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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K65S04N1L-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K65S04N1L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K65S04N1L-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓、高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其漏源極電壓 (VDS) 為 40V,具有寬廣的柵極電壓范圍 (±20V),適用于多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件的開啟電壓 (Vth) 為 2.5V,采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),在 VGS=10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 僅為 5mΩ,漏極電流 (ID) 可達(dá) 85A。這種卓越的性能使得 K65S04N1L-VB 成為高效電源管理系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用的理想選擇。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 5mΩ @ VGS=10V
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術(shù)**: Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
K65S04N1L-VB MOSFET 的優(yōu)異性能使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中得到廣泛應(yīng)用,具體包括:

1. **電源管理系統(tǒng)**:由于其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,K65S04N1L-VB 是電源管理系統(tǒng)中常見的開關(guān)元件。它能夠有效地提高效率,降低功耗,適用于AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:該MOSFET 非常適合用于電動(dòng)機(jī)控制電路中,特別是在無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)和步進(jìn)電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中。其高電流能力確保電動(dòng)機(jī)在起動(dòng)和運(yùn)行過(guò)程中的穩(wěn)定性和效率。

3. **電池管理系統(tǒng)**:K65S04N1L-VB 可用于電池管理和充電器設(shè)計(jì)中,通過(guò)其快速開關(guān)能力,可以實(shí)現(xiàn)電池的高效充放電,延長(zhǎng)電池壽命并提高充電速度。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:在各種消費(fèi)電子設(shè)備中,如平板電腦、手機(jī)充電器和其他便攜式設(shè)備,K65S04N1L-VB 可以用于電源轉(zhuǎn)換模塊,提供高效、可靠的電源解決方案。

綜上所述,K65S04N1L-VB 憑借其低電阻和高電流處理能力,適用于電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理及消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域,為這些應(yīng)用提供穩(wěn)定、高效的性能。

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