**K4213-E1-AY-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**
K4213-E1-AY-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道功率MOSFET，專為低電壓和高電流應用設計。它能夠承受高達 30V 的漏源極電壓 (VDS)，并在VGS=10V時具有低至 2mΩ 的導通電阻 (RDS(ON))，使其在高電流情況下依然能保持高效的性能。額定漏極電流 (ID) 高達 100A，確保其在各種功率管理應用中能夠提供可靠的性能。采用先進的Trench技術，K4213-E1-AY-VB 不僅具備出色的熱性能，還能實現(xiàn)快速開關，使其在高頻開關應用中非常高效。該MOSFET 廣泛應用于電源轉換、電機驅動及汽車電子等領域。
**K4213-E1-AY-VB 詳細參數(shù)說明**
- **封裝類型**：TO252
- **溝道類型**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：30V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：100A
- **技術**：Trench（溝槽技術）
**K4213-E1-AY-VB 應用領域及模塊**
1. **電源管理**：K4213-E1-AY-VB 適用于高效的電源管理應用，特別是在開關電源（SMPS）中，能夠有效地控制電源轉換過程，提高系統(tǒng)的整體效率。
2. **電動機控制**：由于其高電流承載能力和低導通電阻，該MOSFET 常用于電動機控制應用中，例如在電動車、家用電器和工業(yè)自動化設備中，確保電機在不同負載條件下穩(wěn)定運行。
3. **電源適配器**：在高功率的電源適配器中，K4213-E1-AY-VB 可用于電流開關和電流監(jiān)測，確保輸出電流的穩(wěn)定性和安全性，適合智能手機、筆記本電腦等電子設備的充電模塊。
4. **LED驅動**：該MOSFET 的低導通電阻使其成為大功率LED驅動應用的理想選擇。它能夠高效地驅動高亮度LED燈，廣泛應用于照明和顯示器行業(yè)，確保LED燈具的高效運行。
5. **汽車電子**：在汽車電子領域，K4213-E1-AY-VB 可用于電源分配和管理模塊，如車載電源轉換器和電池管理系統(tǒng)。其高電流和低電壓特性，適應汽車環(huán)境中的高負荷工作條件。
K4213-E1-AY-VB MOSFET 以其優(yōu)異的電氣性能和廣泛的應用適應性，成為現(xiàn)代電子設備中不可或缺的元件，特別是在高效能和高可靠性要求的場合。