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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD4858NAT4G-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NTD4858NAT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**NTD4858NAT4G-VB** 是一款高性能的N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為低電壓應(yīng)用設(shè)計。該器件具有優(yōu)異的開關(guān)性能和低導通電阻,使其在高頻率和高效率的電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其工作電壓范圍為20V,最大連續(xù)漏電流可達100A,適用于各種功率轉(zhuǎn)換和管理模塊。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: NTD4858NAT4G-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**: 由于其低導通電阻和高電流能力,NTD4858NAT4G-VB非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和高效電源供應(yīng),能夠顯著提高系統(tǒng)效率,降低熱量生成。

2. **電機驅(qū)動**: 此MOSFET可用于電機驅(qū)動應(yīng)用,尤其是在電動工具、家用電器和工業(yè)設(shè)備中,能夠承受大電流并快速開關(guān),從而提高驅(qū)動性能和響應(yīng)速度。

3. **汽車電子**: 在汽車電子領(lǐng)域,NTD4858NAT4G-VB可用于電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,支持車輛內(nèi)的各種電子設(shè)備,如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)和電池管理系統(tǒng)。

4. **通信設(shè)備**: 在無線通信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中,此MOSFET可以用于信號放大和功率管理,提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

5. **LED驅(qū)動**: 由于其快速開關(guān)特性,適用于LED照明驅(qū)動應(yīng)用,可以實現(xiàn)高效能的LED燈具。

NTD4858NAT4G-VB憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為現(xiàn)代電子設(shè)計中的重要組件。

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