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      DS1249Y adi

      數據：

      在沒有外部電源的情況下最少可以保存數據10年掉電期間數據被自動保護沒有寫次數限制低功耗CMOS操作 70ns的讀寫存取時間 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)±10% VCC工作范圍(DS1249Y) 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1249AB)可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍，指定為INDJEDEC標準的32引腳DIP封裝 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。