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      CSD18509Q5B 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD18509Q5B

      數(shù)據(jù)：

      描述

      這個40V，1mΩ，SON5x6 NexFET?功率MOSFET的設(shè)計(jì)旨在追求以最大限度降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的功率損耗。

      < /DIV>

      特性

      • 超低導(dǎo)通電阻
      • 低熱阻
      • 雪崩額定值
        • < li>邏輯電平
      • 無鉛引腳鍍層
      • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
      • 無鹵素
      • SON 5mm×6mm塑料封裝< /li>

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD18509Q5B
      40 ? ?
      Single ? ?
      1.7 ? ?
      1.2 ? ?
      400 ? ?
      150 ? ?
      17 ? ?
      SON5x6 ? ?
      20 ? ?
      1.9 ? ?
      299 ? ?
      100 ? ?
      Yes ? ?

      技術(shù)文檔

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