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      TS3DDR3812 用于 DDR3 應用的 12 通道、1:2 MUX/DEMUX 開關

      數據：

      描述

      TS3DDR3812是一款專門針對DDR3應用而設計的12通道，1：2多路復用器/多路解復用器開關。產品采用3至3.6V電源供電，提供低而平坦的導通狀態(tài)電阻以及低I /O電容，從而可實現(xiàn)1.675GHz的典型帶寬。

      通道A 0 至A 11 分為兩個6位組，可通過兩組名為SEL1與SEL2的數字輸入進行獨立控制。這些選擇輸入可控制每個6位DDR3信號源的開關位置，使它們能夠準確發(fā)送至兩個端點中的一個。此外，本開關還可用于將單個端點與兩個6位DDR3信號源中的一個連接起來。對于12位DDR3信號源的開關，只需外部連接SEL1與SEL2，便可通過一個單個GPIO輸入控制所有12個通道。一個EN輸入可在不使用時使整個芯片處于高阻抗（Hi-Z）狀態(tài)。

      這些特性使TS3DDR3812成為存儲器，模擬/數字視頻，局域網（LAN）以及其它

      。高速信號開關應用中的理想選擇

      特性

      • 與DDR3 SDRAM標準（JESD79-3D）兼容
      • 1.675GHz的寬帶寬
      • 低傳播延遲（典型值t pd = 40ps）
      • 低位到位偏斜（典型值t sk（o） = 6ps）
      • 低而平坦的導通電阻
        （典型值r ON =8Ω）
      • 低輸入/輸出電容
        （典型值C ON = 5.6pF）
      • 低串擾（X TALK = -43dB，
        這是在250MHz時的典型值）
        • < li> 3V至3.6V的V CC 工作范圍
      • 數據I /O端口上的軌至軌開關
        （0至V CC ）
      • 用于上部及下部6通道的分離開關控制邏輯
      • 專用使能邏輯電路支持高阻抗（Hi-Z）模式
      • I 關閉保護防止斷電狀態(tài)（V CC = 0V）下的電流泄漏
      • 靜電放電（ESD）性能測試符合JESD22標準
        • 2000V人體模型
          （A114B，II類）
        • 1000V充電器件模型（C101）
      • 42引腳RUA封裝（9mm×3.5mm，0.5mm焊球間距）

      應用范圍

      • DDR3信號開關
      • DIMM模塊
      • 筆記本/臺式機
      • 服務器

      參數 與其它產品相比 特定于協(xié)議的開關/多路復用器

       
      Protocols
      Configuration
      Number of Channels (#)
      VCC (Min) (V)
      VCC (Max) (V)
      Ron (Typ) (Ohms)
      Input/Ouput Voltage (Min) (V)
      Input/Ouput Voltage (Max) (V)
      ICC (Max) (uA)
      Bandwidth (MHz)
      ESD HBM (Typ) (kV)
      Operating Temperature Range (C)
      Package Size: mm2:W x L (PKG)
      Package Group
      Crosstalk (dB)
      ESD Charged Device Model (kV)
      ICC (Typ) (uA)
      Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
      Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
      Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
      OFF-state leakage current (Max) (µA)
      Propagation Delay (ns)
      Ron (Max) (Ohms)
      Ron Channel Match (Max) (?)
      RON Flatness (Typ) (Ohms)
      Turn off Time (Disable) (Max) (ns)
      Turn on Time (Enable) (Max) (ns)
      VIH (Min) (V)
      VIL (Max) (V)
      TS3DDR3812 TS2DDR2811
      DDR3     DDR2    
      2:1 SPDT     1:1 SPST    
      12     8    
      3     3    
      3.6     3.6    
      8     4    
      0     0    
      3.6     3.6    
      400     500    
      1675     1100    
      2     2    
      -40 to 85     -40 to 85    
      42WQFN: 32 mm2: 3.5 x 9(WQFN)     20BGA MICROSTAR JUNIOR: 8 mm2: 3 x 2.5(BGA MICROSTAR JUNIOR)    
      WQFN     BGA MICROSTAR JUNIOR    
      -71      
      1     1    
        250    
      128     128    
      5.6     2.5    
      2     4    
      1      
      0.04     0.04    
      12     6    
      1     1    
      1.5     0.5    
      5     9    
      7     15    
      2     2    
      0.8     0.8    

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 TS3DDR3812 相關庫存