積層多層板的制作方式是在絕緣基板或傳統(tǒng)板件（雙面板、多層板）表面交替制作絕緣層、導電層及層間連接孔，....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-15 16:38
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近年來，隨著移動通信和便攜式智能設備需求的飛速增長及性能的不斷提升，對半導體集成電路性能的要求日益提....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-12 10:58
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半加成法雙面 PCB 工藝具有很強的代表性，其他類型的 PCB 工藝可參考該工藝，并通過對部分工藝步....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-12 10:55
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在 MEMS（微機電系統(tǒng)）中，銅（Cu）因優(yōu)異的電學、熱學和機械性能，成為一種重要的金屬材料，廣泛應....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-12 10:53
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本文介紹了CoWoP（Chip?on?Wafer?on?Substrate）封裝的概念、流程與優(yōu)勢。
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-12 10:49
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目前，在太赫茲（遠紅外）頻段最透明的絕緣材料就是高阻的浮區(qū)（FZ）單晶硅。這是科研人員不斷的經(jīng)過實驗....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-12 10:45
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晶棒需要經(jīng)過一系列加工，才能形成符合半導體制造要求的硅襯底，即晶圓。加工的基本流程為：滾磨、切斷、切....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-12 10:43
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SEM是一種功能強大的工具，在材料科學、生物學、納米技術和醫(yī)學研究等科學領域得到廣泛應用，其常見用途....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-12 10:38
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本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術的核....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-12 10:35
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本文主要講述什么是系統(tǒng)級封裝技術。 從封裝內(nèi)部的互連方式來看，主要包含引線鍵合、倒裝、硅通孔（TSV....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-05 15:09
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共晶焊接的核心是通過形成異種金屬間的共晶組織，實現(xiàn)可靠牢固的金屬連接。在半導體封裝的芯片安裝過程中，....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-05 15:06
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2.5D/3D封裝技術作為當前前沿的先進封裝工藝，實現(xiàn)方案豐富多樣，會根據(jù)不同應用需求和技術發(fā)展動態(tài)....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-05 15:03
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摩爾定律精準預言了近幾十年集成電路的發(fā)展。然而，逐漸逼近的物理極限、更高的性能需求和不再經(jīng)濟的工藝制....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-05 14:59
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退火工藝是晶圓制造中的關鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:35
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在無線通信中，接收器接收到的信號非常小，以至于系統(tǒng)中只能容忍有限的噪聲。因此，對于電路設計人員來說，....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:30
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集成電路傳統(tǒng)封裝技術主要依據(jù)材料與管腳形態(tài)劃分：材料上采用金屬、塑料或陶瓷管殼實現(xiàn)基礎封裝；管腳結構....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:27
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鍵合技術是通過溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學鍵，實現(xiàn)不同材料（如硅-硅、硅-玻璃....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:25
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在TSV制造技術中，既包含TSV制造技術中通孔刻蝕與絕緣層的相關內(nèi)容。
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:24
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在芯片制造的最后環(huán)節(jié)，裸片（Die）需要穿上“防護鎧甲”——既要抵抗物理損傷和化學腐蝕，又要連接外部....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:22
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Gerber 文件是用于電子設計自動化(EDA)中，尤其是在印刷電路板(PCB)設計和制造過程中，傳....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:20
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三維集成電路制造中，對準技術是確保多層芯片鍵合精度、實現(xiàn)高密度TSV與金屬凸點正確互聯(lián)的核心技術，直....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:16
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相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應對高深寬比結構帶來的技術挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應刻蝕形成盲孔開始....
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中科院半導體所 發(fā)表于 08-01 09:13
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想象一下，你要為比沙粒還小的芯片建造“房屋”——既要保護其脆弱電路，又要連接外部世界，還要解決散熱、....
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中科院半導體所 發(fā)表于 07-31 10:14
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在半導體三維集成（3D IC）技術中，硅通孔（TSV）是實現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心，但受深寬比限制，傳統(tǒng)....
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中科院半導體所 發(fā)表于 07-29 16:48
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絕緣體上硅（SOI）技術作為硅基集成電路領域的重要分支，其核心特征在于通過埋氧層（BOX）實現(xiàn)有源層....
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中科院半導體所 發(fā)表于 07-28 15:27
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鎖相放大器是一種用于提取微弱信號的高精度電子儀器，能夠在強噪聲背景下檢測出微伏（μV）甚至納伏（nV....
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中科院半導體所 發(fā)表于 07-26 09:25
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在智能終端輕薄化浪潮中，集成電路封裝正面臨"尺寸縮減"與"管腳擴容"的雙重擠壓——處理器芯片為處理海....
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中科院半導體所 發(fā)表于 07-26 09:21
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在多芯片封裝趨勢下，一個封裝內(nèi)集成的高性能芯片日益增多，熱管理難題愈發(fā)凸顯?？諝饫鋮s應對此類系統(tǒng)力不....
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中科院半導體所 發(fā)表于 07-24 16:47
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在柔性混合電子（FHE）系統(tǒng)中，柔性實現(xiàn)的難點在于異質(zhì)材料的協(xié)同工作。硅基芯片、金屬互連、聚合物基板....
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中科院半導體所 發(fā)表于 07-24 14:41
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在MEMS中，玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學穩(wěn)定性及可鍵合性（如與硅陽極鍵合），常被用作襯底、....
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中科院半導體所 發(fā)表于 07-18 15:18
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工商網(wǎng)監(jiān)