)計中,CPU的指令是指計算機中央處理單元(CPU)用來執(zhí)行計算任務的基本操作指令集。這些....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-18 11:24 ?1557次閱讀

芯片封裝中銀燒結(jié)工藝詳解

本主要講解了芯片封裝中銀燒結(jié)工藝的原理、優(yōu)勢、工程化應用以及未來展望。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-17 10:09 ?1668次閱讀
芯片封裝中銀燒結(jié)工藝詳解

在晶圓襯底上生長外延層的必要性

本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-17 10:06 ?538次閱讀

半導體晶圓制造流程介紹

本文介紹了半導體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-15 17:14 ?1399次閱讀
半導體晶圓制造流程介紹

芯片制造中的應變硅技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片制造中的應變硅技術(shù)的原理、材料選擇和核心方法。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-15 15:21 ?1985次閱讀
芯片制造中的應變硅技術(shù)介紹

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-15 10:27 ?894次閱讀
多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

兩種激光模式介紹

激光束的輸出實際上由在寬頻率范圍內(nèi)的許多不同頻率的緊密間隔的光譜線組成。離散光譜分量稱為激光模式la....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-15 10:18 ?949次閱讀
兩種激光模式介紹

半導體設(shè)計中的密封工藝介紹

從某種層面來說,氣密封裝存在理論與現(xiàn)實的矛盾,正如中國古話“沒有不透風的墻”所描述的那樣,絕對密封難....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-15 10:15 ?885次閱讀
半導體設(shè)計中的密封工藝介紹

芯片制造中的半導體材料介紹

半導體元素是芯片制造的主要材料,芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1,即0....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-15 09:32 ?1068次閱讀
芯片制造中的半導體材料介紹

FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢

本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性,從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-14 17:23 ?1003次閱讀
FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢

SAW濾波器和BAW濾波器的區(qū)別

SAW(聲表面波)和BAW(體聲波)是兩種常用于射頻濾波器中的技術(shù),它們在頻率響應、損耗、適用頻段等....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-14 15:56 ?1195次閱讀
SAW濾波器和BAW濾波器的區(qū)別

可靠性測試結(jié)構(gòu)設(shè)計概述

深入理解設(shè)計規(guī)則,設(shè)計者可在可靠性測試結(jié)構(gòu)優(yōu)化中兼顧性能、成本與質(zhì)量,推動半導體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-11 14:59 ?889次閱讀
可靠性測試結(jié)構(gòu)設(shè)計概述

芯片制造中的互連工藝介紹

半導體是一種介于導體和絕緣體之間的導電性,半導體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-11 14:56 ?766次閱讀
芯片制造中的互連工藝介紹

芯片制造中的二氧化硅介紹

二氧化硅是芯片制造中最基礎(chǔ)且關(guān)鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應用場景,解析SiO?在柵極氧化....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-10 14:36 ?2872次閱讀
芯片制造中的二氧化硅介紹

引線鍵合里常見的金鋁鍵合問題

金鋁效應是集成電路封裝中常見的失效問題,嚴重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機制,并....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-10 14:30 ?1628次閱讀
引線鍵合里常見的金鋁鍵合問題

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點解析LPCVD方....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 16:19 ?1382次閱讀
LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

芯片焊盤起皮的成因解析

本文深入解析了焊盤起皮的成因、機制及其與工藝參數(shù)之間的關(guān)系,結(jié)合微觀形貌圖和仿真分析,系統(tǒng)探討了劈刀....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 16:15 ?1113次閱讀
芯片焊盤起皮的成因解析

激光粉末涂層固化的優(yōu)勢和工作原理

激光固化技術(shù)采用紅外激光器,首先使靜電噴涂在零件表面的粉末涂料顆??焖倌z化,隨后完成最終固化。熔化....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 10:41 ?693次閱讀

粘片工藝介紹及選型指南

粘片作為芯片與管殼間實現(xiàn)連接和固定的關(guān)鍵工序,達成了封裝對于芯片的固定功能,以及芯片背面電連接功能。....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-09 10:37 ?1141次閱讀
粘片工藝介紹及選型指南

鉛酸電池面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

當加斯頓·普朗特在160多年前發(fā)明鉛酸電池時,他可能未曾預料到這一發(fā)明將催生一個價值數(shù)十億美元的產(chǎn)業(yè)....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 16:08 ?736次閱讀
鉛酸電池面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)

如何制定芯片封裝方案

封裝方案制定是集成電路(IC)封裝設(shè)計中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),涉及從芯片設(shè)計需求出發(fā),制定出滿足功能、電氣性能....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 16:05 ?598次閱讀

功率放大器損壞的原因及其保護手段

PA(Power Amplifier,功率放大器)通信系統(tǒng)的重要組成模塊,負責將射頻信號的放大與功率....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 16:00 ?1817次閱讀
功率放大器損壞的原因及其保護手段

芯片制造中的High-K材料介紹

本文介紹了High-K材料的物理性質(zhì)、制備方法及其應用。
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 04-08 15:59 ?2451次閱讀
芯片制造中的High-K材料介紹