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中科院半導體所

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一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

拉曼散射通常是一種非常微弱的效應,因為激發(fā)的光子與參與散射過程的分子之間存在非諧振的相互作用。因此,....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-09 09:50 ?592次閱讀
一文讀懂共聚焦拉曼顯微鏡

一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應

在空間輻射環(huán)境下,高能質子與重離子的作用會誘發(fā)單粒子效應。誘發(fā)這類單粒子效應的空間輻射,主要來源于兩....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-08 09:57 ?597次閱讀
一文詳解空間輻射誘發(fā)單粒子效應

PDK在集成電路領域的定義、組成和作用

PDK(Process Design Kit,工藝設計套件)是集成電路設計流程中的重要工具包,它為設....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-08 09:56 ?733次閱讀

TEM中散射和衍射的基本原理

電子是低質量、帶負電荷的粒子,經(jīng)過其他電子或原子核附近時易被庫侖相互作用偏轉。這種靜電作用引起的散射....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-08 09:52 ?888次閱讀
TEM中散射和衍射的基本原理

NAND Flash的基本原理和結構

NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲器技術,主要用于數(shù)據(jù)存儲。....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-08 09:51 ?4878次閱讀
NAND Flash的基本原理和結構

一文詳解單粒子效應的電荷收集

在探討單粒子翻轉基本機理時,深入理解并掌握各類電荷收集過程及其作用機理至關重要,這些過程與機理對明確....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-08 09:50 ?465次閱讀
一文詳解單粒子效應的電荷收集

一文詳解半導體器件中的單粒子效應

我們知道,帶電離子穿透半導體材料的過程中,會與靶材原子發(fā)生交互作用,沿離子運動軌跡生成電子 - 空穴....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-08 09:48 ?569次閱讀
一文詳解半導體器件中的單粒子效應

LOCOS工藝中鳥喙效應的形成原因和解決措施

集成電路采用LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工藝時會出現(xiàn)“鳥喙效應....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-08 09:42 ?427次閱讀
LOCOS工藝中鳥喙效應的形成原因和解決措施

晶圓級MOSFET的直接漏極設計

本文主要講述什么是晶圓級芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-05 09:45 ?2740次閱讀
晶圓級MOSFET的直接漏極設計

詳解超高密度互連的InFO封裝技術

InFO-R作為基礎架構,采用"芯片嵌入+RDL成型"的工藝路徑。芯片在晶圓級基板上完成精準定位后,....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-01 16:10 ?2090次閱讀
詳解超高密度互連的InFO封裝技術

簡單認識MEMS晶圓級電鍍技術

MEMS晶圓級電鍍是一種在微機電系統(tǒng)制造過程中,整個硅晶圓表面通過電化學方法選擇性沉積金屬微結構的關....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 09-01 16:07 ?1557次閱讀
簡單認識MEMS晶圓級電鍍技術

芯片封裝的功能、等級以及分類

在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-28 13:50 ?1483次閱讀

詳解WLCSP三維集成技術

晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)因其“裸片即封裝”的極致尺寸與成本優(yōu)勢,已成為移動、可穿戴及 IoT....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-28 13:46 ?2451次閱讀
詳解WLCSP三維集成技術

詳解SPICE器件模型的分類

今天我們來聊聊工程師在仿真時比較關注的問題。眾多的器件模型,我在仿真的時候到底應該怎么選擇一個器件的....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-28 13:42 ?625次閱讀
詳解SPICE器件模型的分類

金屬鉻在微機電系統(tǒng)中的應用

在微機電系統(tǒng)(MEMS)領域,金屬鉻(Cr)因其獨特的物理化學性質和工藝兼容性而被廣泛應用。其物理化....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-25 11:32 ?790次閱讀
金屬鉻在微機電系統(tǒng)中的應用

