--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 插損(max) 0.25dB
- 頻率 8.10~45.0GHz
- 駐波比 1.20dB
- 相位 0~360
- 功率 50W
--- 產(chǎn)品詳情 ---
低插損毫米波移相器(Low-Loss mmWave Phase Shifter)是 5G/6G、相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通信、毫米波成像等系統(tǒng)的核心部件,用于在 24 GHz 以上頻段實(shí)現(xiàn)精確的波束賦形和波束掃描。**“低插損”**是此類器件的第一指標(biāo)——每降低 0.1 dB,系統(tǒng)噪聲系數(shù)/鏈路預(yù)算便可直接改善 0.1 dB,在毫米波尤其寶貴。
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### ? 關(guān)鍵性能速查表(2025 年可現(xiàn)貨/可定制)
| 頻率范圍 | 插損 | 相位范圍/步進(jìn) | 工藝/結(jié)構(gòu) | 平均功率 | 封裝/接口 |
|----------|------|---------------|-----------|----------|-----------|
| 8–45 GHz | ≤0.25 dB | 0–360° 連續(xù) | 機(jī)械調(diào)諧波導(dǎo) | 50 W | 波導(dǎo)/同軸 |
| 24–30 GHz | 1.2–2.3 dB | 6-bit(5.6°) | GaAs MMIC 有源 | 23 dBm | 2.92 mm |
| 26–40 GHz | 1.3 dB | 0–360° 連續(xù) | MEMS 反射式 | 10 W | 同軸/WG |
| 77–81 GHz | 2.0 dB | 5-bit(11.25°) | SiGe/SOI 單片 | 13 dBm | Flip-Chip |
| 92–95 GHz | 2.2 dB | 4-bit(22.5°) | GaAs pHEMT | 15 dBm | 片上集成 |
---
### ? 主流低插損實(shí)現(xiàn)技術(shù)對(duì)比
| 技術(shù)路線 | 插損優(yōu)勢(shì) | 短板 | 適用場(chǎng)景 |
|----------|----------|------|----------|
| **波導(dǎo)機(jī)械調(diào)諧** | 0.2–0.5 dB 極低 | 體積大、調(diào)諧慢 | 高功率雷達(dá)、測(cè)試校準(zhǔn) |
| **MEMS 反射式** | 0.5–1.3 dB | 需要高驅(qū)動(dòng)電壓 | 大規(guī)模相控陣、低成本 |
| **GaAs/SiGe 有源矢量合成** | 1.2–2.5 dB(帶 0–3 dB 增益補(bǔ)償) | 功耗 10–50 mW | 5G/6G 基站、車載雷達(dá) |
| **開關(guān)線 + 補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)** | 0.57 dB@5 GHz 原型 | 帶寬受限 | 中頻/低毫米波子陣 |
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### ? 選型決策樹
1. **系統(tǒng)鏈路預(yù)算緊張** → 選 **波導(dǎo)機(jī)械或 MEMS**
- ATM P28K 系列:26–40 GHz,插損 1.3 dB,50 W
- Mi-Wave 526 系列:18–110 GHz 可定制,校準(zhǔn)精度 ±1°
2. **大規(guī)模數(shù)字相控陣** → 選 **GaAs/SiGe MMIC**
- 6-bit 24–30 GHz MMIC:增益 1.2–2.3 dB,RMS 相位誤差 <3°
- 77 GHz 汽車?yán)走_(dá):片上集成,±1° 校準(zhǔn),2 dB 插損
3. **小尺寸、低功耗終端** → 選 **CMOS/SOI 全集成**
- 矢量合成架構(gòu):面積 <0.2 mm2,插損經(jīng)有源補(bǔ)償后接近 0 dB
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### ? 典型應(yīng)用接線圖
```
信號(hào)源 → 低插損移相器 → 功放 → 天線單元
↑(SPI/模擬控制)
FPGA/波束控制芯片
```
- 每通道插損降低 1 dB,等效提升 EIRP 1 dB 或降低功放功耗 20%。
- 在 256 單元陣列中,如采用 0.25 dB 波導(dǎo)移相器,總鏈路可節(jié)省 **>50 W** 功耗。
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### ? 采購(gòu)與定制要點(diǎn)
- **現(xiàn)貨**:ATM、Mi-Wave、Ducommun、Pasternack 均有 8–45 GHz 機(jī)械/波導(dǎo)型,12–14 周交期。
- **定制 MMIC**:需提供頻段、移相位、功耗、封裝(QFN、Flip-Chip、裸片)。
- **測(cè)試校準(zhǔn)**:推薦配 **VNA + 自動(dòng)校準(zhǔn)軟件**,一次性輸出全溫全頻 S2P 文件。
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### ? 一句話總結(jié)
> **“毫米波移相器每降低 0.1 dB 插損,系統(tǒng)噪聲系數(shù)就降低 0.1 dB”**——在 24 GHz 以上,優(yōu)先選 **波導(dǎo)機(jī)械(<0.5 dB)** 或 **MEMS/GaAs 有源(<2 dB)** 方案,再按陣列規(guī)模、成本、功耗權(quán)衡。
如需具體型號(hào)(例如 27–31 GHz、6-bit、裸片或 2.92 mm 模塊)或配套驅(qū)動(dòng)板、校準(zhǔn)夾具,請(qǐng)告訴我頻段/位寬/功率需求,我可以幫你快速鎖定現(xiàn)貨或安排定制。
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產(chǎn)品型號(hào):PS5-3 頻率范圍 (GHz:0.5-2.0 插入損耗 (dB):1.9 隔離度(dB):14 VSWR 輸入/輸:1.70:1 / 1.70:1 振幅 平衡:±1.2分貝