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無錫新潔能股份有限公司

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車載OBC中全橋變換器功率MOS管的應(yīng)用及注意事項(xiàng)

隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展,功率MOS管在汽車電子的應(yīng)用也日益增多,本文就車載OBC中全橋變換器功率MOS管....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 10-21 11:24 ?843次閱讀
車載OBC中全橋變換器功率MOS管的應(yīng)用及注意事項(xiàng)

新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-22 18:02 ?1248次閱讀
新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能榮獲2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)

近日,在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上,新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn),再次成....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-05 17:58 ?1338次閱讀
新潔能榮獲2024年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)

新潔能2153X系列半橋驅(qū)動(dòng)芯片介紹

2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線。 2153X浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N溝道功率M....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 07-28 14:02 ?1636次閱讀
新潔能2153X系列半橋驅(qū)動(dòng)芯片介紹

新潔能逆導(dǎo)型IGBT NCE15ER135LP概述

本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的逆導(dǎo)型IGBT:NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 07-17 09:20 ?1474次閱讀
新潔能逆導(dǎo)型IGBT NCE15ER135LP概述

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 06-11 08:59 ?1783次閱讀
新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

NSG4427柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品特性

NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅(qū)動(dòng)器。專有的閂鎖免疫CMOS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)高....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 05-30 14:23 ?655次閱讀
NSG4427柵極驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品特性

新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過電荷....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 05-06 15:05 ?1183次閱讀
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

金蘭功率半導(dǎo)體推出全新三電平逆變儲(chǔ)能一體模塊

在“雙碳”目標(biāo)驅(qū)動(dòng)下,光伏逆變、儲(chǔ)能系統(tǒng)及工業(yè)變頻領(lǐng)域?qū)β誓K的高效率、高功率密度需求持續(xù)攀升。三....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 03-20 17:21 ?1005次閱讀
金蘭功率半導(dǎo)體推出全新三電平逆變儲(chǔ)能一體模塊

一文詳解寄生參數(shù)對柵極震蕩的影響

在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中,寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的,但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 03-14 13:47 ?22400次閱讀
一文詳解寄生參數(shù)對柵極震蕩的影響

新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 03-04 14:40 ?1017次閱讀
新潔能推出HO系列MOSFET產(chǎn)品

新潔能車規(guī)級(jí)PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹

在汽車電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計(jì)的重要方向。車規(guī)級(jí) PDF....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 02-12 09:19 ?2839次閱讀
新潔能車規(guī)級(jí)PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹

高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)I....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 01-16 14:16 ?919次閱讀

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能,防....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 01-07 10:58 ?1306次閱讀
NSG6000 650V單通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

新潔能榮獲2024年全球半導(dǎo)體企業(yè)綜合競爭力百強(qiáng)

近日,全球半導(dǎo)體市場峰會(huì)在上海成功召開。會(huì)上,世界集成電路協(xié)會(huì)發(fā)布了全球半導(dǎo)體企業(yè)綜合競爭力百強(qiáng)報(bào)告....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 12-14 15:15 ?2234次閱讀

新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹

150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù),特征導(dǎo)通電阻Rsp(導(dǎo)通電....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-15 16:36 ?1450次閱讀
新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹

新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹

新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-15 16:34 ?1573次閱讀
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 08-15 16:29 ?4203次閱讀
功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

在變頻器輔助電源或光伏逆變器中,輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后,為驅(qū)動(dòng)IC、主控MCU、通訊模....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 10-16 11:38 ?2646次閱讀
新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

雙脈沖測試之開關(guān)特性參數(shù)講解

功率開關(guān)器件的規(guī)格書上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動(dòng)態(tài)特性參數(shù),開關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 02-22 14:40 ?8416次閱讀

國產(chǎn)功率器件供應(yīng)商無錫新潔能榮獲寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號(hào)

近日,無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業(yè)年度“戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號(hào)。 在過去的一年中,新潔能憑借優(yōu)秀的產(chǎn)品質(zhì)....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發(fā)表于 02-14 12:50 ?2047次閱讀