芯片收縮對功率半導體器件封裝領域發(fā)展的影響

在功率半導體邁向180-250 nm先進節(jié)點、SoC與SiP并行演進、扇入/扇出晶圓級封裝加速分化之....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-25 11:30 ?1148次閱讀

詳解電力電子器件的芯片封裝技術

電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉換與功率控制的核心載體,正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導體器件的....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-25 11:28 ?2173次閱讀
詳解電力電子器件的芯片封裝技術

從InFO-MS到InFO_SoW的先進封裝技術

在先進封裝技術向超大型、晶圓級系統(tǒng)集成深化演進的過程中,InFO 系列(InFO-MS、InFO-3....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-25 11:25 ?603次閱讀
從InFO-MS到InFO_SoW的先進封裝技術

詳解芯片封裝的工藝步驟

芯片封裝是半導體制造過程中至關重要的一步,它不僅保護了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響,還提供了與外部....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-25 11:23 ?1555次閱讀
詳解芯片封裝的工藝步驟

汽車芯片的分類和認證等級

汽車半導體包括:主控芯片、功率器件、模擬芯片(信號鏈與接口芯片、電源管理芯片)、傳感器、存儲芯片等。....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-25 11:21 ?1168次閱讀
汽車芯片的分類和認證等級

?三維集成電路的TSV布局設計

在三維集成電路設計中,TSV(硅通孔)技術通過垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能,但其物理尺寸效應....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-25 11:20 ?1879次閱讀
?三維集成電路的TSV布局設計

淺談3D封裝與CoWoS封裝

自戈登·摩爾1965年提出晶體管數(shù)量每18-24個月翻倍的預言以來,摩爾定律已持續(xù)推動半導體技術跨越....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-21 10:48 ?1262次閱讀
淺談3D封裝與CoWoS封裝

晶圓制造中的Die是什么

簡單來說,Die(發(fā)音為/da?/,中文常稱為裸片、裸晶、晶?;蚓┦侵笍囊徽瑘A形硅晶圓(Waf....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-21 10:46 ?1816次閱讀

深入剖析單晶硅的生長方法

科技進步和對高效智能產(chǎn)品需求的增長進一步奠定了集成電路產(chǎn)業(yè)在國家發(fā)展中的核心地位。而半導體硅單晶作為....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-21 10:43 ?688次閱讀
深入剖析單晶硅的生長方法

構建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長分布模型

在三維集成電路設計中,TSV技術通過垂直互連顯著優(yōu)化了互連線長分布特性?;趥愄囟傻慕?jīng)典分析框架,....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-21 10:41 ?583次閱讀
構建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長分布模型

淺談數(shù)字芯片的常用術語

解釋: 這是數(shù)字芯片設計永恒的“鐵三角”。Power指芯片功耗,越低越好;Performance通常....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-19 16:36 ?769次閱讀

超聲波掃描電子顯微鏡介紹

在半導體產(chǎn)業(yè)的精密制造與檢測體系中,超聲波掃描電子顯微鏡(SAT)設備作為一種核心的無損檢測工具,正....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-19 16:34 ?641次閱讀

詳解塑封工藝的流程步驟

塑封是微電子封裝中的核心環(huán)節(jié),主要作用是保護封裝內部的焊線、芯片、布線及其他組件免受外界熱量、水分、....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-19 16:31 ?2630次閱讀
詳解塑封工藝的流程步驟

空氣斷路器的概念和基本結構

在日常生活和工業(yè)場景中,我們時常會接觸到“跳閘”這一現(xiàn)象,比如家中突然斷電后,電箱內的開關自動彈開了....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-19 16:28 ?715次閱讀

MEMS封裝的需求與優(yōu)化方案

當前,盡管針對 MEMS 器件的制備工藝與相關設備已開展了大量研究,但仍有不少 MEMS 傳感器未能....
的頭像 中科院半導體所 發(fā)表于 08-15 16:40 ?2364次閱讀
MEMS封裝的需求與優(yōu)化方案