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      H11F1M 6引腳DIP雙向模擬FET輸出光電耦合器

      數(shù)據(jù)：

      產(chǎn)品信息

      H11FXM系列包含一個(gè)砷鋁化鎵IRED發(fā)光二極管，該二極管光學(xué)耦合至對(duì)稱雙向硅光電探測(cè)器。 探測(cè)器與輸入端絕緣，功能類似于理想的隔離式FET，設(shè)計(jì)用于低電平AC和DC模擬信號(hào)的無失真控制。 H11FXM系列器件采用雙列直插封裝。
      • 作為一個(gè)遠(yuǎn)程可變電阻：
      • ≤ 100Ω至≥ 300MΩ
      • ≤ 15pF分流電容
      • ≥ 100GΩ I/O隔離電阻作為模擬開關(guān)：
      • 極低失調(diào)電壓
      • 60 V
      • 信號(hào)能力
      • 無電荷注入或閂鎖
      • UL認(rèn)證（文件編號(hào)E90700）

      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1） 相關(guān)資料（8）
      元器件購買 H11F1M 相關(guān)庫存

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