新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品
新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
產(chǎn)品優(yōu)勢
采用超高元胞密度、小線寬設(shè)計(jì)，使用新潔能特有的溝槽型工藝平臺，搭配優(yōu)化后的大電流產(chǎn)品封裝工藝，以NCE011N30GU為例， 導(dǎo)通電阻典型值低至0.75mR,持續(xù)電流ID高達(dá)325A,優(yōu)異的參數(shù)表現(xiàn)展示了溝槽型芯片設(shè)計(jì)和封裝等工藝的技術(shù)實(shí)力。系列產(chǎn)品具有超高電流密度，超高抗雪崩擊穿能力以及高可靠性表現(xiàn)，器件通過100% 雪崩測試，具有較優(yōu)的魯棒性，產(chǎn)品性能卓越，為市場提供經(jīng)濟(jì)高效的產(chǎn)品解決方案。
產(chǎn)品特點(diǎn)
○ 高功電流密度
○ 超低導(dǎo)通阻抗
○ 高散熱性能
○ 高可靠性
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原文標(biāo)題：N30V 1mΩ級別溝槽型 MOSFET
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