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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K60S06K3L-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): K60S06K3L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介**  
K60S06K3L-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道MOSFET,設(shè)計(jì)用于各種高效能電源和開關(guān)應(yīng)用。其主要特點(diǎn)是耐壓能力為60V,具有較高的額定電流能力(97A),適用于大功率設(shè)備的電流開關(guān)與控制。通過采用先進(jìn)的溝槽型(Trench)技術(shù),它在較低柵極驅(qū)動(dòng)電壓下(如4.5V或10V)能夠提供低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),從而減少能量損耗,提升系統(tǒng)效率。K60S06K3L-VB 適用于需要高功率密度和高效切換的場景,如電動(dòng)汽車、電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

**詳細(xì)參數(shù)說明**  
1. **封裝類型**:TO252  
2. **極性配置**:單N溝道  
3. **漏源電壓 (VDS)**:60V  
4. **柵極電壓 (VGS)**:±20V  
5. **開啟電壓 (Vth)**:3V  
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:  
  - 12mΩ @ VGS=4.5V  
  - 4.5mΩ @ VGS=10V  
7. **漏極電流 (ID)**:97A  
8. **技術(shù)類型**:溝槽型(Trench)  

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例**  
1. **電動(dòng)汽車(EV)與混合動(dòng)力汽車(HEV)電源模塊**:K60S06K3L-VB 在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的動(dòng)力管理系統(tǒng)中非常適合,用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、車載充電器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。這款MOSFET的高電流承載能力以及低導(dǎo)通電阻能夠有效減少熱損耗,提升車輛電力系統(tǒng)的效率。

2. **電源轉(zhuǎn)換模塊**:在高效電源轉(zhuǎn)換器(如DC-DC和AC-DC轉(zhuǎn)換器)中,K60S06K3L-VB 提供了穩(wěn)定的高效開關(guān)功能,其較低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力可確保電力傳輸中的低功耗和快速響應(yīng),適合應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

3. **工業(yè)控制與自動(dòng)化模塊**:在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,該型號(hào)的MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器替代和高效的電源控制模塊。其在低電壓大電流場景下表現(xiàn)優(yōu)異,確保了設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性與高效性,適用于工業(yè)機(jī)器人、數(shù)控機(jī)床和可編程邏輯控制器(PLC)等領(lǐng)域。  

綜上所述,K60S06K3L-VB是一款適合多種高功率密度與高效應(yīng)用的MOSFET,適用于需要高效率電源管理的多領(lǐng)域模塊。

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